在生活中，你可能接觸過(guò)各種各樣的電子產(chǎn)品，那么你可能并不知道它的一些組成部分，比如它可能含有的**，那么接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊。

日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT，將高邊TrenchFET®和低邊SkyFET®MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率，同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。

NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

日前發(fā)布器件中的兩個(gè)MOSFET采用半橋配置內(nèi)部連接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，最大導(dǎo)通電阻分別為4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V條件下，導(dǎo)通電阻分別為1.84 mW和2.57 mW。兩個(gè)MOSFET典型柵極電荷分別為6.9 nC和19.4 nC。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況(高端驅(qū)動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動(dòng)，但由于導(dǎo)通電阻大，價(jià)格貴，替換種類少等原因，在高端驅(qū)動(dòng)中，通常還是使用NMOS。

SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間，是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。器件為設(shè)計(jì)人員提供節(jié)省空間的解決方案，適用于圖形加速卡、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器以及通信和RF網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換、電源以及同步降壓和DC / DC轉(zhuǎn)換器。

在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底(提供大量可以動(dòng)空穴)上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)(N+區(qū)域中有大量為電流流動(dòng)提供自由電子的電子源)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極D和源極S。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極(通常是多晶硅)，作為柵極G。在襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)

雙MOSFET采用獨(dú)特的引腳配置結(jié)構(gòu)，電流相位輸出電流比相同占位面積的同類產(chǎn)品高11 %，此外，輸出電流超過(guò)20 A時(shí)具有更高的效率。器件引腳配置和大PGND 焊盤還可以增強(qiáng)散熱，優(yōu)化電路，簡(jiǎn)化PCB布局。

相信通過(guò)閱讀上面的內(nèi)容，大家對(duì)n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊有了初步的了解，同時(shí)也希望大家在學(xué)習(xí)過(guò)程中，做好總結(jié)，這樣才能不斷提升自己的設(shè)計(jì)水平。