在經(jīng)歷了中興事件之后，深深讓國人感受到了中國在半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的薄弱，而此次美國升級對華為的制裁，更是讓國人認(rèn)識到了中國在芯片制造設(shè)備領(lǐng)域的薄弱。而對于芯片制造來說，最為關(guān)鍵的設(shè)備當(dāng)屬光刻機。

資料顯示，光刻工藝是芯片制造過程中占用時間比最大的步驟，約占芯片制造總時長的40%-50%。同時，光刻機也是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備，約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備總成本的27%。

而在目前的光刻機市場，ASML、佳能以及尼康是最大的三家供應(yīng)商，占據(jù)了全球99%的市場。其中ASML 在高端市場一家獨大，且是全球唯一的EUV 光刻機供應(yīng)商?？梢哉f，中國的中高端光刻機市場一直都是被這三家國外廠商所壟斷。

一、光刻工藝復(fù)雜，設(shè)備技術(shù)壁壘高

光刻技術(shù)指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理，將電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓表面的工藝技術(shù)，光刻機是光刻工序中的一種投影曝光系統(tǒng)。其包括光源、光學(xué)鏡片、對準(zhǔn)系統(tǒng)等。在制造過程中，通過投射光束，穿過掩膜板和光學(xué)鏡片照射涂敷在基底上的光敏性光刻膠，經(jīng)過顯影后可以將電路圖最終轉(zhuǎn)移到硅晶圓上。

光刻機分為無掩模光刻機和有掩模光刻機。

（1）無掩模光刻機可分為電子束直寫光刻機、離子束直寫光刻機、激光直寫光刻機。電子束直寫光刻機可以用于高分辨率掩模版以及集成電路原型驗證芯片等的制 造，激光直寫光刻機一般是用于小批量特定芯片的制造。

（2）有掩模光刻機分為接觸/接近式光刻機和投影式光刻機。接觸式光刻和接近式光刻機出現(xiàn)的時期較早，投影光刻機技術(shù)更加先進，圖形比例不需要為 1:1，減低了掩膜板制作成本，目前在先進制程中廣泛使用。

隨著曝光光源的改進，光刻機工藝技術(shù)節(jié)點不斷縮小。光刻設(shè)備從光源（從最初的 g-Line, i-Line 發(fā)展到 EUV）、曝光方式（從接觸式到步進式，從干式投影到浸沒式投影）不斷進行著改進。

芯片尺寸的縮小以及性能的提升依賴于光刻技術(shù)的發(fā)展。光刻設(shè)備光源波長的進一步縮小將推動先進制程的發(fā)展，進而降低芯片功耗以及縮小芯片的尺寸。

目前光刻機主要可以分為 IC 前道制造光刻機（市場主流）、IC 后道先進封裝光刻機、LED/MEMS/Power Devices 制造用光刻機以及面板光刻機。

其中 IC 前道光刻機需求量和價值量都最高，但是技術(shù)難度最大。而封裝光刻機對于光刻的精度要求低于前道光刻要求，面板光刻機主要用在薄膜晶體管制造中，與 IC 前道光刻機相比技術(shù)難度更低。

以上光刻機市場規(guī)模大小和增速以及競爭格局和國產(chǎn)化程度是不同的，接下來我們將分別進行分析。

二、光刻機市場被國外廠商壟斷

1、IC 前道光刻機市場，ASML一家獨大

IC 前道光刻機技術(shù)最為復(fù)雜，光刻工藝是 IC 制造的核心環(huán)節(jié)也是占用時間比最大的步驟，光刻機是目前晶圓制造產(chǎn)線中成本最高的半導(dǎo)體設(shè)備。根據(jù)格羅方德的數(shù)據(jù)顯示，光刻設(shè)備約占晶圓生產(chǎn)線設(shè)備成本 27%，光刻工藝占芯片制造時間 40%-50%。

△光刻機是晶圓制造產(chǎn)線中的高投入型設(shè)備（數(shù)據(jù)來源：Global Foundries，國泰君安證券研究 ）

根據(jù)International Society for Optics and Photonics 以及 VLSI Research 研究發(fā)現(xiàn)，高精度 EUV 光刻機的使用將使die 和 wafer 的成本進一步減小，但是設(shè)備本身成本也會增長。

