無(wú)須EUV光刻機(jī)，中芯國(guó)際N+1代工藝年底試產(chǎn)
[導(dǎo)讀]華為被禁之后，國(guó)產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。作為中國(guó)最大，技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠家，中芯國(guó)際被寄予厚望。
出品 21ic中國(guó)電子網(wǎng) 王麗英
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華為被禁之后，國(guó)產(chǎn)替代成了半導(dǎo)體企業(yè)關(guān)注的重點(diǎn)。作為中國(guó)最大，技術(shù)最先進(jìn)的半導(dǎo)體代工廠家，中芯國(guó)際被寄予厚望。
近日有媒體報(bào)道稱，在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后，中芯國(guó)際的N+1代工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2021年進(jìn)入量產(chǎn)。
對(duì)此，中芯國(guó)際回應(yīng)稱，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。
在沒(méi)有使用EUV光刻機(jī)的情況下，中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)了14nm以下的先進(jìn)制造工藝，不能不說(shuō)是一個(gè)突破性進(jìn)展。
據(jù)了解，中芯國(guó)際目前在國(guó)內(nèi)四個(gè)城市擁有多家晶圓廠，分別是上海的8英寸晶圓廠和12英寸晶圓廠，北京亦莊的12英寸晶圓廠一期和二期，天津和深圳各有一座8英寸晶圓廠。
作為一家純代工企業(yè)，中芯國(guó)際目前可以向全球客戶提供從0.35微米到14納米工藝的代工生產(chǎn)服務(wù)，同時(shí)，還可以為客戶提供從生產(chǎn)、封裝到測(cè)試的一體化全方位晶圓代工解決方案。目前，中芯國(guó)際的工藝技術(shù)主要分為三類：先進(jìn)邏輯技術(shù)(14納米、在研的N+1代工藝等)、成熟邏輯技術(shù)(28nm，40nm ，65nm/55nm ，90nm,0.13/0.11μm,0.18μm,0.35μm等），特殊工藝(Analog&Power ，DDIC ，IGBT ，eNVM，NVM，Mixed Signal&RF，MEMS，IoT Solutions，Automotive等）。
21ic家注意到，在中芯國(guó)際的先進(jìn)邏輯技術(shù)中，N+1代工藝是中芯國(guó)際對(duì)其第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)，但并未明確具體數(shù)字節(jié)點(diǎn)。不過(guò)從中芯國(guó)際透露的數(shù)據(jù)來(lái)看，其N+1代工藝比14nm工藝性能提升了20%、功耗降低57%、邏輯面積縮小63%、SoC面積縮小55%。N+1代工藝的制程節(jié)點(diǎn)正在追趕7nm制程，因?yàn)閺钠湫酒娣e縮小一半這個(gè)數(shù)據(jù)來(lái)看，晶體管的集成度提升了一倍，而臺(tái)積電從14nm到7nm工藝也就提升了1倍的密度。
按照中芯國(guó)際的回應(yīng)，2020年底小批量試產(chǎn)N+1工藝，那可以預(yù)見(jiàn)量產(chǎn)也就不遠(yuǎn)了，高端晶圓代工的國(guó)產(chǎn)替代指日可俟矣！
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