先進(jìn)制程 臺積超越英特爾

臺積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義表示，臺積電將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計2012年第三季導(dǎo)入，2013 年大量量產(chǎn)，進(jìn)度首度超越半導(dǎo)體龍頭英特爾，讓臺積電在先進(jìn)制程發(fā)展拿下全球第一。 蔣尚義于美西時

直接上20nm? 臺積電玩火又要坑NV+AMD

為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級的20nm工藝。 有趣的是，臺積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bul

TSMC宣布跳過22納米 直接發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時間13日在美國加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會，會中宣布將跳過22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶創(chuàng)造價值」而作的決定，提供客戶一個更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會有1,500位客戶及合

臺積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

臺積電(2330)于美西時間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會，會中宣布將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。 此次技術(shù)研討會有1500位客戶及合作廠商代表參與，臺積公司研究發(fā)展資深副

比黃金貴十倍 天科合達(dá)碳化硅晶片產(chǎn)量全球第三

外觀像透明玻璃，厚薄似一張紙，大小如一次性紙杯杯底——日前，記者在蘇州天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司看到了該公司的產(chǎn)品：一片2英寸大的“碳化硅晶片”。可別小看這片圓圓的“小東西”，它是第三代半導(dǎo)體的核心材

臺積電跳過22nm，直接從28nm到20nm

半導(dǎo)體廠商臺積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會上，再度做出了驚人的壯舉，跳過22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。 臺積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉(zhuǎn)換將會帶來極高的柵密度以及優(yōu)于

中電廣通：封裝龍頭 高位整理

公司是國內(nèi)模塊封裝龍頭企業(yè)，公司持股58.14%的中電智能卡公司不僅承擔(dān)第二代身份證模塊封裝業(yè)務(wù)，還承擔(dān)SIM卡、社保卡、加油卡等其他智能卡產(chǎn)品的封裝業(yè)務(wù)。公司繼續(xù)保持在模塊封裝生產(chǎn)領(lǐng)域的國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先地位，連續(xù)

基于ADS的通信設(shè)備低噪聲放大器改進(jìn)設(shè)計與仿真

摘要：介紹接收機(jī)前端的低噪聲放大器(LNA)對于整個通信設(shè)備的接收機(jī)系統(tǒng)靈敏度的影響，利用ADS軟件對接收機(jī)低噪聲放大器進(jìn)行改進(jìn)設(shè)計，重點(diǎn)闡述了采用Smith圓圖和微帶線進(jìn)行輸入輸出阻抗的匹配。通過仿真結(jié)果可以看出

臺積電預(yù)測今年全球半導(dǎo)體銷售將增長22%

4月14日消息，臺積電今日預(yù)計，今年全球半導(dǎo)體銷售將增長22%，明年則為約7%，均高于平均值。同時，以2011-2014年復(fù)合增長率預(yù)計將為約4.2%。據(jù)悉，臺積電董事長張忠謀周二在美國舉行的年度北美科技論壇上做出上述預(yù)測

為贏訂單主流觸屏IC供應(yīng)商紛紛降價

4月14日消息，最近，包括美國Synaptics公司、臺灣義隆電子(ELANMicroelectronics)、美國賽普拉斯半導(dǎo)體公司（Cypress）和美國愛特梅爾半導(dǎo)體公司（Atmel）等主要觸摸屏方案供應(yīng)商開始為某些特定客戶或產(chǎn)品將價格壓低

IC設(shè)計和IDM廠頻下單晶圓代工和測試訂單能見度拉長

受惠于IC設(shè)計廠和整合組件(IDM)廠下單力道有增無減，晶圓代工廠第2季接單暢旺，甚至部分訂單已看到第3季，市場估計臺積電和聯(lián)電第2季營收季增率可望落在10~20%之間。由于晶圓產(chǎn)出到晶圓測試端的前置期約2個月，預(yù)料晶

DRAM廠吹史上最大減資潮南亞科、力晶、茂德瘦身逾千億新臺幣

臺DRAM產(chǎn)業(yè)大吹減資風(fēng)，繼2009年第3季南亞科完成減資66%，力晶12日宣布減資38％，減資后凈值6.9元，預(yù)期以力晶目前獲利能力，第3季底完成減資后，凈值可望提升至10元以上，而下一個可能減資的DRAM廠將是茂德，預(yù)計在

低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。

封測廠力拼12吋晶圓級BGA封裝技術(shù)　只待市場成熟

隨著硅晶整體保護(hù)封裝的整合程度不斷提升，再加上外部接點(diǎn)數(shù)量大幅增加的趨勢，對于先進(jìn)的無線及消費(fèi)性電子產(chǎn)品制造商而言，嵌入式晶圓級球門陣列(Wafer-Level Ball Grid Array；eWLB)技術(shù)已帶來降低成本及縮小尺寸的

NEC攜手中國烹?yún)f(xié)，確?？觳褪称钒踩?/a>