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  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    介紹了開關(guān)電源中驅(qū)動(dòng)部分的工作情況，集中說明了柵極專用驅(qū)動(dòng)器IR2110的使用方法及其抗干擾措施。由于IR2110本身的缺陷，常規(guī)使用方法只能適合小功率場(chǎng)合，在中大功率場(chǎng)合根本無(wú)法使用。

  • 集成專用驅(qū)動(dòng)器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

    ADSL接入技術(shù)已成為終端用戶最主要的寬帶接入技術(shù)。ADSL技術(shù)的關(guān)鍵是ADSL調(diào)制解調(diào)器，即ADSLMODEM。ADSL用戶端調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)寬頻帶功率放大器，他能不失真放大和傳輸電話線上已編碼的數(shù)字信號(hào)。本文通過對(duì)ADSL調(diào)制解調(diào)器驅(qū)動(dòng)器特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)和性能的分析，給出了一種ADSL用戶端MODEM驅(qū)動(dòng)器的實(shí)現(xiàn)電路。

  • 微波pin二極管電阻與溫度的關(guān)系

    研究了四種pin二極管電阻的溫度特性。結(jié)果表明二極管結(jié)面積的大小，也就是二極管結(jié)電容的大小，影響著二極管的表面復(fù)合和二極管的載流子壽命，決定了二極管的溫度性能。器件的鈍化方式和幾何結(jié)構(gòu)對(duì)二極管電阻的溫度性能影響不大。結(jié)電容為0．1～1．0 pF的微波二極管，具有正的溫度系數(shù)，約為線性關(guān)系，結(jié)電容越大，電阻隨溫度變化越大。研究結(jié)果可以用來預(yù)測(cè)pin二極管開關(guān)和衰減器的溫度性能，進(jìn)一步可以應(yīng)用于電路溫度補(bǔ)償設(shè)計(jì)。

  • LED光源在礦井工作面照明燈中的應(yīng)用

    對(duì)目前我國(guó)煤礦用燈作了簡(jiǎn)單的介紹，指出了煤礦用燈的發(fā)展方向應(yīng)為節(jié)能、本質(zhì)安全型；闡述了采煤工作面本質(zhì)安全型LED照明燈應(yīng)該具備的條件，分析了LED的發(fā)光機(jī)理。通過光譜分析，得出了LED在實(shí)際照明應(yīng)用中散熱的重要性；介紹了LED燈的一次散熱方法及二次散熱方法；對(duì)LED燈隔爆兼本安驅(qū)動(dòng)電路作了設(shè)計(jì)并對(duì)小功率LED燈進(jìn)行了合理的排列，結(jié)果表明隔爆兼本質(zhì)安全型LED照明燈在采煤工作面是完全可以應(yīng)用并具備廣泛發(fā)展前景的。

  • 8 bit 800 Msps高速采樣保持電路的設(shè)計(jì)

    為適應(yīng)目前無(wú)線通信領(lǐng)域?qū)Ω咚貯／D轉(zhuǎn)換器的要求，采用在Cadence Spectre環(huán)境下進(jìn)行仿真驗(yàn)證的方法，對(duì)高速A／D前端采樣保持電路進(jìn)行了研究。提出的高速采樣保持電路(SH)采用SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，該工藝提供了0．35μm的CMOS和46 GHz fT的SiGe HBT?；贐iCMOS開關(guān)射極跟隨器(SEF)的SH，旨在比二極管橋SH消耗更少的電流和面積。在SH核心，電源電壓3．3 V，功耗44 mW。在相干采樣模式下，時(shí)鐘頻率為800 MHz時(shí)，其無(wú)雜波動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)為一52．8 dB，總諧波失真(THD)為一50．4 dB，滿足8 bit精度要求。結(jié)果顯示設(shè)計(jì)的電路可以用于中精度、高速A／D轉(zhuǎn)換器。

  • 集成電路Cu互連線的XRD研究

    對(duì)硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對(duì)比了直流電鍍和脈沖電鍍?cè)谟刑砑觿┖蜔o(wú)添加劑條件下的織構(gòu)情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，對(duì)于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    器件 電容 BSP BOX

