光通信器件是光通信系統(tǒng)的核心基礎(chǔ)，是光傳輸系統(tǒng)的重要器件，其技術(shù)是光通信領(lǐng)域中具有前瞻性、先導(dǎo)性和探索性的戰(zhàn)略必爭高技術(shù)，該技術(shù)代表一個國家在光通信領(lǐng)域的水平能力。本文首先介紹了中國光通信器件的發(fā)展史以及中國光器件技術(shù)和行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，其次闡述了中國光通信器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)，最后介紹了光通信器件的發(fā)展趨勢以及發(fā)展我國光通信器件的建議，具體的跟隨小編一起來了解一下。

　　光器件分為有源器件和無源器件。光有源器件是光通信系統(tǒng)中將電信號轉(zhuǎn)換成光信號或?qū)⒐庑盘栟D(zhuǎn)換成電信號的關(guān)鍵器件，是光傳輸系統(tǒng)的心臟，主要包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、激光二極管（LD）、光電二極管（PIN）、雪崩光電二極管（APD）、摻鉺光纖放大器（EDFA）、拉曼光放大器及調(diào)制器等。光無源器件是光通信系統(tǒng)中需要消耗一定能量、但沒有光電或電光轉(zhuǎn)換的器件，是光傳輸系統(tǒng)的關(guān)鍵節(jié)點，主要包括光纖連接器、耦合器、波分復(fù)用器、光開關(guān)、光衰減器和光隔離器等。

　　1） 光有源器件發(fā)展史

　　中國光有源器件的研究始于20世紀70 年代。當時西方國家根據(jù)所謂“巴統(tǒng)”規(guī)定，對中國進行高新技術(shù)的封鎖和禁運，于是，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、武漢郵電科學(xué)研究院、中國電子科技集團第44研究所、第13研究所，自力更生，研制了波長為850 nm的短波長激光器。此后，這些單位又開發(fā)了波長為1310和1550 nm的長波長激光器，滿足了中國光通信起步階段的需要。

　　1993 年之前，中國光通信所需的光有源器件，基本上由國內(nèi)生產(chǎn)商提供，以致西方國家認識到在有源器件等方面再用“巴統(tǒng)”規(guī)定，對中國進行技術(shù)封鎖和禁運，反而會失去中國的巨大市場，得不償失，于是只得宣告“巴統(tǒng)”規(guī)定失效，國外的光有源器件開始大量涌入中國市場。

　　隨著光通信技術(shù)的迅速發(fā)展，對光有源器件的技術(shù)要求愈來愈高。雖然中國有關(guān)單位做出很大努力，跟蹤世界潮流，取得了量子阱半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)的突破，分布反饋（DFB）半導(dǎo)體激光器等先進器件的實驗室水平也有很大提高，但由于投入的人力和物力遠遠不足，與國際先進水平的差距日顯拉大。

　　目前，中國只有少數(shù)幾家單位能自主生產(chǎn)激光器和探測器管芯，而且僅限于10 Gbit/s以下速率的管芯。中國光通信設(shè)備和系統(tǒng)所需的高速率管芯、單元器件及摻鉺光纖均需要進口，有源器件公司大都購買國外管芯做器件、購買國外的器件做模塊、購買國外的摻鉺光纖做放大器組裝，光通信設(shè)備公司購買國外的模塊做系統(tǒng)。

　　2） 光無源器件的發(fā)展歷史

　　中國開展光無源器件的研究，是從20世紀70年代后期隨著光纖技術(shù)的出現(xiàn)而開始的。當時光纖的連接是光纖通信必須解決的6大問題之一，此外還要解決分路、開關(guān)及波長復(fù)用等問題。于是，中國電子科技集團第23研究所、武漢郵電科學(xué)研究院固體器件研究所（現(xiàn)武漢光訊科技股份有限公司）和中國電子科技集團第34研究所等單位，白手起家，致力于全光纖結(jié)構(gòu)和微光學(xué)分立元件組合型的研究，開發(fā)了多模光纖連接器、拼接型和熔融拉錐型的光耦合器和機械式光開關(guān)等產(chǎn)品，滿足了當時短波長和長波長多模光纖通信研究的需求。

