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掌握閃存技術(shù) 才能解救臺DRAM產(chǎn)業(yè)

由于產(chǎn)業(yè)先前進(jìn)入景氣循環(huán)的低潮，繼之又碰到史上罕見的全球景氣衰退，DRAM產(chǎn)業(yè)的形勢到了2008年下半已經(jīng)到極為險峻的地步。這不僅發(fā)生在國內(nèi)，也發(fā)生在全球各DRAM廠。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大支柱之一，臺灣

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2009-01-04

DRAM 閃存技術(shù) 內(nèi)存 Flash
聯(lián)發(fā)科稱TD手機(jī)產(chǎn)品研發(fā)仍是重點(diǎn)

臺灣芯片廠商聯(lián)發(fā)科近日表示，公司將不會受到國內(nèi)TD手機(jī)發(fā)展進(jìn)度緩慢的影響，明年研發(fā)重點(diǎn)仍放在手機(jī)，特別是TD產(chǎn)品。今年以來，大陸TD手機(jī)發(fā)展進(jìn)度持續(xù)落后，隨中國移動延后第三期TD手機(jī)招標(biāo)，且多家大陸手機(jī)廠商

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2009-01-04

聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片 GSM
業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

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2008-12-24

器件封裝 MOSFET 導(dǎo)通電阻
拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

日前，由臺灣地區(qū)最高經(jīng)濟(jì)主管機(jī)構(gòu)緊急召開的當(dāng)?shù)卮鎯π酒瑯I(yè)拯救會議，并沒有出現(xiàn)期待中的直接以資金落實(shí)救援的計(jì)劃。該機(jī)構(gòu)負(fù)責(zé)人之一、“協(xié)助DRAM產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目小組”召集人施顏祥表示，將采用直接資金援助外加整合的

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2008-12-23

三星爾必達(dá) 美光科技存儲芯片
花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體(000660.KS)目標(biāo)股價及營業(yè)利潤預(yù)測，但花旗指稱，海力士中期展望有扭轉(zhuǎn)回升的可能性。在一份12月17日的研究報告中，花旗將海力士目標(biāo)價由25,500韓圜降至22,500韓圜，并調(diào)降海力士2008年第

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2008-12-23

半導(dǎo)體海力士 DRAM
LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

半導(dǎo)體供應(yīng)商之一意法半導(dǎo)體與韓國最大的化工企業(yè)LG化學(xué)，公布了一項(xiàng)新的汽車電池組技術(shù)的細(xì)節(jié)，這項(xiàng)技術(shù)既可以降低汽油消耗，又可減少汽車的二氧化碳排放量，可以顯著提升電動及混合動力電動汽車（HEV）的市場潛力。

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2008-12-23

意法半導(dǎo)體電池技術(shù) LG 混合動力電動汽車
廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

隨著HynixSemiconductor（海力士半導(dǎo)體公司）宣布削減20%的DRAM內(nèi)存產(chǎn)量，以及各國政府紛紛表示將出面挽救內(nèi)存市場，內(nèi)存價格有了一定的提升。近幾個月來，內(nèi)存供應(yīng)商一直在清理庫存，現(xiàn)在卻開始進(jìn)入供不應(yīng)求的局

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2008-12-22

控制 DDR DRAM 內(nèi)存
芯片需求降低半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備設(shè)備減產(chǎn)

芯片設(shè)備商叫苦，整個電子與高科技業(yè)隨之沉淪。這是非常簡單的等式。電子產(chǎn)品制造商向芯片制造商購買芯片，后者則向如應(yīng)用材料（Applied Materials）和ASML等設(shè)備制造商購買生產(chǎn)設(shè)備。上游出問題，下游情況自然堪慮。

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2008-12-22

半導(dǎo)體芯片 ASML ISUPPLI
英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級NAND閃存

英特爾與意法半導(dǎo)體公司(STMicroelectronics NV)的合資子公司本周四宣布推出用于從手機(jī)、USB設(shè)備到數(shù)碼相機(jī)和MP3播放器等消費(fèi)電子產(chǎn)品的NAND閃存產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用了Numonyx最新的41納米制程工藝，其中包括用于固

