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[導(dǎo)讀]信號(hào)完整性在高速電路中有著至關(guān)重要的作用,而很多信號(hào)完整性問題需要用 「阻抗」的概念來解釋和描述。在高頻信號(hào)下,很多器件失去了原有的特性,如我們經(jīng)常聽到的“高頻時(shí)電阻不再是電阻,電容不再是電容”,這是咋回事呢?那就看今天的文章吧!

信號(hào)完整性在高速電路中有著至關(guān)重要的作用,而很多信號(hào)完整性問題需要用 「阻抗」的概念來解釋和描述。

在高頻信號(hào)下,很多器件失去了原有的特性,如我們經(jīng)常聽到的“高頻時(shí)電阻不再是電阻,電容不再是電容”,這是咋回事呢?那就看今天的文章吧!

??容抗的概念

電容有兩個(gè)重要特性,一個(gè)是隔直通交,另一個(gè)是電容電壓不能突變,先來看一下百度百科對(duì)容抗的解釋。

簡(jiǎn)單說,雖然交流電能通過電容,但是不同頻率的交流電和不同容值的電容,通過時(shí)的阻礙是不一樣的,把這種阻礙稱之為容抗。

容抗與電容和頻率的大小成反比,也就是說,在相同頻率下,電容越大,容抗越?。辉谙嗤娙菹?,頻率越高,容抗越小。

如何理解容抗與電容大小和頻率成反比呢?

以RC一階低通濾波器舉例。

Vin通過R1電阻對(duì)電容C1進(jìn)行充電,Vin的電勢(shì)加在電容C的兩個(gè)金屬極板上,正負(fù)電荷在電勢(shì)差作用下分別向電容的兩個(gè)極板聚集而形成電場(chǎng),這稱「充電」過程。

若將Vin拿掉,在Vout上加一個(gè)負(fù)載R2(青色部分),電容兩端的電荷會(huì)在電勢(shì)差下向負(fù)載流走,這稱為「放電」過程。(流過電容的電流并不是真正穿過了極板的絕緣介質(zhì),指的是外部的電流)

衡量電容充電的電荷數(shù)為Q,Q=CV,其中C是常量,所以電荷數(shù)和電壓呈正比。

C=Q/V,電容量代表了電容儲(chǔ)存電荷的能力,微分表達(dá)式為:

電流是單位時(shí)間內(nèi)電荷數(shù)的變化量:


結(jié)合(1)和(2)兩個(gè)公式可得到:


從公式可以看出:電容上的電流和電壓的變化量成正比,或者說電容上電壓的變化量和電流是成正比的。

即在電壓一定時(shí),電容越大,單位時(shí)間內(nèi)電路中充、放電移動(dòng)的電荷量越大,電流越大,所以電容對(duì)交變電流的阻礙作用越小,即容抗越小。

在交變電流的電壓一定時(shí),交變電流的頻率越高,電路中充、放電越頻繁,單位時(shí)間內(nèi)電荷移動(dòng)速率越大,電流越大,電容對(duì)交變電流的阻礙作用越小,即容抗越小。

容抗用 表示,公式如下,其中 是頻率, 是容值

因?yàn)椋?span style="cursor: pointer;"> ),所以容抗也可以用如下的公式表示:


我們接著往下看一看感抗的概念。


?? 感抗的概念


如下是百度百度對(duì)感抗的解釋,電感的特性是隔交通直,與電容是相反的; 所以說容抗和感抗的性質(zhì)和效果幾乎正好相反,而電阻則處在這兩個(gè)極端中間。

感抗與電感的大小和頻率成正比,也就是說,在相同頻率下,電感越大,感抗越大;在相同電感下,頻率越大,感抗越大。

感抗用 表示,公式如下,其中 是信號(hào)頻率, 是感值

因?yàn)椋?span style="cursor: pointer;"> ),所以感抗的公式可以用如下表示:

感抗和容抗又被稱為電抗,電路的總的阻抗Z由電阻R和電抗X組成。

掌握了預(yù)備知識(shí),我們?cè)賮砜措娮?、電容和電感的?shí)際等效模型。

理想的電阻、電容和電感就是如下的這樣子,在實(shí)際中并不存在,電阻里面會(huì)有寄生電容和寄生電感在,在電容里面會(huì)有寄生電阻和寄生電感的存在,在電感里面有寄生電阻和寄生電容。

