領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司，現(xiàn)已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)推出四款首批器件。作為目前市場(chǎng)上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)(FoM)實(shí)現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正(PFC)和 DC-DC轉(zhuǎn)換以及可再生能源和儲(chǔ)能領(lǐng)域的電源應(yīng)用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無(wú)與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，第四代FET實(shí)現(xiàn)了最低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規(guī)格則可實(shí)現(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的性能(無(wú)論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作)，而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復(fù)特性，從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴(kuò)展到了750V，這樣就可以為設(shè)計(jì)人員提供更多的裕量并減少其設(shè)計(jì)約束。同時(shí)，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應(yīng)用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅(qū)動(dòng)器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅(qū)動(dòng)。因此，就可以將它們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器一起使用。

正如聯(lián)合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉(zhuǎn)換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽(yáng)能逆變器，這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們?cè)跐M足最高電壓和功率要求時(shí)所面臨的各種挑戰(zhàn)。

“我們將在未來(lái)9個(gè)月內(nèi)發(fā)布許多第四代新器件，而在性價(jià)比、散熱效率和設(shè)計(jì)裕量等方面實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步提高。到那時(shí)，各行各業(yè)就都有望克服大規(guī)模采用的挑戰(zhàn)，并借此加速創(chuàng)新?！?