　　此后，光通信進入單模長波長階段并開始大量應(yīng)用，對光無源器件不僅技術(shù)上的要求更高，而且在數(shù)量上也與日俱增，迫切要求產(chǎn)業(yè)化。在光連接器方面首先引進了光學(xué)定心切削加工的APT 連接器生產(chǎn)線，滿足了國內(nèi)單模光通信發(fā)展初期的需求。此后隨著陶瓷套管大批量生產(chǎn)技術(shù)的成功，光連接器的質(zhì)量有了進一步的提高，而且易于裝配，于是出現(xiàn)眾多組裝散件生產(chǎn)連接器的公司。在光纖耦合器方面，引進了由微機控制的熔融拉錐設(shè)備，使耦合器的生產(chǎn)變得十分簡單；更為可喜的是，通過理論研究和實踐探索，同一臺設(shè)備上可以生產(chǎn)出各種寬帶耦合器和雙波長的波分復(fù)用器，產(chǎn)品性能優(yōu)良，于是形成了光耦合器的產(chǎn)業(yè)。當前，中國光通信系統(tǒng)中所用的光連接器和光耦合器絕大部分都是國產(chǎn)的。

　　當時，初看起來光無源器件的產(chǎn)業(yè)似乎比光有源器件發(fā)展快，但是在這輝煌的背后，還存在一些問題。如光纖連接器用陶瓷套管的毛坯還需要進口，光纖連接器技術(shù)的自主知識產(chǎn)權(quán)幾乎為零。到了20世紀末、21世紀初，隨著光纖接入網(wǎng)、密集波分復(fù)用系統(tǒng)和全光通信網(wǎng)的發(fā)展，現(xiàn)有的能進行大批量生產(chǎn)的光無源器件已不能完全滿足需要。例如，高光纖密度的配線架要求小型化光纖連接器、熔融拉錐設(shè)備無法生產(chǎn)密集型波分復(fù)用器、傳統(tǒng)小端口數(shù)的光開關(guān)不能級聯(lián)形成大端口數(shù)的矩陣光開關(guān)等。這些問題迫使人們不能停留在低端產(chǎn)品的生產(chǎn)和競爭上，必須研制高端的光無源器件產(chǎn)品，以滿足光纖通信發(fā)展的需求。針對這些問題，一些單位經(jīng)過努力，如引進小型光連接器的組裝夾具、采用微光器件的結(jié)構(gòu)研制了可以復(fù)用幾路、甚至十幾路的密集波分復(fù)用器。但要解決幾十路以上的波分復(fù)用和大端口數(shù)的矩陣光開關(guān)問題，只能采用光子集成器件。目前，中國無源器件的水平與國外的差距不大，甚至達到國際領(lǐng)先水平。

　　中國十分重視光通信器件的研發(fā)，通過國家高新技術(shù)發(fā)展計劃安排專題，組織技術(shù)攻關(guān)，跟蹤國際先進技術(shù)等措施的實施，極大地推動了光通信器件的研究開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作。從國家到省市各級政府充分調(diào)動各種資源，積極營造了良好的發(fā)展環(huán)境和條件，在技術(shù)開發(fā)和產(chǎn)品開發(fā)領(lǐng)域，中國的企業(yè)已經(jīng)掌握了大批關(guān)鍵技術(shù)，某些項目的研發(fā)能力已接近國際先進水平，具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端光通信器件技術(shù)與產(chǎn)品已在光網(wǎng)絡(luò)中得到廣泛應(yīng)用，光器件產(chǎn)業(yè)逐漸向中國轉(zhuǎn)移，中國已成為全球光器件的重要生產(chǎn)銷售基地。但在產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)和產(chǎn)業(yè)整體水平上與國際先進水平還有很大差距。中國在光器件領(lǐng)域遠遠落后于歐、美、日等國家，居前10位的光器件供應(yīng)商中，只有武漢光迅科技股份有限公司排在全球第5位，僅占全球市場份額的5%（圖5），其他中國廠商的市場份額均非常小，絕大多數(shù)不到1%。面對擁有全球最大光通信市場、最完整產(chǎn)業(yè)鏈、優(yōu)質(zhì)光系統(tǒng)設(shè)備廠商的中國市場，這樣的市場份額顯然是不相匹配的。

