賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年4月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出通過AEC-Q101認(rèn)證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導(dǎo)通電阻達(dá)到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車應(yīng)用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線結(jié)構(gòu)5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。

日前發(fā)布的汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。SQJA81EP 10 V條件下優(yōu)異的柵極電荷僅為52 nC，減少柵極驅(qū)動損耗，柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，即用于功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的MOSFET優(yōu)值系數(shù)(FOM)達(dá)到業(yè)界出色水平。

器件可在+175 °C高溫下工作，滿足反向極性保護(hù)、電池管理、高邊負(fù)載開關(guān)和LED照明等汽車應(yīng)用牢固性和可靠性要求。此外，SQJA81EP鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于提高自動光學(xué)檢測(AOI)功能，消除機(jī)械應(yīng)力，提高板級可靠性。

器件80 V額定電壓滿足12 V、24 V和48 V系統(tǒng)多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。MOSFET提高了功率密度，從而減少需要并聯(lián)的元器件數(shù)量，節(jié)省PCB空間。此外，作為p溝道器件，SQJA81EP可簡化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)，無需配置n溝道器件所需的電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

SQJA81EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。