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[導(dǎo)讀]信息時(shí)代的到來(lái)極大地改變了人類社會(huì)的生產(chǎn)、生活、工作和學(xué)習(xí)方式。射頻功率放大器不僅在通訊系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,還逐漸被應(yīng)用于其他領(lǐng)域內(nèi)。

信息時(shí)代的到來(lái)極大地改變了人類社會(huì)的生產(chǎn)、生活、工作和學(xué)習(xí)方式。射頻功率放大器不僅在通訊系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用,還逐漸被應(yīng)用于其他領(lǐng)域內(nèi)。本文為一種新型射頻導(dǎo)熱治療儀所設(shè)計(jì)的大功率射頻放大器電路,滿足工作于射頻低端。借助ADS仿真軟件采用負(fù)載牽引技術(shù)的設(shè)計(jì)方式,通過(guò)對(duì)整體效率、功率增益、功率容量等一系列的對(duì)比。得出最佳輸入、輸出阻抗,并進(jìn)行阻抗匹配電路的設(shè)計(jì)。在此基礎(chǔ)上對(duì)整個(gè)功率放大電路進(jìn)行諧波平衡優(yōu)化仿真,顯示達(dá)到良好的設(shè)計(jì)效果。

對(duì)于射頻功率放大器在醫(yī)療方面的應(yīng)用,由于歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家在此技術(shù)領(lǐng)域展開(kāi)了較早的關(guān)注和研究,其科研成果處于前沿地位。而該行業(yè)在國(guó)內(nèi)研究起步較晚,加上技術(shù)壁壘,大多還處于初步研究和實(shí)驗(yàn)階段。

本文所設(shè)計(jì)的新型射頻導(dǎo)熱治療主要硬件部分是一種大功率射頻放大器電路,旨在集成以往中小功率的該類產(chǎn)品,不僅可以大大減少器件的使用,節(jié)約成本,還提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和空間、體積上的優(yōu)勢(shì)。其輸出端經(jīng)過(guò)功分器可直接與施加在患者身體部位的導(dǎo)熱針相連接,從而達(dá)到利用射頻電磁波作用于人體病變組織,消除肌體中無(wú)菌性炎癥,松解肌肉痙攣,增加局部供血,促進(jìn)組織修復(fù)和肌細(xì)胞再生,從而解除軟組織疼痛的醫(yī)療保健作用。相信不久的將來(lái),此類技術(shù)成果會(huì)逐漸應(yīng)用到保健按摩、局部美容,甚至微創(chuàng)外科手術(shù)中去,并將開(kāi)創(chuàng)醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的新亮點(diǎn)。

功率放大電路性能指標(biāo)

工作頻率:540kHz左右;輸出功率:200~300W(輸入1W);功率增益:≥23dB;增益平坦度:≤4dB;工作溫度:-40℃~+65℃。其它參數(shù)沒(méi)有特殊要求,就按本領(lǐng)域設(shè)計(jì)的一般要求來(lái)設(shè)定。

射頻電路仿真

設(shè)計(jì)要求540kHz的工作頻率屬于射頻領(lǐng)域內(nèi)的低頻率范圍,選擇器件時(shí)要考慮此頻率下的仿真特性與等效模型。考慮到功率放大器輸出寄生電容要求在pF量級(jí),輸出功率要求為54dBm,可選擇市面上統(tǒng)一封裝在一起的互補(bǔ)對(duì)管滿足大功率、高增益的需求,以及經(jīng)受住過(guò)流、耐壓,足夠的裕量值和良好的散熱設(shè)計(jì)。同時(shí)在提高效率、防止引入額外損耗、精簡(jiǎn)體積、增加整體穩(wěn)定性上大有裨益。最終本設(shè)計(jì)功率放大器件選用Freescale公司(已被NXP公司收購(gòu))發(fā)售型號(hào)為MRF6VP5300N的LDMOS晶體管。它的器件模型和基本參數(shù)如圖1及表1所示[2]。圖1中的“FSL_TECH_INCLUDE”是仿真時(shí)的控件,用于支持模型庫(kù)。模型下面的參數(shù)TNOM指環(huán)境溫度,TSNK、RTH、CTH分別是熱沉溫度、熱電阻系數(shù)、熱電容系數(shù),無(wú)特殊要求一般選擇默認(rèn)值。

在AB類工作狀態(tài)下,參考工作頻率是1.8~600MHz,額定輸出功率54.8dBm,增益24.8dB。在VDD=50V,1MHz情況下,其漏極寄生輸出電容為lpF。以上指標(biāo)滿足我們的設(shè)計(jì)要求。其漏極最大工作電壓為65V,可以保證本論文設(shè)計(jì)的要求。通過(guò)晶體管直流特性分析,可以確定其柵極偏置電壓。設(shè)計(jì)目標(biāo)輸出功率在300W左右,為了便于匹配,我們統(tǒng)一選擇匹配電阻為50Ω。同時(shí),考慮到其他引入的損耗,要適當(dāng)?shù)靥岣呗O電壓,預(yù)設(shè)晶體管漏極最高電壓理論上為53.4V,低于晶體管額定漏極電壓,保證晶體管的安全工作

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