　　圖5 2015 年全球光電子器件企業(yè)排名

　　在通信光電子器件的基礎(chǔ)理論研究方面，中國與國外先進水平相比差距不大。但關(guān)鍵工藝技術(shù)的好壞和裝備條件平臺的薄弱是制約中國通信光電子器件研究開發(fā)和可持續(xù)發(fā)展的“瓶頸”，在相關(guān)器件的關(guān)鍵技術(shù)方面的突破與掌握能力、器件工藝的研究和創(chuàng)新能力、工藝技術(shù)研究的關(guān)鍵裝備條件水平等方面與國際先進水平存在一定差距。

　　雖然中國關(guān)于通信光電子材料、芯片與集成技術(shù)的基礎(chǔ)理論研究和基礎(chǔ)工藝在高等院校和一些專門的研究院所開展得較為充分，但同樣由于工藝技術(shù)和裝備條件水平的限制，一些基礎(chǔ)理論與工藝的研究與實際應(yīng)用嚴重脫節(jié)，缺乏足夠的針對性和實際指導(dǎo)意義，導(dǎo)致國內(nèi)前沿研究成果多、而成果轉(zhuǎn)化和推廣應(yīng)用少的矛盾十分突出，中國通信光電子器件的“空芯化”問題非常嚴重。而且與國外先進水平相比，近年來有差距越來越大的危險趨勢。

　　光通信市場需求高漲也帶來了對上游芯片產(chǎn)品的需求。中國市場的光通信芯片主要依賴其他國家供應(yīng)商。目前，在芯片領(lǐng)域已經(jīng)有少數(shù)中國企業(yè)取得了突破，武漢光迅科技股份有限公司和河南仕佳光子科技有限公司能提供商用無源AWG及Splitter芯片；武漢光迅科技股份有限公司、海信集團有限公司、華工正源光子技術(shù)有限公司能生產(chǎn)10 Gbit/s 以下速率的有源芯片，但25 Gbit/s有源芯片，包括VCSEL、DFB、EML、PIN、APD，全部依靠進口。華為技術(shù)有限公司、中興通訊股份有限公司等設(shè)備廠商及一些領(lǐng)先的光器件企業(yè)也在進行芯片研制。中國在芯片領(lǐng)域取得了一定的突破，但是還沒有形成規(guī)模，以中低端芯片為主。由于在光通信芯片方面主要依賴進口，因此中國光器件企業(yè)在市場需求高漲的同時利潤空間并不大，芯片成為下游企業(yè)競爭力的一個制約因素。中國光通信芯片產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展可能會是來自下游的光器件和系統(tǒng)企業(yè)向上游延伸發(fā)展，垂直整合，研制芯片。在上游的芯片和下游的系統(tǒng)設(shè)備領(lǐng)域均比較集中的情況下，光器件廠商有較強的動力向上游拓展，一些實力較強的光器件廠商將會在上游取得突破。

