汽車電氣化浪潮正席卷全球，電動汽車搭載的電機、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅（SiC）等創(chuàng)新電源技術。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設計人員提供了符合嚴苛汽車質量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。

Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說，可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性，實現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設計人員可以減少對外部保護電路的需求，降低系統(tǒng)成本和復雜性。

Microchip分立產品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“作為汽車行業(yè)的長期供應商，Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案，引領汽車電氣化領域的電源系統(tǒng)轉型。我們一直專注于提供汽車解決方案，幫助客戶輕松過渡到碳化硅（SiC），同時將質量、供應和支持挑戰(zhàn)的風險降至最低?！?/span>

Microchip作為汽車行業(yè)供應商的歷史已經超過25年。公司擁有碳化硅（SiC）技術以及多個通過IATF 16949:2016認證的制造工廠，可通過靈活的制造方案提供高質量器件，幫助最大限度地降低供應鏈風險。

經過Microchip內部以及第三方測試，關鍵可靠性指標已經證明，與其他廠商生產的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅（ SiC） 器件不同，Microchip 器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應用壽命。Microchip 碳化硅（SiC）解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領先水平。其耐用性測試表明，Microchip 的碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）在非箝位電感開關（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統(tǒng)壽命，實現(xiàn)更可靠的運行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產品組合，為設計人員提供電動汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）功率模塊的廣泛產品組合。此外，Microchip推出的dsPIC?數(shù)字信號控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設。Microchip的AgileSwitch?系列數(shù)字可編程門驅動器進一步加快了從設計階段到生產的進程。這些解決方案還可應用于可再生能源、電網、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國防系統(tǒng)。

開發(fā)工具

Microchip 通過 AEC-Q101 認證的碳化硅肖特基二極管（SiC SBD） 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB? Mindi? 模擬仿真器。同時還提供Microchip SBD（1200V, 50A）作為功率級的一部分的PLECS參考設計模型，即Vienna三相功率因數(shù)校正（PFC）參考設計。

供貨

Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件（也可作為功率模塊的裸片）已經通過AEC-Q101認證，現(xiàn)已開始接受批量訂單。

原文轉自Microchip微芯 

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