您是否聽到有人抱怨每天要為4G電話充電兩次?很遺憾，他對(duì)自己的手機(jī)并不太滿意。

隨著人們對(duì)高速數(shù)據(jù)讀寫的需求與日俱增，而電池的容量卻無(wú)法跟上通信技術(shù)前進(jìn)的步伐，這種現(xiàn)象一直屢見不鮮。 這并不是電池的問題，而是我們需要一種技術(shù)來(lái)使手機(jī)放大器變得更為強(qiáng)大。 過去普遍采用普通的DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)控制手機(jī)電池電量流入不同的芯片。 這包括將手機(jī)信號(hào)驅(qū)動(dòng)回基站的功率放大器(PA)，對(duì)于2G和3G信號(hào)，由于峰均功率比(PAPR)相對(duì)較小，該功率放大器可以很好地工作。 但隨著技術(shù)從GSM發(fā)展到GPRS、WCDMA直至HSPA，PAPR也大幅升高。 現(xiàn)在LTE或4G具有非常高的PAPR，極大影響了手機(jī)的耗電量。 圖1顯示的是基于設(shè)備電池特定功率輸入的典型PA輸出隨技術(shù)發(fā)展的變化。

圖1.不同無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)的PAPR演示： 該圖顯示的是一個(gè)典型PA的電池輸入功率(Pin)和輸出功率之比。信號(hào)功率壓縮隨著不同的PA設(shè)計(jì)而異，但PAPR則保持不變。

DC-DC轉(zhuǎn)換器在信號(hào)功率達(dá)到峰值時(shí)以線性方式吸收設(shè)備電池的電量，這種效率并不高。 提高電能效率的一種方式是預(yù)測(cè)手機(jī)信號(hào)的峰值，然后僅向PA提供所需的電量。這種供電方式稱為功率包絡(luò)跟蹤(ET)。 圖2顯示的是ET方法。

圖2. 當(dāng)傳輸波形(以紅色標(biāo)示)的功率不為峰值時(shí)，ET供電方法(以藍(lán)色標(biāo)示)可減少電能的浪費(fèi)。

在過去十年中，功率包絡(luò)跟蹤技術(shù)已經(jīng)解決了基站的這一難題，不僅節(jié)省了功耗，還可防止過熱，這是由于PA可以處理大約200W或更高的功率。 現(xiàn)在，半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一定程度，DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于移動(dòng)設(shè)備，可為PA提供所需的調(diào)制功率，這種技術(shù)出現(xiàn)得非常及時(shí)，因?yàn)長(zhǎng)TE等4G技術(shù)正在不斷地迫使人們提高PA的效率。 現(xiàn)在我們?nèi)绾螠y(cè)試這一新技術(shù)? 以下是一個(gè)PA測(cè)試解決方案的測(cè)試流程概述。

ET測(cè)試的挑戰(zhàn)

ET測(cè)試使得原本就非常復(fù)雜的系統(tǒng)變得更為復(fù)雜。 采用ET技術(shù)的第一個(gè)挑戰(zhàn)就是生成調(diào)制的供電電源，該電源需要高達(dá)2W的功率和數(shù)十兆赫茲的帶寬。 這些要求對(duì)于電源來(lái)說并不常見，因此許多PA制造商使用經(jīng)改良的DC-DC轉(zhuǎn)換器來(lái)執(zhí)行功率調(diào)制。 這些芯片可接受直流電源、用于控制放大器增益的包絡(luò)波形以及用于控制芯片的一些數(shù)字線的輸入。 輸出是一個(gè)高功率調(diào)制波形，用于提高待測(cè)放大器的放大功能。 詳見圖3了解典型的RF PA測(cè)試設(shè)置，該設(shè)置已進(jìn)行擴(kuò)展，可支持ET。

圖3. 圖為RF PA測(cè)試的典型配置，可實(shí)現(xiàn)包絡(luò)跟蹤。

從測(cè)試和特征記述的角度來(lái)看，主要的挑戰(zhàn)在于對(duì)執(zhí)行ET所必需的不同儀器進(jìn)行同步。 最為重要的是，必須以最低程度的抖動(dòng)同步RF信號(hào)發(fā)生器和基帶任意波形發(fā)生器(AWG)。 此外，它必須能夠以次納秒的精度偏移基帶包絡(luò)相對(duì)于RF波形的延遲。 如果使用傳統(tǒng)臺(tái)式儀器，要實(shí)現(xiàn)這一程度的同步是非常困難的，而且還很有可能會(huì)涉及不同廠商的硬件，使應(yīng)用軟件變得更復(fù)雜。

