近年來，RF領域毫米波頻帶的技術發(fā)布激增，在今年的發(fā)布中，除了電路技術本身的進步之外，支持新用途的方案以及只有毫米波才能實現(xiàn)的電路技術方案備受關注。在Session 23“mm-Wave Transceivers，Power Amplifiers & Sources”上，索尼、美國加州理工學院（California InsTItute of Technology）共同發(fā)布了連接輸入輸出設備用56GHz收發(fā)電路，美國加州大學伯克利分校（UC Berkeley）、意大利帕多瓦大學（University of Padova）和意法半導體（STMicroelectronics）共同提出了用開關控制片上天線的90GHz頻帶發(fā)送電路，除了這些新系統(tǒng)的方案之外，德國烏泊塔爾大學（University of Wuppertal）還發(fā)布了160GHz頻帶收發(fā)電路和成像陣列用650GHz接收電路，會上共有9項發(fā)布。

在一開始索尼的技術發(fā)布（演講序號23.1）中，報告了可用56GHz頻帶近距離無線通信實現(xiàn)用于連接高清電視等設備的11Gbit/秒數(shù)據(jù)傳輸速度。40nm工藝CMOS收發(fā)電路和基于引線鍵合（Wire Bonding）的天線，在6.4pJ/bit的電力條件下，實現(xiàn)了1.4cm距離范圍內(nèi)的通信。“相對于有線傳輸方式在數(shù)據(jù)轉發(fā)速度提高時，因充放電容量較大，會受到低功耗的限制而言，無線傳輸方式更有利于降低功耗”，這一觀點在會場引發(fā)了熱烈的討論，體現(xiàn)了對這一領域的關注度之高。

德國烏泊塔爾大學的發(fā)布（演講序號23.2）報告了使用0.13μm工藝SiGe BiCMOS技術的160GHz頻率正交型直接變頻收發(fā)電路。振蕩器可使其在相當于收發(fā)頻率1/3的52GHz到55GHz之間振蕩，提高3倍之后產(chǎn)生局域信號。

芬蘭赫爾辛基理工大學（Helsinki University of Technology）發(fā)布的技術（演講序號23.3），與采用65nm工藝CMOS技術的77-94GHz頻帶8GHz IF信號圖象載頻抑制（Image RejecTIon）型發(fā)送電路有關。輸出功率為6.6dBm時，圖像載頻抑制量達到了15-20dB。

加州大學伯克利分校等發(fā)布了醫(yī)療用脈沖雷達發(fā)送電路（演講序號23.4）。該電路采用了0.13μm工藝BiCMOS技術，對90GHz的載波進行脈沖調(diào)制時，除了可啟功率放大器之外，片上天線也設置了開關，實現(xiàn)了35ps的脈沖。該技術方案充分利用了天線也可片上化的毫米波頻帶特點。

意大利摩德納雷焦艾米利亞大學（University of Modena and Reggio Emilia）等發(fā)布了以115GHz的頻率工作，調(diào)諧范圍可寬達13.1％的注入鎖定（InjecTIon Lock）型2倍頻電路（演講序號23.5）。通過采用Push-Push型電路，以及充分確保注入信號的方法，使調(diào)諧范圍達到了原來的3～5倍。

此外，還有接連3項60GHz頻帶放大器技術發(fā)布。首先臺灣聯(lián)發(fā)科技（MediaTek）和美國IBM發(fā)布了采用65nm工藝CMOS技術，可在1V電源下輸出17.9dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.6）。這種放大器采用前級兩并聯(lián)、中級及后級四并聯(lián)的3級構成，合波器由轉換器構成。

美國加州大學戴維斯分校（University of California Davis）發(fā)布了采用90nm工藝CMOS技術，可在1.2V電源下輸出19.9dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.7）。這種放大器采用前級、2級兩并聯(lián)、3級及后級四并聯(lián)的4級構成，分波器和合波器全部采用Wilkinson型電路。

意法半導體等發(fā)布了可在1.2及1.8V電源下輸出18.1dBm功率的60GHz頻帶放大器（演講序號23.8）。這種放大器由8個采用2級構成的單個放大器并聯(lián)而成。2級構成的單個放大器為差分放大器，可由轉換器進行信號差分轉換，實現(xiàn)各級之間的統(tǒng)一。

最后，烏泊塔爾大學發(fā)布了與適用THz成像的650GHz接收電路有關的技術（演講序號23.9）。這種電路采用了0.13μm工藝SiGe BiCMOS，可在雙極晶體管中添加650GHz信號和頻率約為其1/4的信號，從而產(chǎn)生100MHz頻帶IF信號。轉換增益為-13dB，噪聲指數(shù)為42dB。盡管電路的基本運行仍在確認，但該大學對650GHz頻率的挑戰(zhàn)值得一提。

從整體來看，各項技術的模擬數(shù)據(jù)和實測數(shù)據(jù)均非常一致，令人感到毫米波頻帶技術設計精度的不斷提高。另外，受益于設計精度的提高，尤其是被動元件設計的不斷進步，正如序號為23.6、23.7及23.8所描述的那樣，與原來相比，對最大輸出功率的提高作出了貢獻。要實現(xiàn)毫米波系統(tǒng)，雖然需要集成電路設計的進步，但同樣需要包含封裝技術在內(nèi)的相關技術不斷進步。與去年相同，今年也發(fā)布了很多片上評測技術，期待今后能夠發(fā)布更多包含封裝技術在內(nèi)的相關技術。