以下內(nèi)容中，小編將對MCP存儲器和相變存儲器的相關(guān)內(nèi)容進行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進對這兩款不同類型的存儲器的了解，和小編一起來看看吧。

一、什么是MCP存儲器

首先，我們來了解下什么是MCP存儲器以及MCP存儲器的一些相關(guān)內(nèi)容。

當(dāng)前給定的MCP存儲器的概念為：MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，是一種一級單封裝的混合技術(shù)，用此方法節(jié)約小巧印刷電路板PCB空間。MCP中使用的芯片的復(fù)雜性相對較低，并且不需要高氣密性和嚴格的機械沖擊測試要求。當(dāng)在有限的PCB區(qū)域中使用高密度封裝時，MCP成為首選。 經(jīng)過最近的技術(shù)變革，它已經(jīng)實現(xiàn)了更高的堆積密度。目前，MCP通常具有內(nèi)置的3-9層垂直堆疊的存儲器。 MCP器件可以包括非NOR或非NAND結(jié)構(gòu)的閃存以及其他用于手機存儲器的結(jié)構(gòu)SRAM芯片層。 如果沒有高效的空間比例MCP，那么高端手機幾乎不可能實現(xiàn)多功能。 MCP繼續(xù)使新的包裝設(shè)計能夠成功地在實際生產(chǎn)中使用。 通過堆疊封裝將芯片集成在一起，以實現(xiàn)更高的性能密度，更好的集成度，更低的功耗，更大的靈活性和更低的成本。目前，手機存儲芯片封裝的批量生產(chǎn)主要是開發(fā)在數(shù)碼相機，PDA和某些筆記本計算機產(chǎn)品中的應(yīng)用。

MCP關(guān)鍵技術(shù)半導(dǎo)體晶圓后段制程技術(shù)加快了開發(fā)速度，允許將某些類型的某些芯片以適當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)集成到單個一級封裝中，結(jié)構(gòu)分為金字塔型和懸臂型堆疊。前者的特征是芯片尺寸從下到上越來越小，而后者與堆疊芯片的尺寸相同。 MCP變得越來越個性化，可以為客戶提供獨特的應(yīng)用程序解決方案。它比單芯片封裝具有更高的效率。 它的重要性正在迅速提高。 所涉及的關(guān)鍵過程包括如何確保產(chǎn)品合格率和減小芯片厚度。 如果是相同的芯片堆棧裝配和密集的引線鍵合技術(shù)。

二、相變存儲器簡介

在了解了MCP存儲器后，我們再來看看相變存儲器到底是個什么東西。

相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)域，以及這項新技術(shù)的潛在價值。相變存儲器材料具有訪問速度快、可靠性高的優(yōu)點，與其他存儲器相比具有更廣闊的應(yīng)用空間和更好的發(fā)展趨勢。 預(yù)計它將取代目前眾所周知的傳統(tǒng)存儲技術(shù)，例如USB閃存驅(qū)動器中使用的可斷電內(nèi)存技術(shù)以及應(yīng)用于計算機存儲器的不間斷電源存儲的DRAM技術(shù)等等。 盡管人們逐漸認識到了新存儲技術(shù)的優(yōu)勢，但在實踐中如何應(yīng)用它們卻存在差異。相變存儲器的訪問時間短，并且具有字節(jié)可尋址特性。它的寫入延遲大約是DRAM的10倍，這使其在設(shè)計參考中直接執(zhí)行固件代碼方面顯示出優(yōu)勢，并且作為DRAM的代替品被廣泛研究。關(guān)閉計算機電源后，使用DRAM的傳統(tǒng)方法是丟失主存儲器中的所有數(shù)據(jù)。計算機需要重新啟動，以再次從外部存儲器讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，這會花費更多時間。一些研究人員使用NOR閃存作為主存儲器可以解決計算機斷電數(shù)據(jù)丟失的問題，但是閃存具有擦除和寫入受限，隨機寫入性能差以及寫入延遲大的缺點。使用相變存儲器或基于相變存儲器的異構(gòu)主存儲器方法。 以上問題可以更好地解決。

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