NI簡(jiǎn)化了同步問題，并將軟硬件集成到一個(gè)平臺(tái)上，從而盡可能地使該流程變得簡(jiǎn)單明了。 PXI背板(見 圖4)可用于路由機(jī)箱內(nèi)實(shí)現(xiàn)同步所需的所有時(shí)鐘和觸發(fā)線，因而無(wú)需外部時(shí)鐘和觸發(fā)來(lái)路由網(wǎng)絡(luò)。 為了實(shí)現(xiàn)次納秒級(jí)的同步和可重復(fù)性，采用NI-TCLK來(lái)協(xié)調(diào)多個(gè)模塊化儀器間的時(shí)鐘和觸發(fā)分布。 如需詳細(xì)了解NI-TClk如何以低達(dá)20psrms的抖動(dòng)來(lái)同步多個(gè)儀器，請(qǐng)閱讀NI T-Clock技術(shù)用于模塊化儀器定時(shí)和同步。

圖4. 圖為PXI Express背板以及時(shí)鐘和觸發(fā)原理圖。

最后, NI的各種模塊化儀器產(chǎn)品可用作為具有ET功能的RF PA測(cè)試設(shè)置的每一個(gè)組件。 您也可將完整的PA測(cè)試系統(tǒng)集成到一個(gè)PXI機(jī)箱和統(tǒng)一的硬件驅(qū)動(dòng)API集合，這可極大簡(jiǎn)化系統(tǒng)的集成和測(cè)試開發(fā)。

1. NI測(cè)試解決方案

硬件設(shè)置

如果要對(duì)標(biāo)準(zhǔn)PA測(cè)試解決方案進(jìn)行改良以適應(yīng)ET測(cè)試，必須在系統(tǒng)中添加AWG(見圖3)。 AWG必須能夠驅(qū)動(dòng)單端和差分負(fù)載，應(yīng)用常見模式和微分直流偏移、可變?cè)鲆嬖O(shè)置以及靈活的時(shí)鐘選項(xiàng)。 NI PXIe-5451是一款可滿足所有這些需求的400 MS/s雙通道AWG。 它還包含許多板載信號(hào)處理函數(shù)，其中包括用于脈沖整形和插值的脈沖響應(yīng)(FIR)濾波、平坦度校正以及可減少軟件預(yù)處理的數(shù)字上變頻器。了解更多關(guān)于NI PXIe-5451的信息。

在該應(yīng)用中使用的RF信號(hào)發(fā)生器是6.6 GHz NI PXIe-5673E矢量信號(hào)發(fā)生器(VSG)，其帶寬超過100 MHz。 NI PXIe-5673E是由三個(gè)獨(dú)立的模塊組成： NI PXIe-5450任意波形發(fā)生器、NI PXIe-5652本地振蕩器和NI PXIe-5611 I/Q矢量調(diào)制器。

圖5. NI PXIe-5673E VSG的正面圖展示了三個(gè)獨(dú)立的模塊。

圖6顯示的是驗(yàn)證VSG和AWG同步和重復(fù)性所使用的設(shè)置。 NI PXIe-5673E VSG用于生成RF波形，NI PXIe-5451用于生成基帶包絡(luò)波形。 NI PXIe-5154 1 GHz數(shù)字化儀用于同步驗(yàn)證，但也可使用任何具有足夠高采樣率和帶寬的示波器。

圖6. 該測(cè)試設(shè)置驗(yàn)證了AWG和VSG是同步的。

為了同步AWG和VSG，兩個(gè)設(shè)備必須共享同一個(gè)10 MHz參考時(shí)鐘。 參考時(shí)鐘的來(lái)源可以是NI PXI 10 MHz背板時(shí)鐘，也可以是外部提供的10 MHz時(shí)鐘。

軟件

圖7顯示的是生成實(shí)現(xiàn)ET所需的RF和包絡(luò)波形所必需的軟件步驟。 要生成的LTE波形可使用NI LTE工具包來(lái)創(chuàng)建，或從文件中讀取。 然后便可計(jì)算包絡(luò)波形，包絡(luò)波形是LTE波形的一個(gè)函數(shù)。 您也許還希望進(jìn)行一些額外的信號(hào)處理，比如數(shù)字預(yù)失真或其他濾波操作來(lái)優(yōu)化用于ET的波形。 可對(duì)VSG進(jìn)行配置來(lái)生成LTE波形，NI PXIe-5451的配置與NI PXIe-5673E VSG中的NI PXIe-5450 AWG相似(見圖5)。 接著包絡(luò)波形便可相對(duì)RF波形進(jìn)行時(shí)移，并與用于控制波形生成的硬件腳本一起寫入到板載內(nèi)存中。 (查看下面關(guān)于“波形生成延遲實(shí)現(xiàn)”的內(nèi)容，了解包絡(luò)波形時(shí)移算法。) 最后，多個(gè)設(shè)備可通過TClk來(lái)進(jìn)行同步和初始化。

