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[導(dǎo)讀]本人在運行ucos時遇到一個非常奇怪的問題,運行一段時間后就會莫名進入hardfault函數(shù),導(dǎo)致系統(tǒng)死機。后來根據(jù)對堆棧調(diào)試,發(fā)現(xiàn)每次調(diào)用的函數(shù)都不一樣,甚是費解。通過map文件最后得出結(jié)論,原來在系統(tǒng)初始化的時候

本人在運行ucos時遇到一個非常奇怪的問題,運行一段時間后就會莫名進入hardfault函數(shù),導(dǎo)致系統(tǒng)死機。后來根據(jù)對堆棧調(diào)試,發(fā)現(xiàn)每次調(diào)用的函數(shù)都不一樣,甚是費解。通過map文件最后得出結(jié)論,原來在系統(tǒng)初始化的時候在flash里面讀出了系統(tǒng)配置參數(shù),在系統(tǒng)運行過程中會寫flash,而flash定義的地址與程序代碼存儲的位置發(fā)生了重疊,一寫數(shù)據(jù)就擦掉了一些函數(shù),當(dāng)調(diào)用到這些函數(shù)的時候就會發(fā)生未知指令的錯誤。把這個參數(shù)存儲地址定義的分開些就會解決這個問題。可是,開始這個地址寫好了,隨著程序代碼不斷增多,消耗的片上flash也會增大,是個動態(tài)增長的過程,不注意很有可能發(fā)生沖突。所以在項目開發(fā)過程中定期檢查定義的參數(shù)存儲地址,或者干脆把參數(shù)存儲地址定義在程序地址之前。

今天詳細了解一下編譯后的STM32工程,堆棧內(nèi)存分布情況,有助于對堆棧大小分配的理解。打開一個基于STM32f103RET6的工程,具有512KB內(nèi)置flash,以及64KBSRAM,通過map文件可以看出:

名稱

位置

地址

備注

RESET復(fù)位向量

Flash

0x08000000

上電執(zhí)行的第一條代碼

庫函數(shù)代碼段

Flash

0x08000144

在程序中調(diào)用的庫函數(shù),例如字符串處理函數(shù)、內(nèi)存分配函數(shù)等

用戶自定義函數(shù)代碼段

Flash

0x08001110

工程模板函數(shù)庫、用戶自定義函數(shù)編譯后的代碼,以函數(shù)名首字母排序

.constdata

Flash

0x0800d07c-0x0800d680

用戶定義的常量

剩余空間

Flash



名稱

位置

地址

備注

.data

SRAM

0x20000000

數(shù)據(jù)段,以及初始化的全局變量

.bss

SRAM

0x20000268

未初始化的全局變量

HEAP(堆)

SRAM

0x200033e8

啟動文件定義的堆空間開始,程序調(diào)用malloc自由分配的內(nèi)存在堆上

STACK(棧)

SRAM

0x200073e8

啟動文件定義的??臻g開始,各個函數(shù)中的局部變量空間分配到棧上

剩余空間

SRAM



例如在這個工程中,flash自定義參數(shù)存儲地址,不要定義在0x0800d680之前。


另外,還可以看出在SRAM里,分配存儲的是全局變量區(qū),未初始化變量區(qū),堆以及棧。要注意的是,如果堆和棧定義的過小,程序默認定義都不大,一旦使用了一個較大的局部變量,有可能造成棧空間溢出,覆蓋掉堆空間甚至上面的全局變量區(qū),造成系統(tǒng)出錯的問題。例如在做IAP的過程中,每當(dāng)向flash寫入512個字節(jié)時,由于大容量STM32片上flash塊大小為2K,寫之前要先讀出,調(diào)用寫函數(shù)的時候就自動創(chuàng)建一個2K大小的局部變量,由于棧是向上增長的,自然會覆蓋堆以及全局變量區(qū),造成未知的錯誤。根據(jù)片上SRAM的資源,將堆和棧適當(dāng)調(diào)大一些為好,比如各設(shè)置為4K大小。


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