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[導(dǎo)讀]你知道TOPCon電池嗎?在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的TOPCon電池嗎?

你知道TOPCon電池嗎?在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)達(dá)的今天,各種各樣的高科技出現(xiàn)在我們的生活中,為我們的生活帶來便利,那么你知道這些高科技可能會(huì)含有的TOPCon電池嗎?

TOPCon是一種基于選擇性載流子原理的隧穿氧化層鈍化接觸(Tunnel Oxide Passivated Contact)太陽能電池技術(shù),其電池結(jié)構(gòu)為N型硅襯底電池,在電池背面制備一層超薄氧化硅,然后再沉積一層摻雜硅薄層,二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu),有效降低表面復(fù)合和金屬接觸復(fù)合,為N-PERT電池轉(zhuǎn)換效率進(jìn)一步提升提供了更大的空間。

TOPCon技術(shù)與n-PERT雙面電池產(chǎn)線相兼容,可以通過對(duì)n-PERT雙面電池產(chǎn)線簡(jiǎn)單的改造實(shí)現(xiàn)N型單晶雙面TOPCon電池的規(guī)模化生產(chǎn)。隧穿氧化層可通過熱氧法得到,降低氧氣分壓后,氧化速率緩慢,可得到厚度和均勻性可控的氧化硅膜層。poly層可通過高溫下硅烷的熱分解實(shí)現(xiàn)。

在電池背面制備一層超薄的隧穿氧化層和一層高摻雜的多晶硅薄層,二者共同形成了鈍化接觸結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)為硅片的背面提供了良好的表面鈍化,超薄氧化層可以使多子電子隧穿進(jìn)入多晶硅層同時(shí)阻擋少子空穴復(fù)合,進(jìn)而電子在多晶硅層橫向傳輸被金屬收集,從而極大地降低了金屬接觸復(fù)合電流,提升了電池的開路電壓和短路電流。

TOPCon正面與常規(guī)N型太陽能電池或N-PERT太陽能電池沒有本質(zhì)區(qū)別,電池核心技術(shù)是背面鈍化接觸,硅片背面由一層超薄氧化硅(1~2nm)與一層磷摻雜的微晶非晶混合Si薄膜組成。鈍化性能通過退火過程進(jìn)行激活,Si薄膜在該退火過程中結(jié)晶性發(fā)生變化,由微晶非晶混合相轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?。?50°C的退火溫度下退火,iVoc > 710 mV, J0在9-13 fA/cm2,顯示了鈍化接觸結(jié)構(gòu)優(yōu)異的鈍化性能,所制備的電池效率超過23%。目前N型前結(jié)鈍化接觸太陽能電池世界紀(jì)錄(25.8%)由Fraunhofer-ISE研究所保持。

LPCVD設(shè)備可一站式完成隧穿氧化層和poly層的制備。熱氧和淀積poly層兩個(gè)工藝二合一能夠大幅提高產(chǎn)能,降低設(shè)備成本,相對(duì)于其他設(shè)備有較大優(yōu)勢(shì)。熱氧工藝完成后在低壓狀態(tài)下進(jìn)行淀積poly層,除節(jié)約時(shí)間外,更重要的是能夠?qū)Τ⊙趸鑼悠鸬奖Wo(hù)作用,一方面使氧化層不會(huì)在出舟過程中被進(jìn)一步氧化,失去隧穿效應(yīng);另一方面氧化層也不會(huì)在空氣中被污染。

Poly層中摻雜磷有兩種方式,分別是原位摻雜和非原位摻雜。原位摻雜是在淀積poly過程中直接摻雜。非原位摻雜是淀積poly層完成后,再進(jìn)行摻雜??蛇x用兩種方式,一是離子注入加退火,二是磷擴(kuò)散。離子注入工藝單面性較好,但是設(shè)備昂貴,產(chǎn)能低,大規(guī)模量產(chǎn)設(shè)備成本較高。磷擴(kuò)工藝單面性稍差,但可以通過工藝設(shè)計(jì)可以解決這個(gè)問題,并且磷擴(kuò)散設(shè)備在光伏市場(chǎng)上已經(jīng)十分成熟,價(jià)格較低,工藝也非常穩(wěn)定。綜合考慮,在TOPCon電池量產(chǎn)中,LPCVD完成隧穿氧化層和Poly層的制備,再進(jìn)行磷擴(kuò)散是性價(jià)比最優(yōu)選擇。

以上就是TOPCon電池的一些值得大家學(xué)習(xí)的詳細(xì)資料解析,希望在大家剛接觸的過程中,能夠給大家一定的幫助,如果有問題,也可以和小編一起探討。

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