　　中國的光電子器件企業(yè)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端核心技術(shù)不多，對國外芯片和特種材料的依賴性較大，具有核心競爭能力的產(chǎn)品較少，企業(yè)整體實力仍然偏弱，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不夠合理，同質(zhì)化嚴重，所提供的產(chǎn)品也多集中在中低端，產(chǎn)品附加值不高，國際市場競爭能力和盈利能力還有待提高。雖然有些器件制造企業(yè)具有一定的生產(chǎn)規(guī)模，但是產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的技術(shù)和工藝基礎(chǔ)較為薄弱，不少企業(yè)不得不依靠在中低端產(chǎn)品方面的惡性價格競爭和低廉的勞動力成本來艱難地維持生存，并逐漸淪為缺乏核心技術(shù)、沒有自主品牌、給其他國家公司打工的OEM工廠。在技術(shù)含量和附加值較高的如10 Gbit/s以上速率的有源光器件、100 Gbit/s光模塊等高速產(chǎn)品方面，核心技術(shù)缺失，商用化進程緩慢，真正具備材料外延生長、管芯制作等全套工藝線及從芯片到器件、到模塊垂直集成能力的企業(yè)屈指可數(shù)。上游材料和芯片的薄弱導(dǎo)致相應(yīng)的光器件、組件及模塊發(fā)展受到制約，采購渠道受日、美等國家控制。此外，一些國際知名光器件及芯片企業(yè)為了降低成本和把握中國快速增長的市場需求，紛紛將研發(fā)、生產(chǎn)、封裝測試及銷售環(huán)節(jié)向中國轉(zhuǎn)移，進一步擠壓了中國企業(yè)的市場空間［6］。

　　對于高端光器件技術(shù)，基本上都掌握在國外廠商手中，中國的光通信廠商雖然也在加強這方面的研發(fā)投入，但是與國際主流器件商的差距依然很大。100 G高端器件幾乎全部依賴進口，包括集成可調(diào)諧激光器組件ITLA（integrable tunable laser assembly）、集成相干發(fā)射機ICT（integrated coherent transmitter）、集成相干接收機ICR（integrated coherent receiver）及100 G客戶側(cè)器件；智能光網(wǎng)絡(luò)用無色、無向、無阻塞的可重構(gòu)光分插復(fù)用器CDC ROADM （colorless/direcTIonless/contenTIonless reconfigurable opTIcal add/dropmulTIplexer）、波長選擇開關(guān)WSS（wavelength selective switch）、光交叉連接設(shè)備OXC（opticalcross connect）也主要依賴進口。中國高端技術(shù)和產(chǎn)品的缺乏還直接導(dǎo)致了中國光纖通信設(shè)備制造廠家（如華為技術(shù)有限公司、中興通訊股份有限公司、烽火等），不得不依靠大量進口高端器件來構(gòu)建系統(tǒng)設(shè)備，嚴重制約了這些設(shè)備企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域的國際競爭力，影響其在國際市場戰(zhàn)略地位的進一步提升和快速發(fā)展。

　　總之，中國光通信設(shè)備商所需的高端核心器件，幾乎完全依賴從美國、日本、歐洲進口；高端光電子器件所需的高速光電芯片也幾乎完全依賴進口，受制于其他國家芯片供應(yīng)商。作為光通信產(chǎn)業(yè)的核心一環(huán)，基礎(chǔ)芯片和器件供應(yīng)商的壯大，關(guān)系到中國光通信產(chǎn)業(yè)的整體競爭力，已成為制約中國光通信長足發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。

　　1、關(guān)鍵工藝技術(shù)能力和工藝平臺水平與國外相比存在較大的差距

　　在通信光電子器件的基礎(chǔ)理論研究方面，我國與國外先進水平相比差距不大。但關(guān)鍵工藝技術(shù)的好壞和裝備條件平臺的薄弱是制約我國通信光電子器件研究開發(fā)和可持續(xù)發(fā)展的“瓶頸”，我們在相關(guān)器件的關(guān)鍵技術(shù)方面的突破與掌握能力、器件工藝的研究和創(chuàng)新能力、工藝技術(shù)研究的關(guān)鍵裝備條件水平等方面與國外存在較大差距。雖然我國關(guān)于通信光電子材料、芯片與集成技術(shù)的基礎(chǔ)理論研究和基礎(chǔ)工藝在大學(xué)和一些專門的研究院所開展得較為充分，但同樣由于工藝技術(shù)和裝備條件水平的限制，一些基礎(chǔ)理論與工藝的研究與實際應(yīng)用嚴重脫節(jié)，缺乏足夠的針對性和實際指導(dǎo)意義。導(dǎo)致國內(nèi)前沿研究成果多、而成果轉(zhuǎn)化和推廣應(yīng)用少的矛盾十分突出，中國通信光電子器件的“空心化”問題非常嚴重。而且與國外先進水平相比，近年來有差距有越來越大的危險趨勢。