圖7. 圖為生成ET所需的RF和包絡(luò)波形所必需的軟件流程簡(jiǎn)圖。

同步基帶包絡(luò)發(fā)生器和RF信號(hào)發(fā)生器所需的軟件相對(duì)簡(jiǎn)單。 VSG和AWG共享同一參考時(shí)鐘后，NI-TClk便可用于同步環(huán)節(jié)。 此時(shí)，對(duì)AWG和VSG生成的波形進(jìn)行相位鎖定，兩個(gè)波形之間存在可重復(fù)延遲。 該延遲是由于NI-TClk沒有計(jì)算NI PXIe-5450 AWG到NI PXIe-5611 I/Q調(diào)制器之間的模擬路徑而產(chǎn)生的(詳見圖5)。 由于該延遲為常數(shù)，因此可通過設(shè)置AWG相對(duì)于VSG的延遲來(lái)進(jìn)行消除。 對(duì)于許多ET應(yīng)用，AWG相對(duì)于VSG的延遲(或VSG相對(duì)于AWG的延遲)對(duì)于找到延遲優(yōu)化設(shè)備性能至關(guān)重要。 該延遲必須是可重復(fù)的，且具有最低程度的抖動(dòng)，這是因?yàn)榫退阊舆t只偏離最佳值幾納秒，也會(huì)使設(shè)備的線性度減少若干個(gè)dB。

波形生成延遲實(shí)現(xiàn)

記?。篤SG和AWG之間的延遲控制對(duì)于ET芯片測(cè)試和特性記述是至關(guān)重要的。 該延遲可通過在硬件中添加等待采樣和偏移采樣時(shí)鐘或通過在軟件中使用DSP來(lái)實(shí)現(xiàn)。 雖然在硬件中可實(shí)現(xiàn)該延遲，但是它需要ET波形重新采樣至200 MHz才能指定納秒級(jí)分辨率的延遲。 由于并非每個(gè)用戶都能夠?qū)Σㄐ芜M(jìn)行重新采樣，因此我們更傾向于在軟件中實(shí)現(xiàn)延遲。

2. 結(jié)果

在NI LabVIEW系統(tǒng)設(shè)計(jì)軟件和ANSI C中均附有用于同步波形并可讓用戶能夠?qū)崿F(xiàn)一個(gè)波形相對(duì)另一個(gè)波形的皮秒級(jí)分辨率延遲的范例代碼。項(xiàng)目范例位于本文結(jié)尾處。 圖9 顯示的是使用NI PXIe-5154 1 GHz數(shù)字化儀進(jìn)行數(shù)據(jù)采樣的LabVIEW采樣代碼的典型結(jié)果。 在本范例中，基帶包絡(luò)信號(hào)僅為經(jīng)換算的LTE波形幅度。 從圖中我們可以看出基帶包絡(luò)與RF波形是一致的。

圖9. RF LTE波形與基帶包絡(luò)

圖10顯示的是LabVIEW ET演示操作的前面板界面。 除了一些標(biāo)準(zhǔn)的硬件資源控件外，還有其他一些參數(shù)也值得說明一下。 首先是波形IQ率。 本操作演示中，假定RF和包絡(luò)波形均以相同的速率采樣，速率可以是任意值。 之前我們討論的，如果要以任意量延遲包絡(luò)和RF波形，兩個(gè)波形均要以200 MHz的頻率重新采樣。第二個(gè)重要參量是是AWG相對(duì)VSG的延遲控件。 控件實(shí)際上用于控制包絡(luò)相對(duì)于RF波形的延遲，可通過輸入負(fù)值來(lái)控制RF波形相對(duì)于包絡(luò)的延遲。

從圖9的RF和包絡(luò)波形中,我們很難確定精度為納秒級(jí)的波形延遲是否與預(yù)期一致。 圖10中的波形圖顯示的是一個(gè)RF和包絡(luò)波形范例導(dǎo)出的數(shù)字化標(biāo)記事件。 使用標(biāo)尺，可以看到，RF波形相對(duì)于包絡(luò)延遲了7 ns，這主要是由于NI PXIe-5611上變頻器的路徑延遲和電纜長(zhǎng)度差異。 如果要使兩個(gè)波形完全重疊，則 AWG相對(duì)于VSG控件應(yīng)設(shè)置為7 ns，如圖11所示。

圖10. LabVIEW ET演示操作前面板: 標(biāo)記事件從VSG和AWG中導(dǎo)出。 使用標(biāo)尺，可以看到RF波形相對(duì)于AWG延遲了7 ns。

圖 11. RF波形和包絡(luò)波形之間的7 ns延遲可通過延遲AWG 7 ns進(jìn)行補(bǔ)償。

使用傳統(tǒng)的直流電源會(huì)消耗大量的電能，這使得對(duì)于LTE功率放大器而言，ET性能就變得至關(guān)重要。 雖然該技術(shù)有望顯著提高PA效率，但是修改現(xiàn)有測(cè)試和特性記述設(shè)置來(lái)適應(yīng)ET是一件非常困難且成本不菲的挑戰(zhàn)。 借助NI平臺(tái)和本文提供的采樣代碼，您可以對(duì)現(xiàn)有NI PXI功率放大器測(cè)試站進(jìn)行改進(jìn)，以支持ET，且所花費(fèi)的成本和時(shí)間遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)臺(tái)式設(shè)備所要求的。