  • ∑-△ADC的降采樣濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

    介紹了一種帶寬150 kHz、16 bit的∑-△模數(shù)轉(zhuǎn)換器中的降采樣低通濾波器的設(shè)計(jì)和實(shí) 現(xiàn)。系統(tǒng)采用Sharpened CIC(cascaded integrator-comb)和ISOP(interpolated second-order polynomials)頻率補(bǔ)償技術(shù)對(duì)通帶的下降進(jìn)行補(bǔ)償，最后級(jí)聯(lián)三個(gè)半帶濾波器輸出。芯片采用SMIC O．18μmCMOS工藝實(shí)現(xiàn)，系統(tǒng)仿真和芯片測(cè)試結(jié)果表明，性能滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。與傳統(tǒng)音頻領(lǐng)域的∑-△ADC應(yīng)用相比，該設(shè)計(jì)在很大程度上拓展了處理帶寬，提高了處理精度，并且便于集成在SOC芯片中，主要應(yīng)用于醫(yī)療儀器、移動(dòng)通信、過程控制和PDA(personal digital assistants)等領(lǐng)域。

  • SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

    使用國(guó)產(chǎn)6H—SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。

    模擬
    2009-04-16
    波段 BSP GAN SIC

  • 一種應(yīng)用于SoC的高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

    本文提出了一種應(yīng)用于SoC的高速高精度DAC的設(shè)計(jì)，并在深亞微米CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了IP硬核形式的設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)在高速條件下具有良好的性能，且功耗與面積都較小，能夠有效滿足通信、測(cè)量、自動(dòng)控制、多媒體等領(lǐng)域的SoC系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用需求。

  • 電控柜的兼容設(shè)計(jì)

    文章介紹了電磁干擾的基本概念和造成電磁干擾的因素，從這些因素入手實(shí)現(xiàn)電控柜電磁兼容的主要方法。

  • 基于ARM和CPLD的高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    在ARM微處理器中移入嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)μC/OS-II，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性、實(shí)時(shí)性得到保證，實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)將應(yīng)用分解成多任務(wù)，簡(jiǎn)化了應(yīng)用系統(tǒng)軟件的設(shè)計(jì)；采用CPLD器件集成了電路的全部控制功能，擺脫了單純用由微控制器為核心的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)的速度瓶頸，極大提高了數(shù)據(jù)采集速度。整個(gè)系統(tǒng)具有速度高、實(shí)時(shí)性好、抗干擾能力強(qiáng)、性價(jià)比高等特點(diǎn)。

  • 超寬帶平面天線中實(shí)現(xiàn)頻帶抑制的方法

    超 寬帶天線在軟件無(wú)線電系統(tǒng)、寬帶無(wú)線接入、電子對(duì)抗、探地雷達(dá)和電磁兼容測(cè)量等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。隨著超寬帶平面單極子天線研究的深入及其廣泛應(yīng) 用，在FCC(Federal Communications Commission)分配的UW

  • 帶通濾波器的應(yīng)用電路

    帶通濾波器應(yīng)用非常廣泛，下面列舉幾個(gè)典型帶通濾波器的應(yīng)用電路。1．高Q值的帶通濾波器如圖所示為高0值的帶通濾波器。圖中，A１，A2是高輸人阻抗型集成運(yùn)放SF356。第一級(jí)是普通單級(jí)濾波器，其Q值較低，R3的值較小，

  • 采用FPGA的振動(dòng)模擬器設(shè)計(jì)

    1 引言振動(dòng)臺(tái)的作用之一是將被測(cè)物件置于振動(dòng)臺(tái)上測(cè)量其受迫振動(dòng)時(shí)的表現(xiàn)，一般振動(dòng)臺(tái)的振動(dòng)是由振動(dòng)分析儀控制的，但是由于振動(dòng)臺(tái)體積形狀和考慮到成本等原因，不利于振動(dòng)分析儀的研發(fā)，所以設(shè)計(jì)振動(dòng)模擬器對(duì)振動(dòng)分

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