電機:俗稱“馬達”,依據(jù)電磁感應(yīng)定律實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換或傳遞的一種電磁裝置。包括:電動機和發(fā)電機。
電動機在電路中是用字母M表示,它的主要作用是產(chǎn)生驅(qū)動轉(zhuǎn)矩;作為用電器或各種機械的動力源,發(fā)電機在電路中用字母G表示,它的主要作用是利用機械能轉(zhuǎn)化為電能。
電機控制:對電機的啟動、加速、運轉(zhuǎn)、減速及停止進行的控制。
1.直流有刷電機
直流有刷電機(Brushed DC,簡稱BDC),由于其結(jié)構(gòu)簡單,操控方便,成本低廉,具有良好的偏動和調(diào)速性能等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各種動力器件中,小到玩具,按鈕調(diào)節(jié)式汽車座椅,大到印刷機械等生產(chǎn)機械中都能看到它的身影。
直流電源的電能通過電刷和換向器進入電樞繞組,產(chǎn)生電樞電流,電樞電流產(chǎn)生的磁場與主磁場相互作用產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩,使電機旋轉(zhuǎn)帶動負載。
優(yōu)點:價格低、控制方便
缺點:由于電刷和換向器的存在,有刷電機的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,可靠性差,故障多,維護工作量大,壽命短,換向火花易產(chǎn)生電磁干擾。
2.步進電機
步進電機就是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu);更通俗一點講:當(dāng)步進驅(qū)動器接收到個脈沖信號,它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度。我們可以通過控制脈沖的個數(shù)來控制電機的角位移量,從而達到精確定位的目的;同時還可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度,從而達到調(diào)速的目的。
優(yōu)點:控制簡單,低速扭矩大,成本低;
缺點:步進電機存在空載啟動頻率,所以步進電機可以低速正常運轉(zhuǎn),但若高于一定速度時就無法啟動,并伴有尖銳的嘯叫聲;同時,步進電機是開環(huán)控制,控制精度和速度都沒有伺服電機那么高。
3.伺服電機
伺服電機廣泛應(yīng)用于各種控制系統(tǒng)中,能將輸入的電壓信號(或者脈沖數(shù))轉(zhuǎn)換為電機軸上的機械輸出量,拖動被控制元件,從而達到控制目的。伺服電機系統(tǒng)見下圖。一般地,要求轉(zhuǎn)矩能通過控制器輸出的電流進行控制;電機的反應(yīng)要快、體積要小、控制功率要小。伺服電機主要應(yīng)用在各種運動控制系統(tǒng)中,尤其是隨動系統(tǒng)。
伺服電機有直流和交流之分,最早的伺服電機是一般的直流有刷電機,在控制精度不高的情況下,才采用一般的直流電機做伺服電機。當(dāng)前隨著永磁同步電機技術(shù)的飛速發(fā)展,絕大部分的伺服電機是指交流永磁同步伺服電機或者直流無刷電機。
優(yōu)點:可使控制速度,位置精度非常準(zhǔn)確,效率高,壽命長。
缺點:控制復(fù)雜,價格昂貴,需要專業(yè)人士才能控制。
4.無刷直流電機
直流無刷電機與伺服電機有類似的優(yōu)缺點。BLDC電機比PMSM電機造價便宜一些,驅(qū)動控制方法簡單一些。
5.直流減速電機
