在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)MPS MP6909智能整流器的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果智能整流器是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

MP6909 是一款模擬低壓降二極管控制 IC，驅(qū)動(dòng)外部開關(guān)管時(shí)，可取代高效反激變換器中的肖特基二極管。

MP6909 智能整流器可將外部同步整流器(SR)MOSFET 的導(dǎo)通壓降調(diào)節(jié)至大約 40mV，一旦電壓變?yōu)樨?fù)，則開關(guān)管關(guān)斷。MP6909 可以通過內(nèi)部線性調(diào)節(jié)器生成自身的電源電壓?？删幊痰恼疋彊z測(cè)電路可防止 MP6909 在非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作期間在 VDS 振蕩時(shí)發(fā)生誤導(dǎo)通。MP6909 采用節(jié)省空間的 TSOT23-6 封裝。

MP6909 智能整流器支持在非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)、連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和準(zhǔn)諧振反激轉(zhuǎn)換器下運(yùn)行。 控制電路以正向模式控制柵極，并在同步整流 (SR) MOSFET 電流降至零時(shí)關(guān)閉柵極。

在VR生成方面，VIN 是內(nèi)部線性穩(wěn)壓器的輸入。 VR 是內(nèi)部線性穩(wěn)壓器的輸出。 VR 端的電容為 IC 供電。 當(dāng) VIN < 9.3V 時(shí)，內(nèi)部線性穩(wěn)壓器將 VR 調(diào)節(jié)在 VIN-0.3V。 當(dāng) VIN > 9.3V 時(shí)，內(nèi)部線性穩(wěn)壓器將 VR 調(diào)節(jié)為 9V。

在啟動(dòng)和欠壓鎖定 (UVLO)方面，當(dāng) VR 升至 3.75V 以上時(shí)，MP6909 退出欠壓鎖定 (UVLO) 并啟用。 MP6909 智能整流器進(jìn)入睡眠模式，一旦 VR 降至 3.55V 以下，VGS 就會(huì)保持低電平。

在開啟階段方面，當(dāng) VDS 降至 ~2V 時(shí)，開啟定時(shí)器開始計(jì)時(shí)。 該開啟定時(shí)器可通過 SL 上的外部電阻器進(jìn)行編程。 如果 VDS 在定時(shí)器設(shè)定的時(shí)間(TSLEW)內(nèi)從 2V 達(dá)到 -86mV 的開啟閾值，則 MOSFET 在開啟延遲(約 30ns)后開啟。 如果定時(shí)器結(jié)束后 VDS 超過 -86mV，柵極電壓 (VG) 將保持關(guān)閉。 該開啟定時(shí)器可防止 MP6909 智能整流器由于 DCM 振鈴和準(zhǔn)諧振操作而錯(cuò)誤開啟。

在開啟消隱方面，控制電路包含消隱功能。 當(dāng) MOSFET 導(dǎo)通時(shí)，控制電路確保導(dǎo)通狀態(tài)持續(xù)一段特定的時(shí)間。 開啟消隱時(shí)間約為 1.1μs，以防止因振鈴而意外關(guān)閉。 但是，如果在導(dǎo)通消隱時(shí)間內(nèi)，在導(dǎo)通消隱期間 VDS 達(dá)到關(guān)斷閾值，則 VGS 會(huì)立即被拉低。

在傳導(dǎo)階段方面，當(dāng) VDS 根據(jù)開關(guān)電流的減小而上升到正向壓降(-40mV)以上時(shí)，MP6909智能整流器降低柵極電壓電平以增大同步 MOSFET 的導(dǎo)通電阻。使用這種控制方案，即使通過 MOSFET 的電流相當(dāng)?shù)?，VDS 也被調(diào)整到 -40mV 左右。 該功能在同步 MOSFET 關(guān)斷時(shí)將驅(qū)動(dòng)器電壓保持在非常低的水平，從而提高關(guān)斷速度，對(duì)于 CCM 操作尤其重要。

在關(guān)斷階段方面，當(dāng) VDS 上升以觸發(fā)關(guān)斷閾值 (-3mV) 時(shí)，柵極電壓會(huì)在非常短的 25ns 關(guān)斷延遲后被拉至零。

在關(guān)閉消隱方面，在柵極驅(qū)動(dòng)器 (VGS) 被 VDS 拉至關(guān)零閾值 (-3mV) 后，應(yīng)用關(guān)斷消隱時(shí)間，在此期間，柵極驅(qū)動(dòng)器信號(hào)被鎖存。 當(dāng) VDS 上升到關(guān)斷消隱退出閾值 (2-3V) 以上時(shí)，關(guān)斷消隱被移除。

在轉(zhuǎn)換速率設(shè)置方面，仔細(xì)選擇壓擺率設(shè)置電阻。 在 SL 上放置電阻器之前，測(cè)量正常開啟期間的 VDS 壓擺率和 DCM 期間的振蕩。 選擇可以保證 SR 驅(qū)動(dòng)器正常導(dǎo)通的電阻。 例如，如果 VDS 壓擺率在正常下降期間為 -1V/ns，而在振蕩時(shí)為 0.01V/ns，則 0.1V/ns 壓擺率是設(shè)置的合適目標(biāo)。

由于過壓條件可能會(huì)損壞器件，因此必須有適當(dāng)?shù)膽?yīng)用設(shè)計(jì)來保證安全操作，尤其是在高壓引腳上。

一種常見的過壓情況是 SR MOSFET 的體二極管開啟且正向壓降可能超過 VD 的負(fù)額定值。 在這種情況下，應(yīng)在 VD 和 MOSFET 漏極之間放置一個(gè)外部電阻器。 一般建議電阻不小于300Ω。

另一方面，該電阻不能太大，因?yàn)榇箅娮柚禃?huì)降低 VDS 檢測(cè)的壓擺率。 一般情況下，不建議使用大于 1kΩ 的任何電阻值，但應(yīng)根據(jù)每個(gè)實(shí)際情況的壓擺率進(jìn)行檢查。

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