Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說(shuō)起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲(chǔ)備，Intel的實(shí)力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。

在近日的國(guó)際超大規(guī)模集成電路會(huì)議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實(shí)驗(yàn)室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來(lái)的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。

FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺(tái)積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點(diǎn)上引入的，仍在持續(xù)推進(jìn)，而接下來(lái)最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計(jì)晶體管底層結(jié)構(gòu)，而且可以做得很小(nanowire納米線)，也可以做得很寬(nanosheet納米片)。

這方面比較高調(diào)的當(dāng)屬三星，早就宣布將在3nm工藝節(jié)點(diǎn)上應(yīng)用GAA結(jié)構(gòu)。臺(tái)積電、Intel則沒有公布或確定具體計(jì)劃。

在會(huì)議問答階段，有記者問起Mike Mayberry，納米線、納米帶(nanoribbon)結(jié)構(gòu)的晶體管何時(shí)能夠投入大規(guī)模量產(chǎn)，他表示雖然沒有明確的路線圖，但粗略估計(jì)未來(lái)5年內(nèi)有戲。

根據(jù)早先公布的模糊路線圖，Intel未來(lái)將每?jī)赡赀M(jìn)行一次工藝節(jié)點(diǎn)重大升級(jí)，而每一代工藝都會(huì)有+、++兩次優(yōu)化增強(qiáng)，2021年是7nm，首發(fā)用于高性能計(jì)算GPU Ponte Vecchio，2023年預(yù)計(jì)進(jìn)入5nm并同時(shí)有7nm++，2025年轉(zhuǎn)入3nm并同時(shí)有5nm++。

按照Mike Mayberry給出的時(shí)間表，如果樂觀激進(jìn)的話，Intel有望在3nm工藝上應(yīng)用全新的納米結(jié)構(gòu)晶體管，或者慢一點(diǎn)的話到時(shí)候還是5nm。

他還展望了更遙遠(yuǎn)的未來(lái)，2030年前有望進(jìn)入神經(jīng)擬態(tài)(neuromorphic)的計(jì)算時(shí)代，而至于量子計(jì)算，可能要2030-2035年才能真正投入商用。

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