pic單片機程序格式，探討pic單片機開發(fā)問題
pic單片機每天都在被使用，了解pic單片機顯得尤為必要。本文對于pic單片機的介紹，將基于兩大方面：1.闡述pic單片機程序設(shè)計基礎(chǔ)格式，2.探討pic單片機開發(fā)的幾個問題。如果你對本文即將探討的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、PIC單片機程序設(shè)計基礎(chǔ)格式
為了快速掌握PIC單片機源程序的基本結(jié)構(gòu)，這里給出一個典型的程序結(jié)構(gòu)框架。
建立源程序時首先用偽指令TITLE提供程序的標題，接著給出整個程序的總說明，并用列表偽指令LIST指定所用單片機型號和文件輸出格式，再利用INCLUDE偽指令讀入MPASM中提供的定義文件如《P16F84?INC》，然后對片內(nèi)常用資源進行定義，再給出一般程序的基本結(jié)構(gòu)框架?，F(xiàn)舉例如下。
TITLE“This is……”;程序標題
;程序說明
LIST P="16F84"，F(xiàn)=1NHX8M
;
include
-config_RC_Qsc &_WDT_0FF…
;資源定義和變量定義
STATUS EQU 03
FSR EQU 04
PORTA EQU 05
PORTB EQU 06
J EQU 01F
K EQU 01E
;…………………
ORG 0000 ;
goto MAIN ;跳過中斷矢量
ORG 0004
goto INTSRV;子程序入口地址
;……………………………………
MAIN
;從0005H開始放主程序
call Initports ;端口初始化
call InitTImers;定時器初始化
…
INTSRV … ;中斷服務(wù)程序區(qū)
SVBRTH… ;子程序區(qū)
END ;程序結(jié)束符
當然，在編寫程序時可根據(jù)實際情況加以調(diào)整。下面是一份實際程序清單，要求將數(shù)據(jù)88H寫入PIC16F84內(nèi)部EEPROM的20H單元，而后再從20H單元將其讀出。
LIST P="16F84"，F(xiàn)=INHX8M
;……………………………
STATUS EQU 03 ;定義寄存器
EEDATA EQU 08
EEADR EQU 09
INTCON EQU 0BH
EECON1 EQU 88H
EECON2 EQU 89H
;…………………………
RD EQU 0 ;定義位
WR EQU 1
RP0 EQU 5
GIE EQU 7
;…………………………
ORG 0
GOTO WRSTART
;……………………………
ORG 10H
WRSTART ;寫入操作開始
CLRW ;清W，使W=0
BCF STATUS，RP0 ;選BANK0
MOVLW 20H
MOVWF EEADR ;地址→EEADR
MOVLW 88H
MOVWF EEDATA ;寫入數(shù)據(jù)→
;EEDATA
BSF STATUS，RP0 ;選BANK1
BSF EECON1，2 ;寫操作使能允許
BCF INTCON，GIE ;關(guān)閉所有的中斷
MOVLW 0X55
MOVWF EECON2 ;55H→EECON2
MOVLW 0XAA
MOVWF EECON2 ;AAH→EECON2
BSF EECON1，WR ;啟動寫操作
BSF INTCON，GIE ;恢復(fù)開中斷
RDSTART ;讀出操作開始
BCF STATUS，RP0
MOVLW 20H
MOVWF EEADR ;地址→EEADR
BSF STATUS，RP0
BSF EECON1，RD ;啟動讀操作
BCF STATUS，RP0
MOVF EEDATA，W ;將EEPROM
;數(shù)據(jù)讀入W
END
二、PIC單片機開發(fā)的幾個問題
1 怎樣進一步降低功耗
功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C&TImes;&TImes;系列單片機本身的功耗較低(在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA)。為進一步降低功耗，在保證滿足工作要求的前提下，可采用降低工作頻率的方法，工作頻率的下降可大大降低功耗(如PIC16C&TImes;&TImes;在3V，32kHz下工作，其電流可減小到15μA)，但較低的工作頻率可能導(dǎo)致部分子程序(如數(shù)學(xué)計算)需占用較多的時間。在這種情況下，當單片機的振蕩方式采用RC電路形式時，可以采用中途提高工作頻率的辦法來解決。
具體做法是在閑置的一個I/O腳(如RB1)和OSC1管腳之間跨接一電阻(R1)，如圖1所示。低速狀態(tài)置RB1=0。需進行快速運算時先置RB1= 1，由于充電時，電容電壓上升得快，工作頻率增高，運算時間減少，運算結(jié)束又置RB1=0，進入低速、低功耗狀態(tài)。工作頻率的變化量依R1的阻值而定(注意R1不能選得太小，以防振蕩電路不起振，一般選取大于5kΩ)。
另外，進一步降低功耗可充分利用“sleep”指令。執(zhí)行“sleep”指令，機器處于睡眠狀態(tài)，功耗為幾個微安。程序不僅可在待命狀態(tài)使用 “sleep”指令來等待事件，也可在延時程序里使用(見例1、例2)。在延時程序中使用“sleep”指令降低功耗是一個方面，同時，即使是關(guān)中斷狀態(tài)，Port B端口電平的變化可喚醒“sleep”，提前結(jié)束延時程序。這一點在一些應(yīng)用場合特別有用。同時注意在使用“sleep”時要處理好與WDT、中斷的關(guān)系。
例1(用Mplab-C編寫) 例2(用Masm編寫)
Delay() Delay
{ ;此行可加開關(guān)中斷指令
/*此行可加開關(guān)中斷指令*/ movlw.10
for (i=0; i《=10; i ) movwf Counter
SLEEP(); Loop1
} Sleep
decfsz Counter
goto Loop1
return
2 注意INTCON中的RBIF位
INTCON中的各中斷允許位對中斷狀態(tài)位并無影響。當PORT B配置成輸入方式時，RB《7:4》引腳輸入在每個讀操作周期被抽樣并與舊的鎖存值比較，一旦不同就產(chǎn)生一個高電平，置RBIF=1。在開 RB中斷前，也許RBIF已置“1”，所以在開RB中斷時應(yīng)先清RBIF位，以免受RBIF原值的影響，同時在中斷處理完成后最好是清RBIF位。
三、用Mplab-C高級語言寫PIC單片機程序時要注意的問題
3.1 程序中嵌入?yún)R編指令時注意書寫格式 見例3。
例3
…………
while(1) {#asmwhile(1) {
…… #asm /*應(yīng)另起一行*/
#endasm ……
}/*不能正確編譯*/ #endasm
…… }/*編譯通過*/
……
當內(nèi)嵌匯編指令時，從“#asm”到“endasm”每條指令都必須各占一行，否則編譯時會出錯。
以上便是此次小編帶來的“pic單片機”相關(guān)內(nèi)容，希望大家對本文介紹的兩大方面內(nèi)容具備一定的認知。如果你喜歡本文，不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦，小編將于后期帶來更多精彩內(nèi)容。最后，十分感謝大家的閱讀，have a nice day!
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