RAM（random access memory）隨機存儲內存
，這種bai存儲器在斷電時du將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
ROM（Read-Only Memory）只讀內存
，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導體存儲器。
而當一個嵌入式項目在立項時，其中有個重要的環(huán)節(jié)就是對系統(tǒng)所需的RAM和ROM用量進行評估。
在滿足系統(tǒng)需求的前提下，盡量降低硬件成本，據(jù)說同等大小的RAM價格大概是ROM的6倍。
大部分的資料都宣稱程序分為RO、DATA、BSS等段，RO段應該放在ROM里，DATA段放在RAM里云云。對于DATA、BSS，這些段因為有頻繁的寫操作，所肯定要放到RAM里，但是只讀數(shù)據(jù)（包括代碼段）必須放在ROM里嗎？答案是不一定。
RAM和ROM等存儲單元的物理地址映射是由做硬件的數(shù)字工程師確定，他們在劃分時主要會考慮電路的延遲，將這些儲存單元按照一定的方式掛在同一條AHB總線上。而嵌入式平臺軟件工程師可以通過修改鏈接腳本來設置哪些數(shù)據(jù)、代碼在程序運行時放在ROM里，哪些放在RAM里。
這里多說一句，RAM在系統(tǒng)剛上電的時候，其內容是隨機的。所謂的數(shù)據(jù)、代碼放在RAM里，是指在初始化時，CPU從flash里讀下載的bin文件，也有的平臺下載的是hex文件，找出其中的ram段，以類似于memcpy的方式將數(shù)據(jù)從bin文件里的對應位置拷貝到RAM映射到的物理地址里，這才是所謂的放在RAM里.
RAM分為很多種，關于SRAM、DRAM、SDRAM、PSRAM等等的概念。簡單來說就是：
SRAM ： 靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非?？欤馛PU內部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內存
單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。
DRAM： 動態(tài)RAM，需要刷新，容量大。
SDRAM ：同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。
DDR SDRAM： 雙通道同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度快，容量大。
具體來說：
RAM(Random Access Memory) 隨機存儲器。存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內容，故主要用于存儲短時間使用的程序。
按照存儲信息的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器(Static RAM,SRAM)和動態(tài)隨機存儲器(Dynamic RAM,DRAM)。
SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。
SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機存取存儲器。同步是指Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關。
這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。
DRAM(Dynamic RAM)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。
因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。
SDRAM(Synchronous DRAM)即同步動態(tài)隨機存取存儲器。同步是指 Memory工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
A.DRAM(Dynamic Random-Access Memory)，即動態(tài)隨 機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一 次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
B. SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory, 同步動態(tài)隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準;動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不 丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
C. DDR: SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM。
第一代與第二代SDRAM均采用單端(Single-Ended)時鐘信號,第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步 時鐘。SDR SDRAM的時鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或 133MHz，數(shù)據(jù)讀寫速率也為100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR(Double Data Rate)內存則采用數(shù)據(jù)讀寫速 率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻 率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。
很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導。SDR不等于SDRAM。
從軟件的角度籠統(tǒng)一點，分為片內和片外ram。
