奈梅亨，2021年10月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出兩款PESD5V0R1BxSF器件，即具有極低鉗位和電容的雙向靜電放電(ESD)保護(hù)二極管。該器件采用Nexperia TrEOS的主動可控硅整流技術(shù)的技術(shù)，可確保筆記本電腦和外圍設(shè)備、智能手機(jī)及其他便攜式電子設(shè)備上的USB4TM(高達(dá)2 x 20 Gbps)數(shù)據(jù)線擁有最佳信號完整性。

Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說道：“因?yàn)閁SB4TM超高速線路的插入損耗和回波損耗預(yù)算有限，所以Nexperia提供盡可能降低ESD保護(hù)對總預(yù)算影響的器件，希望為設(shè)計(jì)工程師提供支持。通過提供這兩種器件選型，工程師可以在ESD電壓鉗位(保護(hù)級別)和RF性能之間找到平衡。”

PESD5V0R1BDSF針對低鉗位進(jìn)行了優(yōu)化，并且能提供極低的插入損耗和回波損耗，在10 GHz時分別為0.28 dB和19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF針對RF性能進(jìn)行了優(yōu)化，其插入損耗和回波損耗在10 GHz時分別為-0.25 dB和-19.4 dB。這使其成為插入損耗和回波損耗預(yù)算更為有限的應(yīng)用的理想選擇。

兩種器件都采用超低電感DSN0603-2 (SOD962-2)無鉛引腳封裝，管腳尺寸為標(biāo)準(zhǔn)的0.6 mm x 0.3 mm、厚度為0.3 mm并且具有優(yōu)化回波損耗的焊盤。對于USB4TM，接收器(Rx)輸入也必須具有交流耦合電容。PESD5V0R1BxSF器件的額定電壓VRWM(>2.8 V)允許其可以直接放置在連接器后面，這是在保護(hù)電路的電容與實(shí)現(xiàn)出色的系統(tǒng)級ESD性能的首選位置。這個額定電壓使其能向下兼容通過USB Type-C®連接的所有標(biāo)準(zhǔn)。其中包括USB4TM、USB 3.2、舊版USB3.x以及ThunderboltTM和HDMI2.1®(HDMI®交替模式)數(shù)據(jù)線，支持高達(dá)48 Gbps (4 x 12)的HDMI2.1數(shù)據(jù)速率和高達(dá)40 Gbps (2 x 20)的ThunderboltTM數(shù)據(jù)速率。同時，TrEOS技術(shù)能夠確保極低的ESD鉗位電壓以保護(hù)敏感的收發(fā)器。