本文說明了使用示波器和波形發(fā)生器對元器件進行測試的方法。將展示電容、電感、二極管、雙極晶體管及電纜的測試過程。這些測試方法可用于確定故障部件或識別無標注元器件的作用。

　　測試配置

　　本測試案例的基本理念是通過波形發(fā)生器在該元器件上施加一個激勵，并通過示波器測量它的響應。安捷倫InfiniiVision X系列示波器采用內置波形發(fā)生器，可為元器件測試提供便利的“一體化”解決方案。應當注意的是，示波器不能完全替代專用的元器件測試儀，后者能提供更高的精度和更全面的測試。

　　圖1顯示了測量配置。波形發(fā)生器連接到示波器輸入端，另一支路連接至被測件(DUT)。對于表貼元器件的測試，推薦使用安捷倫11060A(或相近產品)進行測試。通過波形發(fā)生器的50Ω內阻，對被測件施加電壓。通過示波器輸入通道測量被測件上的電壓。該示波器受到波形發(fā)生器的觸發(fā)。安捷倫X系列示波器內置了觸發(fā)連接，無需使用額外的電纜連接和觸發(fā)配置設置。用戶只需選擇波形發(fā)生器作為觸發(fā)源即可完成觸發(fā)。

　　電容和電感測試

　　圖2顯示了示波器在沒有連接被測件時的配置和測量。取平均法可以降低噪聲進而提高精度。打開Min、Rise和Fall(10-90%)自動測量，觸發(fā)點的位置設在左側。

　　圖2：電容和電感的測試與測量(未連接被測件時)。

　　使用一個10Hz、100mVpp的方波作為激勵。針對被測件進行低電壓在線測試，無需再連接偏置半導體器件。這種低電壓測試還可以最大程度減少極化電容中可能會降低測量精度的反向泄漏電流.

　　電容測試

　　電容作為被測件時，電路配置為典型的電阻-電容(R-C)結構，其中R是函數(shù)發(fā)生器的50Ω內阻。示波器的輸入阻抗為1MΩ，遠遠超過波形發(fā)生器的50Ω內阻(可以忽略后者)。在測量上升時間(10-90%)時，根據(jù)下面公式可以算出被測件的電容值：

　　公式1

　　為了獲得最精確的測量結果，必須對測試系統(tǒng)的電容進行測量，并考慮它對測試的影響。在確定值時，我們建議首先測量一個已知的、精確的1nF電容，隨后在測量結果中減去1nF即為值。圖3顯示了1nF電容測量。通過上升時間測量(圖3)可計算出電容值是1.24nF，因此值約為0.24nF。

　　圖3：1nF電容的測試與測量。

　　必須認真調整示波器的s/div設置以便顯示完整的跳變;但不能將顯示速度調得過慢，否則會導致分辨率不足、無法精確地測量跳變。根據(jù)實際經驗，最好將s/div設置在已測上升時間(或下降時間)的1/2~2倍之間。假設已測上升時間是175ns，則s/div應當設為100ns/div或200ns/div。

　　求出值后，可進一步對大于1nF的電容進行測試。因受到波形發(fā)生器的頻率限制，可測得的電容數(shù)值上限為100uF。降低波形發(fā)生器的頻率即可測試較大的電容數(shù)值。圖4顯示了47nF電容測量。在本例中，推算出的電容值是45.9nF。

　　圖4：47nF電容的測試與測量。

　　請注意，邊沿跳變開始時會出現(xiàn)“尖峰”。在激勵邊沿通過測試系統(tǒng)電纜到達被測件并返回的過程中會出現(xiàn)這個尖峰。它是導致無法精確測得低于1nF的電容值的主要原因。通過對被測件進行較短的連接(<6英寸)可以降低尖峰的干擾，從而能夠測試低至250pF的電容值
電感測試

　　電感作為被測件時，電路配置為電阻-電感(R-L)結構。本例將會測量下降時間。通過測量可得到電感的直流電阻(DCR)。將DCR添加到波形發(fā)生器的50Ω輸出電阻中，可確定R的總值。電感與下降時間的關系可由下面公式得出:

