奈梅亨，2021 年 11 月 17 日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準(zhǔn)電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿(mǎn)足日漸增長(zhǎng)的移動(dòng)便攜式和可穿戴應(yīng)用、汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用的需求及監(jiān)管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。

“Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應(yīng)用，提供高精度、低容差基準(zhǔn)電壓，”Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer介紹，“如果向柵極-源極路徑或漏極-柵極路徑施加極限電壓，或從更多種類(lèi)的合適的MOSFET中進(jìn)行選擇，用具有焊盤(pán)兼容性的A-selection齊納二極管代替B-或C-selection，工程師可以將MOSFET的性能發(fā)揮到極致?！?

A-selection齊納二極管的正常工作電壓范圍為1.8V至75V(E24范圍)。這些器件的非重復(fù)反向峰值功耗≤40W，總功耗≤250mW，差分熱阻低。低容差可提供更高精度的電壓，對(duì)應(yīng)用的測(cè)試與測(cè)量尤其關(guān)鍵，可幫助工程師取代成本更高的電壓基準(zhǔn)器件。相比直接保護(hù)MOSFET，另一種替代方案更為經(jīng)濟(jì)，即將漏極-柵極路徑與齊納二極管并聯(lián)。齊納二極管被擊穿后，MOSFET隨即導(dǎo)通，防止漏極-源極發(fā)生雪崩擊穿。

A-selection齊納二極管還可用于Q產(chǎn)品組合器件，符合AEC-Q101和ISO/TS16949汽車(chē)質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)的重點(diǎn)是滿(mǎn)足汽車(chē)原始設(shè)備制造商的壓力測(cè)試資格，以及質(zhì)量管理體系的要求。與此同時(shí)，客戶(hù)的需求不斷發(fā)展，越來(lái)越多的非汽車(chē)應(yīng)用需要額外的質(zhì)量相關(guān)服務(wù)，例如生產(chǎn)零件批準(zhǔn)過(guò)程(PPAP)和更長(zhǎng)的供貨計(jì)劃。此類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)器件和Q產(chǎn)品組合器件的另一個(gè)不同之處是產(chǎn)品變更通知(PCN)的期限，根據(jù)JEDEC的要求，期限從90天延長(zhǎng)至180天。此外，所有部件的供貨計(jì)劃至少為10年，保質(zhì)期超過(guò)兩年。

Nexperia繼續(xù)在技術(shù)和內(nèi)部產(chǎn)能方面加大投入。A-selection齊納二極管現(xiàn)可提供樣品，并已投入大批量生產(chǎn)。