　　2、高端光電子器件方面的差距日益明顯

　　中國的通信光電子器件企業(yè)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的高端核心技術(shù)不多、對國外芯片和特種材料的依賴性較大，具有核心競爭能力的產(chǎn)品較少，所提供的產(chǎn)品也多集中在中低端，產(chǎn)品附加值不高，國際市場競爭能力和盈利能力還有待提高；雖然有些器件制造企業(yè)具有一定的生產(chǎn)規(guī)模，但是產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的技術(shù)和工藝基礎(chǔ)較為薄弱，不少企業(yè)不得不依靠在中低端產(chǎn)品方面的惡性價格競爭和低廉的勞動力成本來艱難地維持生存，并逐漸淪為缺乏核心技術(shù)、沒有自主品牌、給國外公司打工的OEM工廠。隨著JDSU、Oplink等資金雄厚的國外器件公司紛紛在中國安營扎寨，人才的爭奪也日趨激烈，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)面臨優(yōu)秀技術(shù)人才不斷流失的嚴峻挑戰(zhàn)。而國內(nèi)高端技術(shù)和產(chǎn)品的缺乏還直接導(dǎo)致了諸多在國際上頗有影響和地位的國內(nèi)光纖通信設(shè)備制造廠家（比如華為、烽火、中興等），不得不依靠大量進口高端器件來構(gòu)建系統(tǒng)設(shè)備，嚴重制約了這些設(shè)備企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域的國際競爭能力，影響到他們在國際市場戰(zhàn)略地位的進一步提升和快速發(fā)展。

　　光集成技術(shù)（PIC）是未來光器件的主流發(fā)展方向，近年來一直是業(yè)內(nèi)關(guān)注和研究的焦點。光子集成技術(shù)相對于目前廣泛采用的分立元器件，在尺寸、功耗、成本、可靠性等方面優(yōu)勢明顯，是未來光器件的主流發(fā)展方向。

　　近年來，隨著技術(shù)的逐步積累以及產(chǎn)業(yè)需求的升溫，PIC進入較快發(fā)展時期，中小規(guī)模PIC已經(jīng)成熟并取得廣泛商用，大規(guī)模PIC集成度已達到數(shù)百個元器件。PIC 技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的參與企業(yè)涵蓋系統(tǒng)設(shè)備商、光器件芯片制造商、綜合服務(wù)提供商、半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)加工廠商Foundry等多個領(lǐng)域，面向電信和數(shù)據(jù)兩大應(yīng)用市場。

　　光集成技術(shù)包括基于III-V簇化合物半導(dǎo)體材料的光集成技術(shù)、基于鈮酸鋰電解質(zhì)材料的光集成技術(shù)、基于SiO2絕緣體材料的PIC技術(shù)、硅基材料的光集成技術(shù)、基于聚合物材料的光集成技術(shù)以及基于氮化硅材料的光集成技術(shù)。III-V簇化合物半導(dǎo)體材料的光集成技術(shù)，如GaAs、InP技術(shù)，特別適合光源、探測器等有源器件的集成；鈮酸鋰材料的光集成技術(shù)，這類材料特別適合研制高速光調(diào)制器、光開關(guān)等，技術(shù)成熟，且市場份額較大；SiO2絕緣體材料的PIC 技術(shù)，適合陣列波導(dǎo)光柵AWG（arrayed waveguide grating）、分路器（splitter ）、熱光器件等多種無源光波導(dǎo)器件；硅基材料的集成光集成技術(shù)，采用的結(jié)構(gòu)與電子學(xué)的集成電路類似，是未來光集成、甚至光電集成的重要方向；聚合物材料、氮化硅材料在光集成及光子器件領(lǐng)域同樣占有一席之地。這些集成材料各有所長，都有各自不同的應(yīng)用市場。不同器件、不同功能、不同材料的混合集成將是光器件技術(shù)的短期發(fā)展方向。

