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國(guó)際電聯(lián)批準(zhǔn)移動(dòng)電話通用充電器標(biāo)準(zhǔn)
新聞事件： 國(guó)際電聯(lián)批準(zhǔn)移動(dòng)電話通用充電器標(biāo)準(zhǔn)事件影響： 減少移動(dòng)電話充電器數(shù)量 減少移動(dòng)電話充電對(duì)環(huán)境影響 使移動(dòng)電話更加簡(jiǎn)單易用據(jù)聯(lián)合國(guó)網(wǎng)站報(bào)道，作為減緩氣候變化的努力之一，國(guó)際電信聯(lián)盟10
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65納米大戰(zhàn) 聯(lián)電搶臺(tái)積電三大客戶
IC設(shè)計(jì)商制程升級(jí)，由于臺(tái)積電65納米制程產(chǎn)能供不應(yīng)求、擴(kuò)產(chǎn)不及，設(shè)備商傳出，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手聯(lián)電適時(shí)推出低價(jià)策略，成功搶到臺(tái)積電前三大主力通訊客戶高通、博通與聯(lián)發(fā)科訂單，有機(jī)會(huì)讓聯(lián)電第四季營(yíng)收從微減轉(zhuǎn)為持平，出
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中芯CFO吳曼寧：這兩年一定會(huì)賺錢
23日，中芯國(guó)際年度技術(shù)論壇被蘇州半導(dǎo)體博覽會(huì)拉去許多嘉賓，導(dǎo)致第一排十分冷清。不過(guò)，中芯國(guó)際總裁張汝京心情還是相當(dāng)好。演講結(jié)束后，他在會(huì)議室旁邊的階梯旁拍拍CBN記者的肩膀說(shuō)，現(xiàn)在好多了，年底試產(chǎn)45納米的
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中芯國(guó)際宣布MEMS芯片成功通過(guò)驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。 “我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)試”
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XX型炮彈的三軸加速度測(cè)試研究
1 引言高沖擊條件下的動(dòng)態(tài)參數(shù)指標(biāo)對(duì)于現(xiàn)代武器系統(tǒng)的研制具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。壓阻式加速度計(jì)具有線性度好、外圍電路簡(jiǎn)單、抗過(guò)載能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。因而成為高量程微加速度計(jì)設(shè)計(jì)的首選，廣泛用于沖擊、振動(dòng)加速度的測(cè)
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中芯國(guó)際宣布MEMS芯片成功通過(guò)Microstaq驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。 “我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)試”
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IBM聯(lián)手大陸晶圓廠 授技術(shù)抗衡臺(tái)積電
近期IBM大動(dòng)作與大陸晶圓代工廠展開技術(shù)平臺(tái)合作，不僅與中芯國(guó)際攜手45納米先進(jìn)制程，亦與無(wú)錫華潤(rùn)上華結(jié)盟，針對(duì)主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術(shù)及訂單合作。大陸半導(dǎo)體業(yè)者指出，IBM積極運(yùn)用大陸當(dāng)?shù)鼐A廠生產(chǎn)
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同步 DC/DC 升壓轉(zhuǎn)換器（TI）
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出兩款可為 USB 端口提供電源與保護(hù)的集成型產(chǎn)品 TPS2500 與 TPS2501。該產(chǎn)品將升壓開關(guān)穩(wěn)壓器與板載限流開關(guān)進(jìn)行完美結(jié)合，可顯著節(jié)省空間與成本，從而提供一個(gè)可滿足 1.8V ~ 5.25 V 輸入
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1.6GHz低噪聲放大器（特瑞仕）
特瑞仕半導(dǎo)體在業(yè)內(nèi)率先開發(fā)了采用CMOS工藝，用于GPS的1.6GHz LNA（低噪聲放大器）。目前大部分LNA產(chǎn)品皆是采用GaAs、SiGe工藝，但是，近年來(lái)隨著無(wú)線電儀器需求量的增加，LNA的制造工藝也從以往的技術(shù)，向擁有充足生
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iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)
研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價(jià)格連續(xù)增長(zhǎng)的幅度，至少創(chuàng)下5年來(lái)之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測(cè)，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增
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基于DDS芯片AD9833的音源發(fā)生器設(shè)計(jì)
介紹了DDS技術(shù)的原理和特性，采用DDS芯片AD9833產(chǎn)生正弦波音階信號(hào)構(gòu)建音源發(fā)生器，給出了主要電路和關(guān)鍵程序。
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張忠謀：臺(tái)積電不排除并購(gòu)綠色能源企業(yè)
據(jù)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，市場(chǎng)傳出臺(tái)灣芯片代工廠臺(tái)積電擬合并太陽(yáng)能電池廠新日光的消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示，臺(tái)積電參與綠色能源產(chǎn)業(yè)較慢起步，最希望自己做，但也不排除并購(gòu)的可能性，他并未直接針對(duì)新日
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中芯CFO吳曼寧：這兩年一定會(huì)賺錢
23日，中芯國(guó)際年度技術(shù)論壇被蘇州半導(dǎo)體博覽會(huì)拉去許多嘉賓，導(dǎo)致第一排十分冷清。不過(guò)，中芯國(guó)際總裁張汝京心情還是相當(dāng)好。演講結(jié)束后，他在會(huì)議室旁邊的階梯旁拍拍CBN記者的肩膀說(shuō)，現(xiàn)在好多了，年底試產(chǎn)45納米的
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中芯國(guó)際宣布 MEMS 芯片成功通過(guò) Microstaq 驗(yàn)證
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)和全球領(lǐng)先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布，Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過(guò)驗(yàn)證。“我們已接受過(guò)性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測(cè)
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英特爾計(jì)劃2011年推出支持USB 3.0芯片組
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，知情人士透露，英特爾計(jì)劃于2011年推出支持USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)的芯片組，該日期晚于此前預(yù)期。當(dāng)前，USB 2.0的最高數(shù)據(jù)傳輸率為480Mbps，IEEE 1394B的最高傳輸速率為800Mbps，而USB 3.0的速度傳輸率高達(dá)5Gb
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（四）
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（三）
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- 東芝子站招募體驗(yàn)官，參與領(lǐng)打賞
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- 學(xué)習(xí)ST“電源與能源”課程，為電源設(shè)計(jì)添點(diǎn)“彩”
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