以下內(nèi)容主要是針對(duì)DDR2 667內(nèi)存的設(shè)計(jì)。

信號(hào)分組：

DDR2的布線中習(xí)慣把信號(hào)分成若干組來進(jìn)行設(shè)計(jì)，分成同組的信號(hào)具有相關(guān)或者相似的信號(hào)特性。

時(shí)鐘組：差分時(shí)鐘信號(hào)，每一對(duì)信號(hào)都是同頻同相的。ckp0和ckn0為一對(duì)。

數(shù)據(jù)組：對(duì)主板64位DDR2內(nèi)存來說數(shù)據(jù)每8位（也就是一個(gè)byte）為一組可以分為八組，數(shù)據(jù)dq[0:7]、數(shù)據(jù)掩碼dqm0、數(shù)據(jù)選通差分信號(hào)dqsp0和dqsn0為一組，以此類推。同個(gè)數(shù)據(jù)組的信號(hào)應(yīng)該在同一個(gè)信號(hào)層上走線，換層也應(yīng)該一起換，為了方便在同一個(gè)信號(hào)層走線可以將數(shù)據(jù)位互換。比如dq2信號(hào)在走線的時(shí)候發(fā)現(xiàn)如果按照原理圖來走線會(huì)跟dq4交錯(cuò)，這樣就不得不換層走線，我們通過互換數(shù)據(jù)位就可以使信號(hào)走同層，對(duì)內(nèi)存來說每一位存進(jìn)什么內(nèi)容讀出也是什么內(nèi)容，互換不會(huì)受影響，但是互換的條件必須是在同一組內(nèi)8個(gè)bit之間。

地址/命令組：MA[0:14]、BA0、BA1、BA2、RAS、CAS、WE

控制組：時(shí)鐘使能CKE、片選CS、終端電阻選通ODT為一組，對(duì)內(nèi)存條來說DIMM0用到了CKE0、CKE1、CS0、CS1、ODT0、ODT1。做板載內(nèi)存設(shè)計(jì)的時(shí)候，可以只用CKE0、CS0、ODT0，控制4片16位的內(nèi)存芯片。

疊層：

對(duì)六層板來說一般的疊層都是top、GND、singnal2、singnal3、POWER、bottom，信號(hào)一般情況下以GND為參考平面比較好。走線的阻抗由走線寬度、走線的銅箔厚度、走線到參考平面的距離、參考平面的銅箔厚度和板介質(zhì)材料決定，設(shè)計(jì)的時(shí)候應(yīng)該遵守CPU廠家阻抗設(shè)計(jì)要求來設(shè)置疊層。一般設(shè)計(jì)軟件也能計(jì)算阻抗，找生產(chǎn)廠家了解了板材介質(zhì)厚度的資料后可以自行設(shè)計(jì)疊層、線寬。地址/命令信號(hào)、控制信號(hào)可以以1.8V內(nèi)存工作電壓為參考平面。

長度控制：

對(duì)DDR2這種高頻的信號(hào)來說走線長度應(yīng)該計(jì)算到CPU核心，這就引入了一個(gè)叫封裝長度的概念。硅晶元經(jīng)過物理化學(xué)的方法刻蝕而成CPU核心，再將CPU核心封裝到一塊小的基板上就成了我們常見的CPU。那塊小的上管腳到CPU核心的走線長度被稱為封裝長度。

到同一行列（rank）內(nèi)存的時(shí)鐘長度應(yīng)該控制在正負(fù)5mil以內(nèi)。

同一個(gè)數(shù)據(jù)組內(nèi)所有走線長度控制在數(shù)據(jù)選通信號(hào)DQS的正負(fù)20mil范圍內(nèi)為宜，不同數(shù)據(jù)組之間長度可以不同，但是應(yīng)該控制在時(shí)鐘信號(hào)的正負(fù)500mil以內(nèi)。

地址/命令組信號(hào)長度控制不是特別嚴(yán)格，INTEL凌動(dòng)N450要求控制在時(shí)鐘信號(hào)負(fù)500mil到正1000mil以內(nèi)。也就是說最長和最短的信號(hào)可以相差1500mil，但是布線的時(shí)候還是盡量把信號(hào)長度差縮小比較好。布線的時(shí)候這組信號(hào)長度完全相等也沒有問題，但是這樣占用的空間也大，花費(fèi)的時(shí)間也多。如果地址/命令信號(hào)長度超出時(shí)鐘信號(hào)幾千mil，那就需要在BIOS固件中好好調(diào)節(jié)了?？刂圃贑PU要求的范圍內(nèi)，需要做板載內(nèi)存的時(shí)候只需要配置好內(nèi)存SPD就可以了。

控制組信號(hào)長度控制要求和地址/命令組信號(hào)的要求類似，設(shè)計(jì)的時(shí)候應(yīng)該按照CPU廠家的要求來做，INTEL凌動(dòng)N450要求控制在時(shí)鐘信號(hào)0mil到正1000mil以內(nèi)。

走線間距：

一般來說走線都應(yīng)該按照3W原則來走線，也就是同一個(gè)平面上線與線的間距為3倍線的寬度。但是這個(gè)不是必須的，intel要求的就比較小。一般走線蜿蜒線的間距可以為16到20mil，對(duì)時(shí)鐘信號(hào)可以加大到30mil。不同組信號(hào)之間的距離應(yīng)該適當(dāng)拉大，可以為20mil以上，地址/命令組和控制組信號(hào)的間距可以比較小8mil以下都可以。BGA扇出的地方間距可以小，出線后應(yīng)該以CPU設(shè)計(jì)要求來走線。

其它：

VREF走線可以用一根20mil的線，每接到一個(gè)器件應(yīng)該加一個(gè)0.1uf的電容。

VTT走線應(yīng)該在135mil以上，每四個(gè)電阻接一個(gè)0.1uf電容，兩端接10uf大電容。

點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)的信號(hào)，如地址/命令信號(hào)、控制信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)應(yīng)該按照“T”形走線，也就是芯片中間走上再分支，長度應(yīng)該滿足CPU設(shè)計(jì)要求。附拓?fù)鋱D：