減速電機的重要參數(shù)
電機線圈是有銅導(dǎo)線繞線而成的,所以其電機電樞繞組電阻一般都是非常小這樣回路中電流一般都是比較大的。這對我們電機驅(qū)動設(shè)計有很大的影響。
6.直流減速電機驅(qū)動設(shè)計
如果不需要正反轉(zhuǎn)控制(單向旋轉(zhuǎn)),可以用下圖驅(qū)動電路,實現(xiàn)電機單向控速。
◆當(dāng)開關(guān)A和D閉合、B和C斷開時直流電機正常旋轉(zhuǎn),記該旋轉(zhuǎn)方向為正方向。
7.H橋電路分析
驅(qū)動電機時,保證H橋兩個同側(cè)的MOS管不會同時導(dǎo)通非常重要,如果MOS管Q1和Q2同時導(dǎo)通,那么電流就會從電源正極穿過兩個MOS管直接回到負極,此時電路中除了MOS管外沒有其它任何負載,因此電路上的電流就達到最大值,燒壞MS管和電源。Q3和Q4同時導(dǎo)通是同樣的道理。
簡單的開關(guān)只能控制電機正反轉(zhuǎn),引入PWM控制可以實現(xiàn)方向和速度調(diào)節(jié)。調(diào)節(jié)占空比實現(xiàn)控速,占空比越大平均電壓(電流)越大,速度越快PWM頻率一般在10KHz~20KHz之間。頻率太低會導(dǎo)致電機轉(zhuǎn)速過低,噪聲較大。頻率太高,會因為MOS管的開關(guān)損耗而降低系統(tǒng)的效率。
1.受限單極模式
優(yōu)點:控制電路簡單。
缺點:不能剎車,不能能耗制動,在負載超過設(shè)定速度時不能提供向力矩。調(diào)速靜差大,調(diào)速性能很差,穩(wěn)定性也不好。
2.單極模式
優(yōu)點:啟動快,能加速,剎車,能耗制動,能量反饋,調(diào)速性能不如雙極模式好,但是相差不多,電機特性也比較好。在負載超速時也能提供反向力矩。
缺點:剎車時,不能減速到0,速度接近0速度時沒有制動力。不能突然倒轉(zhuǎn)。動態(tài)性能不好,調(diào)速靜差稍大。
PWM和PWMN是互補的PWM信號,一般用高級控制定時器的通道和互補通道控制。在PWM為高電平時:MOS管1和4都導(dǎo)通,MOS管2和3都截止,電流從電源正極,經(jīng)過MOS管1,從左到右流過電機、然后經(jīng)過MOS管4流入電源負極。在PWM為低電平時:MOS管2和4都導(dǎo)通,MOS管1和3都截止,根據(jù)楞次定律,存在自感電動勢,電流還是從左到右流過電機,經(jīng)過MOS管4和MOS管2形成電流回路。
3.雙極模式
優(yōu)點:能正反轉(zhuǎn)運行,啟動快,調(diào)速精度高,動態(tài)性能好,調(diào)速靜差小,調(diào)速范圍大,能加速,減速,剎車,倒轉(zhuǎn),能在負載超過設(shè)定速度時,提供反向力矩,能克服電機軸承的靜態(tài)摩擦力,產(chǎn)生非常低的轉(zhuǎn)速。
缺點:控制電路復(fù)雜。在工作期間,4個MOS管都處于工作狀態(tài),功率損耗大,電機容易發(fā)燙。
4.H橋硬件電路設(shè)計
H橋中一般使用4個N型MOS管來搭建。不用2個N型MOS管+2個P型MOS管的原因是:P型MOS管難做到高耐壓大電流的型號,導(dǎo)通電阻大。同樣性能的MOS,N型比P型便宜。
對于NMOS,當(dāng)外部給的柵源極Vgs電壓大于芯片的Vgs閾值(大部分在2V-10V之間)時,漏極D和源極S之間直接導(dǎo)通。如果外部給的Vgs電壓小于閾值,漏極D和源極S之間截止。
簡單認為,就是一個由柵極G電壓控制的一個開關(guān)。
假設(shè)圖中N-MOS管的Vgs閾值為3V,VCC=24V。