△利用高端光刻機實現(xiàn)的先進制程可以進一步降低芯片尺寸和成本，但是設(shè)備成本會增長（數(shù)據(jù)來源：International Society for Optics and Photonics）

光刻設(shè)備量價齊升帶動光刻設(shè)備市場不斷增長。一方面，隨著芯片制程的不斷升級，IC 前道光刻機價格不斷攀升。

目前最先進的 EUV 設(shè)備在2018 年單臺平均售價高達(dá) 1.04 億歐元，較 2017 年單臺平均售價增長4%。另一方面，晶圓尺寸變大和制程縮小將使產(chǎn)線所需的設(shè)備數(shù)量加大，性能要求變高。

12 寸晶圓產(chǎn)線中所需的光刻機數(shù)量相較于 8 寸晶圓產(chǎn)線將進一步上升。同時預(yù)計 2020 年隨著半導(dǎo)體產(chǎn)線得到持續(xù)擴產(chǎn)，光刻機需求也將進一步加大。

光刻機采購節(jié)奏是內(nèi)資產(chǎn)線資本支出的關(guān)鍵信號。內(nèi)資產(chǎn)線一般會優(yōu)先采購價值量和技術(shù)難度最高的光刻機。從長江存儲、華力微、華虹無錫、中芯紹興以及株洲中車的光刻機采購情況來看，各產(chǎn)線 19Q4 至今光刻機合計采購量可觀，預(yù)示其 2020 年內(nèi)資產(chǎn)線資本支出將進一步提升。

ASML、佳能以及尼康是全球光刻機市場的主要供應(yīng)商，其中 ASML 在高端市場一家獨大并且壟斷 EUV 光刻機。從光刻機總體出貨量來看（含非 IC 前道光刻機），目前全球光刻機出貨量 99%集中在 ASML、尼康和佳能。其中ASML份額最高，達(dá)到67.3%，且壟斷了高端 EUV 光刻機市場。

需要指出的是，ASML技術(shù)先進離不開高投入，其研發(fā)費用率始終維持在 15%-20%，遠(yuǎn)高于Nikon 和 Canon。

ASML 在技術(shù)更先進的 EUV、ArFi、ArF 機型市場占有率不斷提升，且遠(yuǎn)大于 Canon 和 Nikon。2017 年 ASML 上述三種機型出貨量總計為101 臺，市場份額占比為 78.29%，到 2018 年 ASML 出貨量增長到 120臺，市場份額約 90% 。

數(shù)據(jù)顯示，2018年，Canon 和 Nikon 在 EUV、ArFi、ArF 機型銷售量遠(yuǎn)低于 ASML，二者產(chǎn)品主要集中價值量更低的后道光刻機以及面板光刻機領(lǐng)域。

IC 前道制造光刻機國產(chǎn)化嚴(yán)重不足。目前產(chǎn)線中光刻機主要依賴于進口，以國內(nèi)產(chǎn)線長江存儲為例，其光刻機全部來自于 ASML 和佳能。其中 Arf 光刻機全部由 ASML 供應(yīng)，佳能主要供應(yīng)技術(shù)難度相對較低的 g線、i 線光刻機及少部分 KrF 光刻機。

2、封裝光刻機及LED/MEMS/功率器件光刻機市場發(fā)展迅速

除了應(yīng)用于 IC 前道的光刻機之外，封裝光刻機以及 LED/MEMS/功率器件光刻機利基市場也不斷發(fā)展。

從需求量來看，先進封裝光刻機市場需求更大且增速最高，是利基市場的主要拉動力量。根據(jù) Yole,2015-2020 年先進封裝、MEMS 以及 LED 光刻機出貨量將持續(xù)增長，預(yù)計到 2020 年總需求量將超過 250 臺/年。2015年到 2020 年先進封裝光刻設(shè)備出貨量年復(fù)合增長率達(dá)到 15%。MEMS光刻機需求量復(fù)合增速約 9%左右。