　　PIC是光器件必然的演進方向，也必然造就新一代基于光器件的應(yīng)用系統(tǒng)，而最終的光器件發(fā)展將更加集成化。III-V族材料和硅基材料更為業(yè)界普遍看作未來光集成技術(shù)的兩大陣營，在材料方面，III-V族材料偏向應(yīng)用于有源器件，硅基材料偏向于應(yīng)用無源器件。III-V族材料在有源器件中廣泛采用，磷化銦是目前唯一能夠?qū)崿F(xiàn)通信波長大規(guī)模單片集成的材料，未來仍具有一定發(fā)展?jié)摿?，代表性產(chǎn)品是Infinera公司的高速光發(fā)射、接收芯片。然而，磷化銦屬于稀有材料，外延片尺寸較小，在低成本和大規(guī)模生產(chǎn)能力方面受到一定限制。另外，硅光子可將CMOS集成電路上的投資和技術(shù)經(jīng)驗應(yīng)用到PIC 領(lǐng)域，有效降低成本，提高生產(chǎn)效率，已成為未來PIC 重要技術(shù)方向之一。硅光子的代表性技術(shù)產(chǎn)品如Luxtera公司的AOC芯片、Cisco公司的CPAK 光模塊、Acacia 公司的相干CFP光模塊，以及Intel 公司致力研發(fā)的混合集成激光器和芯片級光互聯(lián)技術(shù)等，中國也有少數(shù)企業(yè)涉足，但規(guī)模有限。

　　在2014 中國光網(wǎng)絡(luò)研討會上，中國電信集團科技委主任韋樂平指出，光器件是光通信發(fā)展的瓶頸，光通信成為所有網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成技術(shù)中降價最慢的領(lǐng)域，其中光器件成本是瓶頸中的瓶頸。硅光子技術(shù)將成為重要突破方向，它是利用現(xiàn)有CMOS 集成電路上的投資、設(shè)施、經(jīng)驗以及技術(shù)來設(shè)計、制造、封裝光器件和光電集成電路，在集成度、可制造性和擴展性方面達到CMOS的水平，從而在成本、功耗、尺寸上取得突破。通信是硅光子技術(shù)的早期應(yīng)用領(lǐng)域，正如歷史上的晶體管、集成電路、激光器等一樣，通信由于其高技術(shù)屬性往往成為新技術(shù)的早期應(yīng)用領(lǐng)域。然后隨著技術(shù)和工藝的成熟再擴展至大眾消費領(lǐng)域，形成更大的規(guī)模，進一步降低成本，再促進其在通信領(lǐng)域的普及，形成技術(shù)的良性循環(huán)。

　　硅光子技術(shù)在光源方面尚無可行的技術(shù)路線，目前以混合集成和短距離應(yīng)用為主，正不斷發(fā)展成熟，未來將承擔(dān)重要角色?？傊瑹o論是磷化銦，還是硅光子學(xué)，都預(yù)示著光通信行業(yè)即將迎來深度變革，都將顯著改變光器件的設(shè)計和未來。

　　1、應(yīng)繼續(xù)完善科技創(chuàng)新與成果推廣應(yīng)用

　　完善產(chǎn)業(yè)政策。根據(jù)國家鼓勵發(fā)展的研究與產(chǎn)業(yè)化目錄，結(jié)合企業(yè)實際情況，政府通過政策引導(dǎo)投資方向與重點，對鼓勵項目的重要進口設(shè)備、材料，在國內(nèi)沒有替代產(chǎn)品的情況下，繼續(xù)保持現(xiàn)有稅收優(yōu)惠政策，積極支持民族光器件企業(yè)的創(chuàng)新投入與產(chǎn)業(yè)化；

　　2、發(fā)揮財政資金的引導(dǎo)作用，創(chuàng)造良好投融資環(huán)境

　　充分發(fā)揮創(chuàng)新基金、工程中心補助、技術(shù)改造專項資金、電子發(fā)展基金等各類財政資金的引導(dǎo)和帶動作用促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動建立政府導(dǎo)向的產(chǎn)業(yè)投資基金，發(fā)揮財政資金帶動作用，引導(dǎo)社會資源支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展積極促進企業(yè)與資本市場的結(jié)合，創(chuàng)造有利于產(chǎn)業(yè)發(fā)展的投融資環(huán)境。