對于軟件工程師的來說，它們的區(qū)別就是訪問速度，片內ram一般用TCM(Tightly Coupled Memory)的方式集成在CPU芯片內部，有單獨的數(shù)據(jù)通道，它的訪問速度可以和cache相媲美，而片外ram的訪問要麻煩一些，CPU發(fā)出想訪問的地址給AHB總線控制器，它會知道對應的地址是在片外RAM里，將訪問請求遞給RAM控制器，再由RAM控制器訪問RAM后將數(shù)據(jù)返回。
大體上片內的訪問速度是片外RAM的1.5~2倍。片內ram集成在CPU芯片內部，它是在CPU設計時就加上的，它使用和CPU幾乎一樣的制作工藝和材料，而且增加了芯片的大小，所以成本比較高，一般也就只有幾十K字節(jié)，好鋼當然要用在刀刃上，片內ram用來存放中斷處理handler、RTOS調度器、任務上下文切換、內存分配釋放等使用頻率最高的代碼和中斷堆棧這種讀寫頻率極高的內存區(qū)，如果有多余的部分也可以放一些經常被引用到的全局變量。
片外RAM一般就是采購的市面上的成品，如Samsung，Hynix，Apmemory等，價格相對便宜，其容量的可選范圍也較為寬松，從幾M到幾G的都有，它可以用來存儲全局變量，bss，以及我們常用到的malloc所分配的堆空間等。還有一點不同的是：片內Ram上電就可以直接使用，而片外的RAM都需要一個硬件控制器完成對其時序的控制，軟件人員則需要對該控制器編寫專用的控制驅動
ROM一般是有兩種，一種是指集成在CPU芯片內部的一塊只讀存儲區(qū)域，一般是幾K到幾十K字節(jié)大小，用來存儲系統(tǒng)剛上電時對cpu和一些核心外設（如時鐘，串口，MMU、DRAM、Flash等）
進行初始化的代碼，它在程序運行中也是不可寫的，要對它執(zhí)行寫操作只能使用硬件燒寫器進行，也就是一般所說的下載程序，這部分的代碼在芯片測試階段可以進行編程器下載更新，量產后一般就會固化，不能做任何修改的。
另一種指的就是flash。首先需要說明的是，很多做嵌入式應用開發(fā)的同學一直把flash比作PC上的硬盤，其實它們指的是Nand flash，而對于很多小型的嵌入式系統(tǒng)，就只有一個2M或者4M的Nor Flash，它和硬盤有一個顯著的區(qū)別：flash里存放的代碼是可以由CPU直接取指并執(zhí)行的，而PC上硬盤里的程序都需要加載到內存里才能運行。
flash并不是絕對的運行時不可寫，有時候應用程序需要保存一些配置信息到flash里，類似于PC程序的配置文件，以保證掉電了之后它的內容不會丟失，下次開機時可以直接從flash讀取到。
不過，flash的寫操作要比RAM麻煩的多了，flash在寫之前需要發(fā)送多個命令字來握手，還要先對即將要寫的地址所在的扇區(qū)進行整體擦除，就是把該扇區(qū)里的內容全設為1，所謂寫flash就是把其中的一些bit設為0；更要命的是，flash的每個獨立bit位的寫次數(shù)是有上限的，市面上大部分的產品都只能寫10~100萬次。多說一句，每個bit位的壽命是獨立的，如果一個bit位在擦除和寫的動作中，它的值始終為1，則不會有影響；例如反復對一個地址寫0xF0，則不會影響高4bit的壽命，而低4bit每次都要先擦成1，再寫入0，這樣就會降低其壽命。
現(xiàn)在我們討論一下RO、DATA、BSS到底應該放在RAM里還是ROM里。
首先考慮一下，有沒有什么東西必須放在ROM里？當然有，引導程序（系統(tǒng)的初始化代碼）就必須放到ROM里。在CPU剛上電時，只能去一個默認的地址去取第一條指令，開始干活，這個地址都是映射到片內的ROM里，原因很簡單，此時，作為外設的flash和DDR等都還沒有初始化，CPU根本無法從它們那里讀寫數(shù)據(jù)，片內ROM里的這些代碼就需要完成這些模塊的初始化。另外，一個項目的處理器和主要外設確定了以后，這部分初始化代碼在很長的時間里，都不需要做任何修改的。
那有沒有什么東西必須放RAM里？當然也有，應用程序經常讀寫的全局變量，堆、棧等等，都需要放在RAM里，根據(jù)訪問的頻率，將頻率最高的少量數(shù)據(jù)放到片內ram。
只讀數(shù)據(jù)（代碼段、程序里的const、字符串等）應該放在哪？一般來說，這些數(shù)據(jù)應該放在Flash里，因為它們不需要被修改，而且前面提到過，rom要比ram便宜的多?？赡苡腥藭幸蓡?，放在flash里，會不會讀取的速度很慢？讀ROM的速度是比讀RAM的數(shù)據(jù)要慢一點，但是不要忘了，現(xiàn)代CPU都有強大的cache，而且數(shù)據(jù)Dcache和指令Icache都是分開的，在系統(tǒng)運行中，cache的命中率可以高達80~90%，所以大部分時候CPU都可以在第一時間就拿到想要的指令和數(shù)據(jù)。
1、前面提到片內Ram是一塊非常寶貴的空間，它的優(yōu)點就是CPU可以在第一時間取到里面的數(shù)據(jù)。但是處于成本考慮，它的空間往往都非常有限。如果用戶有兩種比較耗時的業(yè)務，需要頻繁的大量取指，但重點是它們不會同時運行。這種情況下，就可以在鏈接腳本里開辟的片內Ram空間，將該段的鏈接選項加上NOCROSSREFS，再將這片空間的大小定義為這兩個耗時業(yè)務代碼占空間較大的那個（例，業(yè)務一有1K代碼，業(yè)務二有2K代碼，這片空間就定義為2K），在業(yè)務一開始時，將其代碼拷貝到這塊片內ram里（一般是用DMA的方式），運行業(yè)務一的代碼；當業(yè)務二開始時，也是拷貝其代碼到片內ram里。這樣，兩種業(yè)務的耗時操作在運行中都可以在第一時間里取到指令，對耗時業(yè)務做了很好的優(yōu)化。
2、曾經遇到過這樣一個運行時死機，查看CPU寄存器可以看到是報一個取指了令異常，可是查看PC寄存器對應的地址，發(fā)現(xiàn)CPU正在取的一條指令是正常的，起初十分費解。后來通過仔細分析其死機前的運行情況才定位出原因，死機前一個task正在寫flash，這時候來了一個中斷，中斷里調用了一個函數(shù)，其地址就在flash里，而此時flash處于一個不可讀的狀態(tài)，CPU在執(zhí)行中斷里的函數(shù)就拿不到指令，只能死機。
解決問題的辦法有2種：一是在寫flash的過程中屏蔽所有中斷，這是一種很裸的方法，對于響應時間很敏感的嵌入式系統(tǒng)，一般都不允許隨便關中斷。二是將這個在flash里存儲的函數(shù)放到RAM里，避免訪問flash的沖突。
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