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[導(dǎo)讀] 什么是SLC?SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,

 

什么是SLC?

SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。

SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄,在寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓,然后透過(guò)源極,即可將所儲(chǔ)存的電荷消除,通過(guò)這樣的方式,便可儲(chǔ)存1個(gè)信息單元,這種技術(shù)能提供快速的程序編程與讀取,不過(guò)此技術(shù)受限于Silicon efficiency的問(wèn)題,必須要由較先進(jìn)的流程強(qiáng)化技術(shù)(Process enhancements),才能向上提升SLC制程技術(shù)。

什么是MLC?

MLC英文全稱(chēng)(Multi Level Cell——MLC)即多層式儲(chǔ)存。主要由東芝、Renesas、三星使用。

英特爾(Intel)在1997年9月最先開(kāi)發(fā)成功MLC,其作用是將兩個(gè)單位的信息存入一個(gè)Floating Gate(閃存存儲(chǔ)單元中存放電荷的部分),然后利用不同電位(Level)的電荷,通過(guò)內(nèi)存儲(chǔ)存的電壓控制精準(zhǔn)讀寫(xiě)。MLC通過(guò)使用大量的電壓等級(jí),每一個(gè)單元儲(chǔ)存兩位數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)密度比較大。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值,而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值,因此,MLC架構(gòu)可以有比較好的儲(chǔ)存密度。

與SLC比較MLC的優(yōu)勢(shì):

簽于目前市場(chǎng)主要以SLC和MLC儲(chǔ)存為主,我們多了解下SLC和MLC儲(chǔ)存。SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)值,而MLC架構(gòu)可以一次儲(chǔ)存4個(gè)以上的值,因此MLC架構(gòu)的儲(chǔ)存密度較高,并且可以利用老舊的生產(chǎn)程備來(lái)提高產(chǎn)品的容量,無(wú)須額外投資生產(chǎn)設(shè)備,擁有成本與良率的優(yōu)勢(shì)。
與SLC相比較,MLC生產(chǎn)成本較低,容量大。如果經(jīng)過(guò)改進(jìn),MLC的讀寫(xiě)性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。

與SLC比較MLC的缺點(diǎn):

MLC架構(gòu)有許多缺點(diǎn),首先是使用壽命較短,SLC架構(gòu)可以存取10萬(wàn)次,而MLC架構(gòu)只能承受約1萬(wàn)次的存取。

其次就是存取速度慢,在目前技術(shù)條件下,MLC芯片理論速度只能達(dá)到2MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。

再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。

雖然與SLC相比,MLC缺點(diǎn)很多,但在單顆芯片容量方面,目前MLC還是占了絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。由于MLC架構(gòu)和成本都具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì),能滿(mǎn)足未來(lái)2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場(chǎng)需求。

SLC與MLC的識(shí)別:

一、看傳輸速度比如有兩款采用Rockchip芯片的產(chǎn)品,測(cè)試時(shí)寫(xiě)入速度有2、3倍優(yōu)勢(shì)的應(yīng)該是SLC,而速度上稍慢的則是MLC。即使同樣采用了USB2.0高速接口的MP3,也不能改變MLC寫(xiě)入慢的缺點(diǎn)。

二、看FLASH型號(hào)

一般來(lái)說(shuō),以K9G或K9L為開(kāi)頭型號(hào)的三星閃存則是MLC,以HYUU或HYUV為開(kāi)頭型號(hào)的現(xiàn)代閃存應(yīng)是MLC。具體芯片編號(hào)以三星和現(xiàn)代為例:三星MLC芯片編號(hào)為:K9G******    K9L*****?,F(xiàn)代MLC芯片編號(hào)為:HYUU****    HYUV***

簡(jiǎn)單總結(jié):

如果說(shuō)MLC是一種新興的閃存技術(shù),那么它的“新”就只體現(xiàn)在:成本低!

雖然MLC的各項(xiàng)指標(biāo)都落后于SLC閃存。但是MLC在架構(gòu)上取勝SLC,MLC肯定是今后的發(fā)展方向,而對(duì)于MLC傳輸速度和讀寫(xiě)次數(shù)的問(wèn)題已經(jīng)有了相當(dāng)多的解決方法,例如采用三星主控芯片,wear leveling技術(shù),4bit ECC校驗(yàn)技術(shù),都可以在采用MLC芯片的時(shí)候同樣獲得很好的使用效果,其性能和使用SLC芯片的沒(méi)有什么差別,而會(huì)節(jié)省相當(dāng)多的成本.

 

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