　　公式2

　　波形發(fā)生器的上升時間把可測得的最小電感值限定為10uH，其上限取決于電感的DCR。DCR過高時，示波器無法自動測量下降時間。在這種情況下需要手動測量下降時間。

　　圖5顯示了1200uH電感測量。需注意的是，因為受到電感的DCR影響，直流電壓明顯下降。電感值約為1208uH。故障電感或電容會得出錯誤的數(shù)值，或是顯示為開路或短路。開路被測件的圖像如圖2所示，而短路被測件則像是一條水平線。

　　圖5：1200uF電感的測試與測量。

　　二極管和雙極晶體管測試

　　圖6顯示了示波器在未連接被測件時的配置和測量。對于二極管測試，波形發(fā)生器可配置為一個+/-2.5V的斜波信號(100Hz時)。這種低頻測試需采用高分辨率模式來降低噪聲。同時還要打開Max和Min自動測量，觸發(fā)點的位置設在中間。

　　圖6：二極管測試與測量(未連接被測件時)。

　　這種測試方法與傳統(tǒng)的曲線追蹤儀不同。曲線追蹤儀可以繪制被測件的電流與電壓。采用這個測試方法時，示波器的水平軸表示波形發(fā)生器的電壓，垂直軸表示被測件上的電壓。與曲線追蹤儀不同的是，波形發(fā)生器的幅度較低，不適合測試反向擊穿電壓。

　　該測試方法可對被測件施加大量的電流。假設二極管兩極的電壓下降0.7V，那么波形發(fā)生器的50Ω輸出電阻上會存在最大1.8V的電壓。這意味著流經二極管的電流最大為36mA。如果被測件無法容忍這個電流電平，那么就必須降低波形發(fā)生器的幅度
二極管測試

　　現(xiàn)在我們介紹幾種不同的二極管測量。圖7顯示了通用硅二極管測量。不出所料，該二極管在大約0.5V的正向偏壓時導通，最高需0.7V。

　　圖7：通用硅二極管測試與測量。

　　以圖8中的小信號二極管為比照，小信號二極管的正向偏壓斜率較大，因而具有較高的導通電阻特性。圖9顯示的是一個肖特基二極管，這類二極管需要較低的導通電壓值(0.26V)。

　　圖8：小信號硅二極管測試與測量。

　　圖9：肖特基二極管的測試與測量。

　　故障二極管顯示為開路或短路。開路二極管的圖像如圖6所示，而短路二極管則像是一條水平線。LED也可通過這種方法進行測試。如果需要，通過提高波形發(fā)生器的偏置，可為LED提供更多的電壓。

　　雙極晶體管測試

　　雙極晶體管測試可采用與二極管測量相同的方法。首先要確定發(fā)射極-基極和集電極-基極的連接能夠像二級管一樣運行。隨后要確認集電極-發(fā)射極不會短路，也就是說要像開路電路一樣運行。
電纜測試

　　對于電纜測試，波形發(fā)生器可配置為輸出一個100Hz、0V～1V的方波，如圖10所示。取平均法可以降低噪聲;觸發(fā)點的位置設在左側。使用光標對波形參數(shù)進行手動測量。這種測試方法等效于一個低速時域反射計(TDR)。

　　圖10：電纜測試與測量(未連接被測件時)。

　　圖11顯示了對長度未知的雙絞線進行測量。雙絞線的阻抗可通過下面公式計算：

　　圖11：雙絞線的測試與測量。

　　公式3

　　為第一個步進的電壓(在觸發(fā)點的步進)，使用示波器光標進行手動測量而得。在本例中，是660mV，因此可算出約為97Ω(這類電纜的典型值)。雙絞線的遠端是開路電路，顯示為突然增加的電平，即最右側X光標所在的位置。

　　圖12顯示了對長度未知的RG-58電纜進行測試。根據(jù)測量，可得出阻抗值為51Ω。這個值是RG-58的預期值。測量結果還顯示電纜的終端是短路的，此時電壓回零。如果已知電纜的傳播時延，可通過下面公式計算出它與短路的距離：

　　圖12：RG-58電纜(含短路)測試與測量。

　　公式4

　　RG-58的傳播時延是1.54ns/ft。通過光標可測得的值為191ns。由此得知，電纜與短路的距離是62英尺