據(jù)昨日報道，我國成功研發(fā)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片，該芯片實驗室來自重慶郵電大學(xué)。

據(jù)重慶郵電大學(xué)光電工程學(xué)院副教授黃義表示，第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率芯片主要應(yīng)用在汽車電子、消費電源、數(shù)據(jù)中心等方面，其具備體積小、效率高、用電量少等特點。

并且這款功率半導(dǎo)體芯片電量能節(jié)省10%以上，面積是硅芯片的1/5左右，開關(guān)速度提升10倍以上。

目前，該項目已經(jīng)到了試驗性應(yīng)用階段，未來有望在各種電源節(jié)能領(lǐng)域和大數(shù)據(jù)中心使用。

值得注意的是，由重慶郵電大學(xué)規(guī)劃的重慶集成電路設(shè)計創(chuàng)新孵化中心已入駐西部(重慶)科學(xué)城。

該中心將著力建設(shè)重慶市集成電路公共設(shè)計、測試分析、半導(dǎo)體工藝等為一體集成電路中試平臺，結(jié)合重慶市新興產(chǎn)業(yè)需求，提供低成本、高效率的集成電路公共服務(wù)與專業(yè)技術(shù)支持;孵化一批人工智能芯片、公共安全專用芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等方向的高端科技成果及高科技企業(yè)。