10月11日，中國領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)芯動(dòng)科技(INNOSILICON)官宣：已完成了全球首個(gè)基于中芯國際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過，這是過去數(shù)月工藝迭代和共同努力后獲得的里程碑成果。

“N+1”是中芯國際對其第二代先進(jìn)工藝的代號，其與現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

據(jù)官網(wǎng)信息，芯動(dòng)科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領(lǐng)軍企業(yè)，提供全球主流代工廠(臺積電/三星/格芯/中芯國際/聯(lián)華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等)，從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定制解決方案，尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋，是迄今為止國內(nèi)唯一具備兩家代工廠(臺積電、三星)5nm工藝庫和設(shè)計(jì)流片能力的技術(shù)提供商。

芯動(dòng)科技持續(xù)聚焦全球先進(jìn)工藝芯片IP和定制，擁有自主全系列高帶寬高性能計(jì)算IP技術(shù)，多次在先進(jìn)工藝上填補(bǔ)國內(nèi)空白，核心技術(shù)支持了全球客戶數(shù)十億顆高端SOC量產(chǎn)。

自2019年始，芯動(dòng)在中芯N+1工藝尚待成熟的情況下，團(tuán)隊(duì)全程攻堅(jiān)克難，投入數(shù)千萬元設(shè)計(jì)優(yōu)化，率先完成NTO流片。基于N+1制程的首款芯片經(jīng)過數(shù)月多輪測試迭代，助力中芯國際突破N+1工藝良率瓶頸。如今，芯動(dòng)科技基于國產(chǎn)N+1新工藝的率先里程碑NTO流片驗(yàn)證成功，為國產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。

21ic家此前也曾報(bào)道，中芯國際針對其N+1代工藝進(jìn)展曾公開回應(yīng)，中芯國際表示2020年底小批量試產(chǎn)N+1工藝。那可以預(yù)見N+1量產(chǎn)的時(shí)間也將不會(huì)太遠(yuǎn)了。