目前該市場中競爭者數(shù)目多于 IC 前道光刻機市場，光刻機三大巨頭之一的尼康的光刻機業(yè)務(wù)也開始向利基市場進行轉(zhuǎn)移。

3、面板光刻機市場：尼康、佳能壟斷

光刻機還可以用于面板（FPD）領(lǐng)域，國內(nèi) FPD 產(chǎn)業(yè)處于高速發(fā)展階段，市場發(fā)展空間巨大。隨著國內(nèi) FPD 生產(chǎn)線的建設(shè)和陸續(xù)投產(chǎn)及下游電子設(shè)備應(yīng)用多元化發(fā)展，我國 FPD 產(chǎn)業(yè)步入快速發(fā)展時期，產(chǎn)能持續(xù)增長。

據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能僅為 22 百萬平方米，而 2017 年國內(nèi)產(chǎn)能迅速增長到 96 百萬平方米，預(yù)計 2020 年我國 FPD產(chǎn)能將達(dá)到 194 百萬平方米，2013-2020 年復(fù)合增長率達(dá) 36.48%，F(xiàn)PD市場保持高速增長，發(fā)展空間巨大。

國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升。在 FPD 產(chǎn)業(yè)逐漸向中國大陸轉(zhuǎn)移和中國大陸以京東方為首的 FPD 廠商投資力度加大的雙重作用下，國內(nèi)FPD 產(chǎn)能全球占比持續(xù)提升。據(jù)商務(wù)部數(shù)據(jù)顯示，2013 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比僅為 13.9%，2017 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比上升至 34%，中國躍升為全球第二大 FPD 供應(yīng)區(qū)，預(yù)計 2020 年國內(nèi) FPD 產(chǎn)能全球占比將提高至 52%，屆時中國將成為全球最大的 FPD 生產(chǎn)基地。

尼康、佳能 FPD 光刻技術(shù)優(yōu)勢明顯，基本壟斷了 FPD 光刻機市場，其中尼康份額最高。自 1986 年尼康在 FPD 制造領(lǐng)域推出 NSR-L7501G 以來，尼康開發(fā)并銷售了大量的 FPD 光刻系統(tǒng)，尼康不僅是大型 FPDs 光刻系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)者，而且還為智能手機和面板電腦生產(chǎn)中小型高清 FPDs提供理想的型號。

而佳能 FPD 光刻技術(shù)也具有突出優(yōu)勢。由于弧形的成像范圍使得獲得最佳成像特性成為可能，佳能的設(shè)備可以掃描弧形的曝光區(qū)域，從而在大面積范圍內(nèi)獲得高分辨率的性能；

通過同時使用 AS 和 OAS 方法來觀察失真，佳能的混合對準(zhǔn)系統(tǒng)可以進一步提高檢測時間和更精確的測量；為了解決之前曝光過程中產(chǎn)生的模式失真，佳能的高精度速度平臺對掃描速度和方向進行了微調(diào)，在曝光過程中修正光刻板上的掩模圖形；

利用非線性失真校正技術(shù)結(jié)合掃描校正機制，可以處理襯底上各種形狀的變形，并更準(zhǔn)確地將其與掩模上的圖案對齊。

三、國產(chǎn)光刻機與國外技術(shù)差距較大，但部分領(lǐng)域已實現(xiàn)突破

雖然，中國也有自己的國產(chǎn)光刻機廠商—;—;上海微電子裝備股份有限公司（SMEE），但是其在技術(shù)上與國外還存在較大差距。

上海微電子成立于2002年，主要從事半導(dǎo)體裝備、泛半導(dǎo)體裝備以及高端智能裝備的設(shè)計制造銷售，其中光刻設(shè)備是公司的主營業(yè)務(wù)。

目前公司光刻機可以應(yīng)用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中晶圓制造、封裝測試，以及平板顯示、高亮度 LED 等領(lǐng)域。目前上海微電子直接持有各類專利及專利申請超過2400項。

據(jù)上海微電子官網(wǎng)介紹，其主要生產(chǎn) SSX600 和 SSX500 兩個系列的光刻機。

其中，SSX600 系列步進掃描投影光刻機采用四倍縮小倍率的投影物鏡、工藝自適應(yīng)調(diào)焦調(diào)平技術(shù)，以及高速高精的自減振六自由度工件臺掩模臺技術(shù)，可滿足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 關(guān)鍵層和非關(guān)鍵層的光刻工藝需求，該設(shè)備可用于 8吋線或 12 吋線的大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

