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[導讀] Mentor Graphics 公司宣布推出全新 Calibre xACT 寄生電路參數(shù)提取平臺,該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求,同時最大限度地減少 IC 設計工程師的猜測和設置功夫

21ic訊 Mentor Graphics 公司宣布推出全新 Calibre® xACT™ 寄生電路參數(shù)提取平臺,該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求,同時最大限度地減少 IC 設計工程師的猜測和設置功夫。 Calibre xACT 平臺可借由自動優(yōu)化電路參數(shù)提取技術,針對客戶特定的工藝節(jié)點、產(chǎn)品應用、設計尺寸大小及電路參數(shù)提取目標,實現(xiàn)精準度和周轉時間 (TAT) 的最佳組合。 采用 Calibre xACT 平臺進行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴格的精準度要求的同時,還讓客戶體驗到了減少高達 10 倍的周轉時間。

Samsung 在用于 14nm 技術的 Calibre xACT 平臺的開發(fā)和認證方面與 Mentor

Graphics 有著廣泛的合作,并憑借該平臺的高精準度性能將其應用于技術開發(fā)。

Calibre xACT 產(chǎn)品能夠將單個規(guī)則檔案應用于一系列電路參數(shù)提取應用,使客戶能夠兼顧精準度和快速 TAT(Turn Around Time),且無需手動修改其規(guī)則檔案或工具配置。

“我們在對領先的電路參數(shù)提取產(chǎn)品進行了仔細的基準檢驗后,選擇了將Calibre xACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標準并應用到我們所有的新一代設計中,”Cypress Semiconductor 公司 CAD 總監(jiān) Dragomir Nikolic 說道。 “包括在90 nm和65 nm制程節(jié)點上的產(chǎn)品。 我們發(fā)現(xiàn),在眾多目標在最尖端工藝節(jié)點電路參數(shù)提取產(chǎn)品中,Calibre xACT 可提供高精準度和快速周轉時間的最佳組合。 此外,我們也看到 Calibre xACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應用(從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提取)中產(chǎn)生最佳結果,這種能力是非常有價值的。”

在整個設計周期內,電路設計工程師必須在性能和精準度之間權衡取舍。 寄生電路參數(shù)提取也不例外。 在使用較為復雜的 FinFET 組件的先進工藝節(jié)點上,設計工程師始終致力于追求更為嚴苛的精準度,也需要更高的性能和容量來實現(xiàn)十億級晶體管設計。 事實上,在現(xiàn)代 IC 中,所有制程節(jié)點都隨著內存、模擬電路、標準單元庫以及客制化數(shù)字內容的混合變得日益復雜。這種復雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。 為了應對這些挑戰(zhàn),Calibre xACT 平臺將精簡模型、解電磁場技術(Field Solver)以及高效的多 CPU 擴展 (scaling)技術融為一體,以確保實現(xiàn)有可靠精準度并滿足計劃所要求的期限。

Calibre xACT 電路參數(shù)提取平臺與整個 Calibre 產(chǎn)品線整合,實現(xiàn)了無縫驗證流程,其中包括用于完整晶體管級模型的 Calibre nmLVS™ 產(chǎn)品,以及用于針對極高精準度電路參數(shù)提取應用的 Calibre xACT 3D 產(chǎn)品。 此外,它還納入了第三方設計環(huán)境和格式,以確保與現(xiàn)有的設計和仿真流程相兼容。

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