　　3、提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，推動產(chǎn)業(yè)升級

　　應(yīng)持續(xù)完善光器件行業(yè)的創(chuàng)新體系。依托核心企業(yè)，建立、完善創(chuàng)新平臺，為企業(yè)創(chuàng)新提供支持：繼續(xù)推進技術(shù)改造。鼓勵企業(yè)增加技術(shù)投入，強化企業(yè)的創(chuàng)新基礎(chǔ)。進一步促進行業(yè)基礎(chǔ)研究成果與工程化、產(chǎn)業(yè)化的銜接，提升產(chǎn)業(yè)核心競爭力。通過組建產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟或技術(shù)協(xié)作聯(lián)盟等形式，推進產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作，開展聯(lián)合攻關(guān)，提高產(chǎn)品技術(shù)水平，促進推廣應(yīng)用。積極引導(dǎo)企業(yè)轉(zhuǎn)型升級。向精細化、節(jié)能環(huán)保型發(fā)展。

　　4、加強行業(yè)管理，促進產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展

　　制定行業(yè)發(fā)展約束機制，防止不良競爭。加強國內(nèi)企業(yè)的團結(jié)合作，抱團抵制外來企業(yè)的沖擊加強質(zhì)量監(jiān)管，防止偽劣產(chǎn)品流入市場擾亂正常市場秩序。

　　5、加強高端人才培養(yǎng)，積極參與國際交流合作

　　圍繞光器件所需高端專業(yè)技術(shù)人才的需求，引進國際上的頂尖人才，帶動我國光器件產(chǎn)業(yè)高端技術(shù)的創(chuàng)新。特別是核心芯片、lC集成電路方面的人才，以實現(xiàn)高速芯片與lC的自主創(chuàng)新，擺脫核心部分受制于人的狀況。充分發(fā)揮行業(yè)協(xié)會、高等院校、科研院所及各類相關(guān)社會機構(gòu)的作用，為行業(yè)的持續(xù)發(fā)展培養(yǎng)各級各類專業(yè)人才。加強國際交往與合作，積極參與國際標準工作，增強在國際標準領(lǐng)域的話語權(quán)。

　　6、加強核心關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新

　　重點技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)加強核心關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)品創(chuàng)新，加大對波長可調(diào)制光源、半導(dǎo)體材料InP和Ploymer工藝研究、高速芯片、高速集成電路lC及光電集成技術(shù)等重點技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)投入；在40G、100G和400G光器件及核心芯片下一代PON用光器件及模塊等領(lǐng)域加快重點研發(fā)技術(shù)/產(chǎn)品的進程。在10GPON、40G光器件及模塊產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用、低成本直調(diào)了16×2.5Gb/s WDM光纖接入芯片及傳輸模塊產(chǎn)業(yè)化、100G、400G器件與模塊產(chǎn)業(yè)化等項目上大研發(fā)力度。

　　7、完善產(chǎn)業(yè)鏈配套措施

　　大力發(fā)展具有原創(chuàng)型的核心技術(shù)、其產(chǎn)品/技術(shù)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、有創(chuàng)新活力的中小民營企業(yè)的發(fā)展。包括國家及省出臺的相關(guān)政策、科技人員創(chuàng)業(yè)、科技成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)鏈主導(dǎo)產(chǎn)品的政府優(yōu)先采購等產(chǎn)業(yè)配套政策的落實由改府牽頭，協(xié)調(diào)企業(yè)運營相關(guān)政府部門，制定相關(guān)政策，為企業(yè)提供亮效、快捷服務(wù)具體為工商、稅務(wù)、質(zhì)檢、安全、環(huán)保等方面，同時制定相關(guān)減免稅政策，減輕企業(yè)負擔(dān)。對重點企業(yè)，選擇重要項目跟蹤支持，從研發(fā)到成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化，全程服務(wù)，幫助企業(yè)做大做強。