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[導讀]羅姆(ROHM)半導體集團是全球最知名的半導體廠商之一。ROHM IGBT產品利用ROHM特有的溝槽柵、薄晶圓技術實現了低VCE(sat)、低開關損耗等特性。

羅姆(ROHM)半導體集團是全球最知名的半導體廠商之一。ROHM IGBT產品利用ROHM特有的溝槽柵、薄晶圓技術實現了低VCE(sat)、低開關損耗等特性。目前有第二代和第三代產品,第三代IGBT整體損耗更低,效率更高,元器件溫度更低。涵蓋650V/1200V、4A-50A多個規(guī)格,主流封裝,有車規(guī)級(AEC-Q101)產品。大量應用于車載壓縮機,電機市場,電源市場,空調冰箱等。

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主要產品及應用

第三代650V耐壓IGBT:兼?zhèn)涞蛡鲗p耗和高速開關特性。

這些產品非常適用于UPS(不間斷電源)、焊接機及功率控制板工業(yè)設備、空調、IH(感應加熱)等消費電子產品的通用變頻器及轉換器的功率轉換。

ROHM 650V/1200V 涵蓋4A-50A的工業(yè)、汽車級IGBT,VCE(sat)低至1.5V,開關tf 40ns!

羅姆半導體穿通型IGBT技術演化

650V IGBT RGTV和RGW產品系列

· 用于快速開關的RGTV系列,其短路耐受時間(SCWT)為2 μs;

· 用于更快速開關的RGW系列,主要針對SCWT不做要求的應用

RGTV和RGW產品系列特點:

1.實現業(yè)界頂級的低傳導損耗和高速開關性能

在本新系列產品中,利用薄晶圓技術使晶圓厚度比以往產品再薄15%,另外采用ROHM獨創(chuàng)的單元微細化結構,成功實現業(yè)界頂級的低導通損耗(VCE(sat)=1.5V)和高速開關特性(tf=30~40ns)。

ROHM 650V/1200V 涵蓋4A-50A的工業(yè)、汽車級IGBT,VCE(sat)低至1.5V,開關tf 40ns!

2.實現軟開關,減輕設備的設計負擔

通過元器件內部優(yōu)化,實現了ON/OFF順暢切換的軟開關。由此,開關時產生的電壓過沖與普通產品相比減少了50%,可減少用來抑制過沖的外置柵極電阻和緩沖電路等部件數量。使用IGBT時,應用端不再需要以往需要的過沖對策,有利于減輕設計負擔。

ROHM 650V/1200V 涵蓋4A-50A的工業(yè)、汽車級IGBT,VCE(sat)低至1.5V,開關tf 40ns!

完整產品系列如下表所示,羅姆IGBT型號的前部分為TC=100 °C時額定電流的兩倍。對于當前所有類別中有兩種芯片配置方式,即IGBT芯片單獨封裝或與快速恢復二極管(FRD)共同封裝。在RGTV系列中,FRD與IGBT具有相同的額定電流。RGW系列中的FRD的額定電流比IGBT的低,其FRD的額定電流如表中的括號內所示。這些器件的額定電流在TC=100 °C的情況下從30 A到80 A,并采用TO-247N(非隔離型)和TO-3PFM(隔離型)等封裝中,具體如下表所示:

650V IGBT RGTV系列:

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650V IGBT RGW系列:

ROHM 650V/1200V 涵蓋4A-50A的工業(yè)、汽車級IGBT,VCE(sat)低至1.5V,開關tf 40ns!

1200V耐壓IGBT:汽車級(AEC-Q101)、短路耐受時間為10μsec(Tj=25℃)

“RGS系列”產品

RGS系列產品實現了業(yè)界領先的低傳導損耗(Vce(sat.)),達到業(yè)界領先水平,非常適用于電動壓縮機的逆變器電路和PTC加熱器的開關電路,非常有助于應用的小型化與高效化。

此外,1200V耐壓產品的短路耐受時間為10μsec(Tj=25℃),即使在要求高可靠性的車載領域也可放心使用。

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RGS系列產品特點:

1. 業(yè)界領先的低傳導損耗

通過優(yōu)化器件結構,在1200V耐壓級別將傳導損耗(VCE(sat.))降至1.70V(typ Tj=25℃),與其他公司同等產品(1200V、40A產品)相比,傳導損耗改善了約10~15%。

尤其是在電動壓縮機和PTC加熱器中,由于驅動頻率較低,故對傳導損耗的重視程度高于開關特性,RGS系列的出色表現已經獲得客戶的高度好評。

2. 產品陣容豐富,滿足客戶多樣化需求

此次推出的四款1200V耐壓產品,加上量產中的650V耐壓產品,共11種機型。產品陣容中包括IGBT單品和續(xù)流二極管)內置型兩種類型的產品,客戶可根據需求自由選用。

ROHM 650V/1200V 涵蓋4A-50A的工業(yè)、汽車級IGBT,VCE(sat)低至1.5V,開關tf 40ns!

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