SSB500 系列步進投影光刻機不僅適用于晶圓級封裝的重新布線（RDL）以及 Flip Chip 工藝中常用的金凸塊、焊料凸塊、銅柱等先進封裝光刻工藝，還可以通過選配背面對準(zhǔn)模塊，滿足 MEMS 和 2.5D/3D 封裝的 TSV 光刻工藝需求。

在技術(shù)上，上海微電子的IC前道光刻機與國際先進水平差距仍較大。上海微電子裝備有限公司已量產(chǎn)的光刻機中性能最好的最高可實現(xiàn) 90nm 制程節(jié)點，ASML 的 EUV 3400B 制程節(jié)點可達(dá)到 5nm。這也使得在IC前道光刻機市場，國產(chǎn)化率較低，國內(nèi)的IC前道光刻機市場主要被ASML、尼康和佳能瓜分。

不過，在對光刻精度要求較低的封裝光刻機、 LED/MEMS/功率器件光刻機、面板光刻機市場，上海微電子則取得了不錯的成績。

目前上海微電子封裝光刻機已實現(xiàn)批量供貨，成為長電科技、日月光、通富微電等封測龍頭的重要供應(yīng)商，并出口海外市場，在國內(nèi)市場占有率高達(dá) 80%，全球市場占有率達(dá) 40%。同時公司 300 系列光刻機可以滿足 HB-LED、MEMS 和 Power Devices 等領(lǐng)域單雙面光刻工藝需求，占有率達(dá)到 20%左右。

在面板光刻機市場，上海微電子也已經(jīng)實現(xiàn)首臺 4.5 代 TFT 投影光刻機進入用戶生產(chǎn)線。不過，目前市場主流都是6 代及 6 代以上的產(chǎn)線。要想打破日本尼康和佳能所壟斷的 FPD 光刻機市場格局，仍需要時間。

四、國產(chǎn)11nm光刻機將于年底下線？

近日，網(wǎng)上有傳聞稱上海微電子預(yù)計在2020年12月下線首臺采用ArF光源的可生產(chǎn)11nm芯片的SSA800/10W光刻機。

據(jù)網(wǎng)友爆料稱，SSA800/10W光刻機采用NA 1.35透鏡組，并搭載超精密磁懸浮雙工件臺和超純水浸入系統(tǒng)。同時采用華卓精科工作臺的套刻精度指標(biāo)優(yōu)于1.7nm。該光刻機采用深紫外光波長193nm，通過透鏡成像，以及折射原理單次可達(dá)到28nm曝光效果，然后再利用雙工作臺進行多次曝光原理，有生產(chǎn)7nm制程的潛力。同時，該網(wǎng)友還貼出了上海微電子的雙工件臺曝光系統(tǒng)的操作控制界面。

根據(jù)消息顯示，該光刻機的光源激光系統(tǒng)由科溢虹源（中科院微電子所、中科院光電所等組成）研發(fā)；㓎沒式雙工作臺由華卓精科研發(fā)；㓎液系統(tǒng)則由浙江啟爾機電研發(fā)，最高支持11nm制程；透鏡及曝光系統(tǒng)則由國望光學(xué)（長春光機所、上海光機所等組成）研發(fā)，而上海微電子則負(fù)責(zé)控制系統(tǒng)和總裝。

（注：關(guān)于華卓精科的雙工臺介紹可參看芯智訊此前文章《打破ASML光刻機雙工臺技術(shù)壟斷！華卓精科擬登陸科創(chuàng)板》）

另外值得一提的是，目前中微半導(dǎo)體已成功推出用于5nm制程蝕刻機，而承擔(dān)“ArF 光刻膠（波長為193nm的ArF激光光源）產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”02 專項項目的南大光電也已研發(fā)出了ArF 光刻膠，此外在光刻工序涂膠顯影設(shè)備上沈陽芯源微電子的涂膠/顯影機、噴膠機、清洗機、去膠機、濕法刻蝕機等，也可用于 6 英寸及以下及 8/12 英寸單晶圓處理?？梢哉f，在芯片制造相關(guān)的多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，國內(nèi)已經(jīng)實現(xiàn)了一定的突破。