上橋臂Q1 MOS管無法直接使用STM32芯片引腳使其導(dǎo)通,因為假設(shè)Q1導(dǎo)通,漏極D和源極S電壓幾乎相等(Rds非常小),即VA=VCC=24V,這樣要求Vg>=VA+Vgs=27V。簡單來說就是,Vg大于27V,Q1導(dǎo)通,小于27V,Q1截止。所以就需要一個這樣的電路:把STM32的3.3VPWM信號升壓到27V電壓上,這個電路可以用自舉電路來實現(xiàn)。
上橋臂驅(qū)動:自舉電路
實際電路設(shè)計中,一般把Vgs設(shè)置為10~20V,因為這樣保證MOS管完全導(dǎo)通。
5.半橋驅(qū)動芯片IR2104S
所謂半橋驅(qū)動芯片,便是一塊驅(qū)動芯片只能用于控制H橋一側(cè)的2個MOS管。因此采用半橋驅(qū)動芯片時,需要兩塊該芯片才能控制一個完整的H橋。
相應(yīng)的,全橋驅(qū)動芯片便是可以直接控制4個MOS管的導(dǎo)通與截止,一塊該芯片便能完成一個完整H橋的控制。
這里使用的IR2104便是一款半橋驅(qū)動芯片,因此在原理圖中可以看到每個H橋需要使用兩塊此芯片。
1.典型電路設(shè)計(來源于數(shù)據(jù)手冊)
2.引腳功能(來源于數(shù)據(jù)手冊)
VCC為芯片的電源輸入,手冊中給出的工作電壓為10~20V。
IN和SD作為輸入控制,可共同控制電機的轉(zhuǎn)動狀態(tài)(轉(zhuǎn)向、轉(zhuǎn)速和是否轉(zhuǎn)動)。
VB和VS主要用于形成自舉電路。
HO和LO接到MOS管柵極,分別用于控制上橋臂和下橋臂MOS的導(dǎo)通與截止。
COM腳直接接地即可。
3.自舉電路
此部分是理解該芯片的難點,需要進行重點講解。從上面的典型電路圖和最初的設(shè)計原理圖中均可發(fā)現(xiàn):該芯片在Vcc和VB腳之間接了一個二極管,在VB和VS之間接了一個電容。這便構(gòu)成了一個自舉電路。
因為下橋臂MOS源極接地,想要導(dǎo)通只需要令其柵極電壓大于開啟電壓Vth。而上橋臂MOS源極接到負載,如果上橋臂MOS導(dǎo)通,那么其源極電壓將上升到H橋驅(qū)動電壓也就是MOS的供電電壓,此時如果柵極對地電壓不變,那么Vgs可能小于Vth,又關(guān)斷。因此想要使上橋臂MOS導(dǎo)通,必須想辦法使其Vgs始終大于或一段時間內(nèi)大于Vth(即柵極電壓保持大于MOS管的電源電壓+Vth)。
自舉電路工作流程:
以下電路圖均只畫出半橋,另外一半工作原理相同因此省略。假定Vcc=12V,VM=7.4V,MOS管的開啟電壓Vth=6V(不用LR7843的2.3V)。
注意:因為此時電容在持續(xù)放電,壓差會逐漸減小。最后,電容正極對地電壓(即上橋臂MOS柵極對地電壓)會降到Vcc,那么上橋臂MOS的柵源電壓便≈Vcc-VM=12V-7.6V=4.4V< Vth=6V,高端MOS仍然會關(guān)斷。
但是,在對上面的驅(qū)動板進行實際測試時會發(fā)現(xiàn),不需要令其上下橋臂MOS輪流導(dǎo)通也可以正常工作,這是因為即使自舉電容放電結(jié)束,即上橋臂MOS的柵源電壓下降到4.4V仍然大于LR7843的Vth=2.3V。
那么在上述驅(qū)動板中,自舉電路就沒有作用了嗎?當(dāng)然不是,由于MOS管的特性,自舉電路在增加?xùn)旁碐電壓的同時,還可令MOS管的導(dǎo)通電阻Rds減小,從而減少發(fā)熱損耗,因此仍然建議采用輪流導(dǎo)通的方式,用自舉電容產(chǎn)生的大壓差使MOS管導(dǎo)通工作。
8.原理圖和PCB
End
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