??理想電阻器

理想電阻的阻抗即為阻值R:

??電阻實(shí)際等效模型

電阻上會(huì)存在寄生并聯(lián)電容C寄生串聯(lián)電感L的存在。

根據(jù)上圖可得電阻的實(shí)際等效阻抗為:



化簡(jiǎn)可得:



實(shí)際電阻器的阻抗和頻率曲線,有兩個(gè)節(jié)點(diǎn),分別為 頻率小于 時(shí),呈現(xiàn)電阻特性,在 之間,呈現(xiàn)電容減少阻抗,頻率大于 ,呈現(xiàn)電感增加阻抗的特性。

f1和f2分別對(duì)應(yīng)RC濾波器的截止頻率點(diǎn)和容抗和感抗相等時(shí)的頻率點(diǎn)。

??理想電容器

理想電容器阻抗如下圖所示,和頻率呈反比,隨著頻率的增加,阻抗逐漸減小,由于理想電容器中無(wú)損耗,等效串聯(lián)電阻ESR為零。

理想電容器的阻抗Z公式為:

??電容實(shí)際等效模型

理想的電容器在實(shí)際中是不存在的,電容的實(shí)際模型是一個(gè)ESR串聯(lián)一個(gè)ESL,再串聯(lián)一個(gè)電容,ESR是等效串聯(lián)電阻,ESL是等效串聯(lián)電感,C是理想的電容。

所以上述模型的復(fù)阻抗為:



針對(duì)以上公式(公式較長(zhǎng),左滑看全部):

  • 時(shí),電容器表現(xiàn)為容性。

  • 時(shí),電容器表現(xiàn)為感性,因此會(huì)有一句話叫高頻時(shí)電容不再是電容,而呈現(xiàn)為電感,這個(gè)電感不是說電容變成了電感,而是指此時(shí)的電容擁有了與電感類似的特性。

  • 時(shí),此時(shí)容抗矢量等于感抗矢量,電容的總阻抗最小,表現(xiàn)為純電阻特性,此時(shí)的f稱為電容的自諧振頻率。

自諧振頻率點(diǎn)是區(qū)分電容是容性還是感性的分界點(diǎn),高于諧振點(diǎn)時(shí),“電容不再是電容”,因此退耦作用將下降。實(shí)際電容器都有一定的工作頻率范圍,在工作頻率范圍內(nèi),電容才具有很好的退耦作用。ESL是電容在高于自諧振頻率點(diǎn)之后退耦功能被消弱的根本原因。

下圖是實(shí)際電容器的頻率特性。

??理想電感器

理想電感的阻抗為:


??電感實(shí)際等效模型


電感器的等效模型和電阻是一樣的,如下所示:

阻抗計(jì)算公式和電阻也是一樣的,即:



從下圖和公式可以看出,理想的電感的阻抗是隨著頻率的增加而變大的。

等效電感的阻抗圖呈一個(gè)倒V型,正好和電容相反,倒V的最高點(diǎn)稱為電感的自諧振點(diǎn)。

當(dāng)系統(tǒng)阻尼R提供的衰減不足時(shí),容抗和感抗相互抵消,能量在LC間來回傳遞,這就是諧振。

  • 頻率低于自諧振頻率SRF時(shí),電感感抗隨著頻率增加而增加。
  • 頻率等于自諧振頻率SRF時(shí),電感感抗達(dá)到最大。
  • 頻率高于自諧振頻率SRF時(shí),電感感抗隨著頻率增加而減少。

電感自諧振頻率SRF部分不做過多贅述,在后續(xù)的電感選型文章中會(huì)重點(diǎn)介紹。

??總結(jié)

理想的電阻、電容和電感在實(shí)際中不存在,都會(huì)存在寄生參數(shù),從而在不同的頻率下,表現(xiàn)出的特性不同,只有在特定的頻率范圍內(nèi)才能發(fā)揮出其本身的特性。

天的文章內(nèi)容到這里就結(jié)束了,希望對(duì)你有幫助,我們下一期見,記得點(diǎn)贊/在看/轉(zhuǎn)發(fā)喲~



-END-


來源 | 記得誠(chéng)電子設(shè)計(jì)

作者?| 記得誠(chéng)


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電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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