福懋科 切入LED封裝代工

福懋科技（8131）表示，為趕搭LED在TV背光源應(yīng)用的高速成長(zhǎng)列車，將切入LED前制程晶粒及封裝代工業(yè)務(wù)，達(dá)到產(chǎn)品多元化及多層次目標(biāo)。據(jù)法人表示，福懋科在已打入晶電（2448）供應(yīng)鏈，可推升營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)。 福懋表

臺(tái)積電將DRC設(shè)計(jì)工具描述規(guī)格“iDRC”無(wú)償贈(zèng)予標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)Si2

美國(guó)Silicon Integration Initiative（Si2）宣布，臺(tái)灣臺(tái)積電（TSMC）已將EDA工具用數(shù)據(jù)描述規(guī)格“iDRC”無(wú)償贈(zèng)予Si2。Si2是實(shí)施EDA標(biāo)準(zhǔn)化的非盈利機(jī)構(gòu)之一。 iDRC是檢查L(zhǎng)SI掩模版圖設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)的DRC（design rulec

新研發(fā)納米管噴墨印刷工藝簡(jiǎn)化晶體管制造

目前有不少研究機(jī)構(gòu)都投注了大量資源，來(lái)改善對(duì)納米管(nanotubes)進(jìn)行分類的方法，如此就能為印刷電子工藝生產(chǎn)出導(dǎo)電、半導(dǎo)電或是絕緣的墨水材料；有了這些墨水，晶體管或是其他電路組件，就能夠輕易地用噴墨打印機(jī)在

可獲得大電感量的仿真電感電路

電路的功能數(shù)100MH以上的電感，重量重，體積大，不適合現(xiàn)在的使用要求，除特殊用途外，低頻LC濾波器基本上都可換成有源濾波器，本電路用正反饋電路對(duì)電容器C的頻率-阻抗特性進(jìn)行倒相，形成等效的電感，線圈L的一端被

用可變電阻改變?nèi)萘康碾娙荼对銎麟娐?/a>

測(cè)量超低噪聲的OP放大器噪聲測(cè)量電路

電路的功能采用OP放大器的直流放大器，失調(diào)漂移固然重要，而低頻噪聲也必須小。不同種類的OP放大器基噪聲差別很大，必須進(jìn)行實(shí)測(cè)，以掌握具體參數(shù)。本電路是OP放大器的噪聲電壓測(cè)定電路，測(cè)量帶寬為0.1HZ~10HZ，側(cè)重

不用電感L的無(wú)調(diào)節(jié)石英晶體振蕩電路

電路的功能晶體管的集電極負(fù)載若采用LC諧振回路，為了使振蕩穩(wěn)定，皮爾斯C-B或波爾斯B-E電路的振蕩頻率必須稍稍調(diào)偏，如不用電感L，則可采用本電路這種無(wú)調(diào)節(jié)振蕩電路。電路工作原理若把石英振子看成電感L，則可將其

中芯國(guó)際和Virage Logic合作65納米低漏電工藝

Virage Logic 公司和中芯國(guó)際集成電路有限公司宣布其長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到包括65納米（nanometer）的低漏電（low-leakage）工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Virage Logic 開(kāi)發(fā)的，基

選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。

Exar亮相IC EXPO ，展示其數(shù)字電源和接口解決方案

Exar公司將出席于2010年6月2號(hào)在深圳會(huì)展中心開(kāi)幕的首屆“深圳集成電路創(chuàng)新應(yīng)用展”，展位號(hào)為#6106 ，此次展會(huì)上，Exar公司將為觀眾介紹自己領(lǐng)先的可編程數(shù)字電源- PowerXR 解決方案和接口解決方案。 Exar將為蒞臨

VLSI提高IC預(yù)測(cè)稱此次是超周期

VLSI提高2010年IC銷售額由增長(zhǎng)22％調(diào)整為25％，而IC出貨量由增長(zhǎng)19％至24％。其主要理由是Q1的結(jié)果超出預(yù)期。實(shí)際上按公司說(shuō)法是Q1的結(jié)果把公司的IC模型推到拐點(diǎn),表示產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入超周期中。按公司最新報(bào)告ＩＣ增長(zhǎng)率可

臺(tái)積電居全球半導(dǎo)體第5英特爾三星東芝前三甲

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)ICInsights日前發(fā)布2010年第1季全球半導(dǎo)體廠排名，受惠于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇，以及半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣揚(yáng)升，晶圓代工龍頭臺(tái)積電首季擠進(jìn)前5大廠行列，至于臺(tái)灣地區(qū)IC設(shè)計(jì)龍頭及股王聯(lián)發(fā)科，在全球

臺(tái)積電48億美金拉開(kāi)軍備競(jìng)賽三星為最大對(duì)手

金融危機(jī)之后，全球最大的獨(dú)立半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電(LSETMSD)，在資本投資上越發(fā)“兇猛”，這家公司希望以規(guī)模優(yōu)勢(shì)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的地位，今年資本開(kāi)支預(yù)計(jì)達(dá)48億美金，并加速在LED產(chǎn)業(yè)和光伏產(chǎn)業(yè)的投入。臺(tái)積電一

ST上市耗電量減至約1/100的數(shù)字輸出3軸加速度傳感器IC

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）上市了與其他競(jìng)爭(zhēng)公司的產(chǎn)品相比耗電量約削減90％的3軸加速度傳感器IC“LIS3DH”。電源電壓（核心電路用）為+1.71～3.6V，耗電量最大僅為2μA（低功率模式時(shí)）。目前，市場(chǎng)上能夠買(mǎi)

硅格 下季營(yíng)收續(xù)旺

一線封測(cè)廠日月光（2311）、力成（6239）今年訂單滿檔，二線封測(cè)廠硅格（6257）也不遑多讓。 法人預(yù)估，在聯(lián)發(fā)科（2454）、雷凌（3534）等營(yíng)運(yùn)動(dòng)能持續(xù)增加，美商SMSC也竄升前五大客戶挹注下，硅格第二季營(yíng)收季增