不過，對于上海微電子11nm光刻機將于年底下線傳聞，目前并未有相關(guān)的信息進行印證。芯智訊在上海微電子的官網(wǎng)上并未看到相關(guān)新聞，同時官網(wǎng)上展示的最先進的光刻機仍是上海微電子的600系列光刻機，只能支持90nm技術(shù)節(jié)點的光刻工藝。

此外，芯智訊也并未在網(wǎng)上找到相關(guān)證據(jù)，支持這個11nm光刻機將于年底下線的說法。同時，上海微電子的光刻機產(chǎn)品一下子從90nm直接跨越到11nm，這個技術(shù)跨度也確實有點大，真實性可能不大。

五、國產(chǎn)28nm光刻機明年交付，意義何在？

而近期業(yè)內(nèi)傳出的上海微電子將于2021年交付28nm光刻機的消息則似乎更為靠譜。

芯智訊通過查詢相關(guān)資料也發(fā)現(xiàn)，徐州經(jīng)開區(qū)官網(wǎng)于今年4月16日發(fā)布的一則題為《徐州經(jīng)開區(qū)科益虹源集成電路光刻制造及服務(wù)基地項目開工》的文章當(dāng)中有提及，科益虹源目前正承擔(dān)“02重大專項浸沒光刻光源研發(fā)”、“02重大專項核心零部件國產(chǎn)化能力建設(shè)”、“02重大專項集成電路晶圓缺陷檢測光源”等國家專項。

到2020年產(chǎn)品將與整機單位共同完成28nm國產(chǎn)光刻機的集成工作，對我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重大意義。

這里需要指出的是，北京科益虹源光電是中國唯一、世界第三家具備高端準(zhǔn)分子激光技術(shù)研究和產(chǎn)品化的公司，同時也正是上海微電子的光刻機的光源系統(tǒng)的供應(yīng)商。也就是說，通過上面的這則新聞，我們基本可以確認(rèn)，今年科益虹源承擔(dān)的“02重大專項”研發(fā)的浸沒光刻光源就將與上海微電子共同完成28nm國產(chǎn)光刻機的集成。

所以，可以確認(rèn)，2021年上海微電子就將完成28nm國產(chǎn)光刻機的交付。

雖然，這個28nm光刻機與ASML目前最先進的5nm EUV光刻機相比，仍有著很大的差距，但是對于中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以及上海微電子自身來說都是意義非凡，而且通過多次曝光，甚至可支持7nm芯片。

隨著摩爾定律的推進，制程工藝的難度和生產(chǎn)的工序都大幅增加，同時成本也大幅增加，特別是進入28nm以下制程之后的較長一段時間，20nm和16/14nm制程的成本一度高于28nm，這是摩爾定律運行60多年來首次遇到制程縮小但成本不降反升的問題。這也使得28nm一度作為最具性價比的制程工藝長期活躍于市場。

即便是隨著20/16/14nm成本的降低，28nm工藝也依然占據(jù)了很大的市場，特別是在格芯、聯(lián)電放棄10nm以下先進制程之后，開始將更多的精力放在的成熟制程上，不少晶圓廠還基于28nm推出了在低功耗、防輻射、低軟錯誤率、耐高溫和EMC、車載可靠性上更具優(yōu)勢的FD-SOI工藝，使其更適合物聯(lián)網(wǎng)（IoT）在成本、功耗和性能方面的要求。

雖然目前手機芯片即將進入5nm制程工藝，但是在物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)、新型存儲等眾多市場，28nm仍是比較主流的制程工藝節(jié)點。而且28nm以下的40/45/65nm也有著不小的市場。

從全球第一大晶圓代工廠臺積電的2020年第一季度的營收占比來看，目前28nm占比仍有14%。而其28/40/45/65nm的總體占比更是高達(dá)30%。

顯然，對于上海微電子來說，其28nm光刻機的順利推出，將打破國外廠商的對于IC前端光刻機市場的壟斷，可覆蓋更為廣闊的市場需求，特別是在國產(chǎn)替代趨勢之下，將有望大幅提升其光刻機的出貨量、營收和利潤率。同時，也將幫助國內(nèi)的晶圓代工廠降低對于國外半導(dǎo)體設(shè)備的依賴，進一步提升半導(dǎo)體制造關(guān)鍵設(shè)備的國產(chǎn)化率，提升中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體實力。