SiP的三個(gè)新特點(diǎn)
時(shí)間:2021-08-19 15:13:40
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[導(dǎo)讀]傳統(tǒng)電子封裝電子封裝從1947年誕生至今,對(duì)整個(gè)電子系統(tǒng)的發(fā)展起了重要且不可或缺的作用,電子封裝的功能主要有三點(diǎn):①進(jìn)行芯片保護(hù),因?yàn)楣栊酒旧肀容^脆弱,細(xì)小的灰塵和水汽都會(huì)破壞它們的功能,因此需要進(jìn)行保護(hù)。②進(jìn)行尺度放大,因?yàn)樾酒旧矶己苄。ㄟ^(guò)封裝后進(jìn)行尺度放大,便于后續(xù)PC...

- ① 進(jìn)行芯片保護(hù),因?yàn)楣栊酒旧肀容^脆弱,細(xì)小的灰塵和水汽都會(huì)破壞它們的功能,因此需要進(jìn)行保護(hù)。
- ② 進(jìn)行尺度放大,因?yàn)樾酒旧矶己苄?,通過(guò)封裝后進(jìn)行尺度放大,便于后續(xù)PCB板級(jí)系統(tǒng)使用。
- ③ 進(jìn)行電氣連接,通過(guò)封裝,芯片和外界電氣連接,進(jìn)行信息交換。

- ① 提升功能密度,功能密度是指單位體積內(nèi)包含的功能單位的數(shù)量(關(guān)于功能密度的詳細(xì)解釋,可參考電子工業(yè)出版社近期即將出版的新書《基于SiP技術(shù)的微系統(tǒng)》)。從SiP到先進(jìn)封裝,最主要的目的和最鮮明的特征就是系統(tǒng)功能密度的提升。
- ②?縮短互聯(lián)長(zhǎng)度,SiP將系統(tǒng)電氣互聯(lián)長(zhǎng)度從毫米級(jí)(mm)縮短到了微米級(jí)(um)?;ヂ?lián)長(zhǎng)度的縮短,帶來(lái)的好處就是性能提升,功耗降低,這一點(diǎn),通過(guò)HMB和DDRx的比較大家就能看得很明白。
- ③?進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu),以往電子系統(tǒng)的構(gòu)建是在芯片級(jí)(SoC)或者是在板級(jí)(PCB)進(jìn)行,通過(guò)SiP技術(shù),在一個(gè)封裝內(nèi)構(gòu)建系統(tǒng)并進(jìn)行優(yōu)化,我們可以稱之為封裝級(jí)系統(tǒng)重構(gòu),Chiplet技術(shù)、異構(gòu)集成技術(shù)就是封裝級(jí)系統(tǒng)重構(gòu)的典型代表。
下面,我們用一張圖對(duì)本文的描述進(jìn)行總結(jié)。在傳統(tǒng)封裝的三個(gè)功能之上,SiP又增加了三個(gè)新的特點(diǎn):提升功能密度,縮短互聯(lián)長(zhǎng)度,進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)。SiP這三個(gè)新特點(diǎn),傳統(tǒng)封裝并不具備。

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- 新 書 推 介:
新書《基于SiP技術(shù)的微系統(tǒng)》將會(huì)在幾個(gè)月后,由電子工業(yè)出版社正式出版。
該書內(nèi)容涵蓋“概念和技術(shù)”、“設(shè)計(jì)和仿真”、“項(xiàng)目和案例”三大方面,總共30章。內(nèi)容包括了功能密度定律、Si3P和4D集成等原創(chuàng)概念,先進(jìn)封裝(HDAP)最新技術(shù)介紹,以及Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP等詳細(xì)設(shè)計(jì)方法、電氣驗(yàn)證及物理驗(yàn)證,對(duì)SiP及相關(guān)的技術(shù)進(jìn)行了綜合而詳盡的闡述。關(guān)注SiP、微系統(tǒng)、先進(jìn)封裝技術(shù)的讀者可以參考。

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