1.前言

考慮到系統(tǒng)可能具有的可變負(fù)載量，電源并不總是干凈的，并且可能會(huì)在其典型輸出值附近反彈。通過(guò)電源的這種反彈，稱為電壓監(jiān)控器的設(shè)備可以提供針對(duì)意外浪涌或電源下降的保護(hù)，并提高電子設(shè)備的效率。這使得電壓監(jiān)控器成為任何電子應(yīng)用中的必要條件。

市場(chǎng)上可用的電壓監(jiān)控器產(chǎn)品通過(guò)閾值選擇、多通道監(jiān)控選項(xiàng)、檢測(cè)精度、輸出配置、固定或可調(diào)延遲和看門狗功能等特性而與眾不同。在這篇文章中，我將重點(diǎn)介紹不同的輸出配置，并回顧在使用這些輸出拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮的事項(xiàng)。

2.輸出配置

將監(jiān)控器視為模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它檢測(cè)電源電壓（模擬）并提供一個(gè)標(biāo)志（RESET 或 SENSEOUT 引腳），這是一個(gè)數(shù)字信號(hào)。數(shù)字信號(hào)輸出可以采用開(kāi)漏或推挽拓?fù)洹?/p>

3.開(kāi)漏輸出拓?fù)?/b>

以下是使用開(kāi)漏輸出拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的一些事項(xiàng)：

· 

開(kāi)漏輸出提供了靈活性，因?yàn)樗鼈兛梢陨侠寥魏坞妷海ㄔ诮^對(duì)最大值內(nèi)）以符合負(fù)載邏輯，而不是將輸出上拉至監(jiān)控器的電源電壓或檢測(cè)電壓。上拉電阻可適當(dāng)限制電流并保持低電平輸出電壓 (VOL) 和高電平輸出電壓 (VOH) 規(guī)范。

· 

· 

可以通過(guò)單個(gè)上拉電阻將多個(gè)開(kāi)漏輸出連接在一起。開(kāi)漏輸出還可以上拉至符合負(fù)載邏輯的任何電壓，從而為設(shè)計(jì)人員提供了靈活性。

· 

· 

上拉電阻不能太低，以免流經(jīng)開(kāi)漏的電流損壞監(jiān)控器。當(dāng)內(nèi)部 n 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體 (NMOS)（圖 1）開(kāi)啟時(shí)，來(lái)自上拉電阻的電流將通過(guò) NMOS 并被拉至地。我們應(yīng)該根據(jù)兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)選擇上拉電阻。第一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是監(jiān)控器推薦的最大復(fù)位或檢測(cè)電流，稱為 IRESET 或 ISENSE，在數(shù)據(jù)表中指定。如果接地的電流高于 IRESET，則監(jiān)控器的內(nèi)部 NMOS 可能會(huì)損壞。第二個(gè)標(biāo)準(zhǔn)基于電壓監(jiān)控器輸出連接到的負(fù)載的 VOL 要求。由于復(fù)位/檢測(cè)電流的增加，較低的上拉電阻也會(huì)導(dǎo)致較高的 VOL。

· 

· 

上拉電阻不能太高，以免高溫下通過(guò)開(kāi)漏電阻的漏電流超出數(shù)據(jù)表中的 VOH 規(guī)格。通過(guò)增加上拉電阻，VOH 由于較小的復(fù)位或感測(cè)電流而降低，從而導(dǎo)致內(nèi)部金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 上的電壓降較小。

· 

· 

輸出上升時(shí)間由上拉電阻和輸出板寄生電容決定。要獲得更快的上升時(shí)間，請(qǐng)使用較小的上拉電阻。

· 

· 

監(jiān)控器的靜態(tài)電流 (Iq) 不包括通過(guò)上拉電阻的電流。如果上拉電壓從電源中拉出，總系統(tǒng) Iq 將增加，因?yàn)殡娫措娏饕矊⑼ㄟ^(guò)上拉電阻。如果上拉電壓連接到另一個(gè)電源，系統(tǒng) Iq 將等于數(shù)據(jù)表中的監(jiān)控器 Iq。由于上拉電壓可以連接到不同的電源，因此監(jiān)控器的 Iq 規(guī)范沒(méi)有考慮使用公共電源產(chǎn)生的額外輸出電流。

· 

· 

開(kāi)漏輸出配置需要一個(gè)額外的組件，一個(gè)上拉電阻，從輸出連接到電源。如果沒(méi)有上拉電阻，當(dāng)內(nèi)部 NMOS 關(guān)閉時(shí)，輸出是不確定的，因?yàn)閷](méi)有可拉動(dòng)的電源。

· 

· 

開(kāi)漏輸出可以隨輸出上拉電源而變化，任何瞬態(tài)耦合都取決于所使用的上拉電阻。較高的上拉電阻可以最大限度地減少來(lái)自輸出上拉電源的瞬變影響。

· 

圖 1：開(kāi)漏輸出使用內(nèi)部 N-MOSFET

4.推挽拓?fù)?/b>

以下是使用推挽輸出拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮的一些事項(xiàng)：

· 

推挽配置的輸出在監(jiān)控器的電源電壓和地之間切換，無(wú)需外部上拉電阻。請(qǐng)注意圖 2 中的輸出如何不使用圖 1 中的電阻器，以及圖 2 中如何不存在 Vpullup。Vdd 和接地通過(guò) 2 個(gè) MOSFETS 切換。

· 

· 

推挽配置的輸出電壓永遠(yuǎn)不會(huì)超過(guò)監(jiān)控器的電源電壓 0.3V 以上，因?yàn)轶w二極管會(huì)導(dǎo)通并損壞設(shè)備。體二極管在正向偏置模式下會(huì)承受過(guò)大的電流。

· 

· 

監(jiān)控器的靜態(tài)電流包括通過(guò)可連接在監(jiān)控器輸出端的外部電阻器的電流。

· 

· 

不可能像開(kāi)漏輸出拓?fù)淠菢訉⑼仆燧敵鲞B線或連接在一起。

· 

· 

推挽輸出非常適合高速應(yīng)用，因?yàn)橥仆燧敵鰶](méi)有上拉電阻在開(kāi)漏拓?fù)渲幸鸬念~外延遲。

· 

圖 2：在推挽輸出拓?fù)渲?，p 溝道 MOS (PMOS) 和 NMOS 連接在一起，類似于反相器

如何識(shí)別低電平有效和高電平有效

不同類型的監(jiān)控器監(jiān)控欠壓和過(guò)壓情況，并在低電平有效或高電平有效輸出拓?fù)渲刑峁?RESET/FLAG/POWERGOOD/SENSEOUT。“SENSEOUT”和“POWERGOOD”標(biāo)記的引腳在監(jiān)控器檢測(cè)到電源電壓處于正常工作狀態(tài)時(shí)激活，而“RESET”標(biāo)記的引腳在監(jiān)控器檢測(cè)到電源電壓出現(xiàn)故障（欠壓或過(guò)壓）時(shí)激活健康）狀況。

過(guò)壓高電平有效監(jiān)控器意味著只要電源超過(guò) VIT+，發(fā)出過(guò)壓條件信號(hào)，RESET 就會(huì)激活為邏輯高電平。

表 1 可以幫助我們識(shí)別不同的方案。

表 1：高電平有效與低電平有效監(jiān)控器。