FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在當(dāng)前的晶圓代工領(lǐng)域可謂是大放異彩的核心技術(shù)，臺(tái)積電甚至打算一路用到3nm時(shí)代。

不過(guò)，不為認(rèn)知的是，三星在過(guò)去4年的時(shí)間內(nèi)，深陷FinFET專利侵權(quán)案中，直到最近才了結(jié)。

官司的原告是韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST），其在2001年在美國(guó)和韓國(guó)提交了FinFET技術(shù)相關(guān)專利，由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院與首爾大學(xué)教授Lee Jong-ho合作開(kāi)發(fā)。

2016年11月29日的時(shí)候，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院在美國(guó)德克薩斯對(duì)三星、高通和格芯（GlobalFounderies）提起了FinFET專利侵權(quán)訴訟。據(jù)說(shuō)，Intel是乖乖交過(guò)了相關(guān)“保護(hù)費(fèi)”。

2018年6月和2019年2月，KAIST先后兩次起訴三星，聲稱后者生產(chǎn)的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手機(jī)應(yīng)用處理器均涉侵權(quán)之列，要求4億美元賠償。今年2月，法院判令三星賠償2億美元。

目前，該案已和解，和解細(xì)節(jié)不詳。

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來(lái)源：快科技

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