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2008-12-22

英特爾 NAND閃存 GB MICROSD
450mm晶圓將緩行

為了提高產(chǎn)品的生產(chǎn)率和利潤，近年來晶圓面積不斷擴(kuò)大，大約每10年升級一次。1991年業(yè)界開始投產(chǎn)200mm晶圓，2001年起步向300mm晶圓過渡，依次類推，ITRS(國際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)和摩爾定律都認(rèn)為，2012年是向走向

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2008-12-19

晶圓半導(dǎo)體技術(shù) SEMI
你們家MEMS了嗎？MEMS已成為半導(dǎo)體業(yè)的全民運(yùn)動

近來全球各大半導(dǎo)體廠似乎掀起一股MEMS熱，無論是最上游的IC設(shè)計(jì)公司、晶圓代工廠、一直到最終端的封裝測試廠，就連半導(dǎo)體機(jī)器設(shè)備商，也一頭栽進(jìn)MEMS世界，甚至近來半導(dǎo)體公司工程人員見面不乏問一句，你們家MEMS了

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2008-12-19

晶圓代工封裝測試 MEMS
日晶片廠商削減或凍結(jié)支出 11月訂單大幅衰退71%

據(jù)路透社報道，根據(jù)周三公布的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)計(jì)算,日本11月半導(dǎo)體制造設(shè)備訂單較上年同期大幅衰退71%,因晶片廠商紛紛削減或凍結(jié)支出. 這是連續(xù)第21個月較上年同期下滑,因金融危機(jī)打擊消費(fèi)者的電子產(chǎn)品需求. 11月半導(dǎo)體制

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2008-12-18

電子晶片半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體設(shè)備
東芝NAND閃存將減產(chǎn)30％，其他半導(dǎo)體生產(chǎn)也將調(diào)整

東芝宣布，2009年1月開始，將在該公司的NAND閃存生產(chǎn)基地四日市工廠（三重縣四日市市）進(jìn)行生產(chǎn)調(diào)整。將把該工廠的產(chǎn)量削減30％左右。由于全球經(jīng)濟(jì)衰退，以面向內(nèi)存卡及便攜式媒體播放器為主的閃存市場需求低迷，供給

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2008-12-18

半導(dǎo)體東芝晶圓 NAND閃存
茂德董事長陳民良：DRAM產(chǎn)業(yè)打不死的話　還是好漢一條!

茂德在財(cái)務(wù)壓力沉重下，日前向政府提出紓困要求，在政府策劃方向以臺日聯(lián)盟為主軸下，茂德并入爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)指日可待，畢竟DRAM廠自己要先作整并，政府才能師出有名的幫忙紓困，否則只是拿錢出來投資個別DRAM廠

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2008-12-18

存儲器爾必達(dá) 海力士 DRAM
臺DRAM廠紓困案政府打出被動牌

臺灣DRAM廠陷入困境，“經(jīng)濟(jì)部”16日正式提出政府針對DRAM廠困境的幾個原則，但未提及國發(fā)基金是否投資DRAM廠，以及如何協(xié)助臺廠向技術(shù)母廠爭取最大資源。“經(jīng)濟(jì)部”表示，受到國人感受及國際現(xiàn)實(shí)等復(fù)雜因素影響，政

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2008-12-18

存儲器美光 POS DRAM

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掌握閃存技術(shù) 才能解救臺DRAM產(chǎn)業(yè)

聯(lián)發(fā)科稱TD手機(jī)產(chǎn)品研發(fā)仍是重點(diǎn)

業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

拯救臺灣存儲芯片業(yè)：聯(lián)手美、日企業(yè)？

花旗調(diào)降韓國海力士半導(dǎo)體目標(biāo)價及營業(yè)利潤預(yù)估

LG化學(xué)與意法半導(dǎo)體攜手改進(jìn)混合動力電動汽車的電池技術(shù)

廠商控制出貨量內(nèi)存價格將上揚(yáng)

芯片需求降低半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備設(shè)備減產(chǎn)

英特爾合資公司Numonyx推消費(fèi)級NAND閃存

450mm晶圓將緩行

你們家MEMS了嗎？MEMS已成為半導(dǎo)體業(yè)的全民運(yùn)動

日晶片廠商削減或凍結(jié)支出 11月訂單大幅衰退71%

東芝NAND閃存將減產(chǎn)30％，其他半導(dǎo)體生產(chǎn)也將調(diào)整

茂德董事長陳民良：DRAM產(chǎn)業(yè)打不死的話　還是好漢一條!

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