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臺(tái)積電景氣展望

臺(tái)積電針對(duì)全球市場(chǎng)展望預(yù)估，2010年個(gè)人計(jì)算機(jī)出貨量將年增17%，手機(jī)出貨量將年增13%，至于消費(fèi)性電子產(chǎn)品出貨量可望年增8%。臺(tái)積電并預(yù)估2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望年增3成，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)則預(yù)估成長(zhǎng)40%。

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2010-08-11

臺(tái)積電計(jì)算機(jī) 半導(dǎo)體
專訪Bosch：消費(fèi)電子如何成為MEMS大補(bǔ)丸?(上)

MEMS在消費(fèi)電子領(lǐng)域正不斷成長(zhǎng)當(dāng)中，加速度計(jì)和陀螺儀也更廣泛地被應(yīng)用在手機(jī)、筆電和游戲機(jī)等產(chǎn)品內(nèi)，MEMS未來(lái)發(fā)展前景更備受期待。在車用MEMS領(lǐng)域具有優(yōu)勢(shì)的博世（Robert Bosch GmBH），也透過(guò)子公司Bosch Senso

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2010-08-11

消費(fèi)電子 MEMS BOSCH
12廠2期驚傳氣體外泄，臺(tái)積電：已抽離，無(wú)礙營(yíng)運(yùn)

晶圓代工臺(tái)積電(2330)今日早上11點(diǎn)驚傳晶圓第12廠第二期氣體外泄，整廠員工疏散。臺(tái)積電代理發(fā)言人曾晉皓指出，是晶圓第12廠第二期今日進(jìn)行例行性保養(yǎng)，俗稱阿摩尼亞氣體NH3殘留，引起警報(bào)器大作，基于安全性，臺(tái)積電

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2010-08-11

晶圓代工臺(tái)積電
奧比斯深圳布局擬建全球研發(fā)中心

奧比斯技術(shù)有限公司是一家總部設(shè)在芬蘭的電信測(cè)試設(shè)備和集成方案供應(yīng)商，其主要業(yè)務(wù)是為全球基站和手機(jī)生產(chǎn)廠提供專業(yè)的定制化的測(cè)試解決方案和服務(wù)。日前，北京奧比斯電子有限公司（深圳辦事處）在深圳市南山區(qū)高新

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2010-08-11

研發(fā)中心電信設(shè)備測(cè)試設(shè)備 OS
手機(jī)與新型MEMS設(shè)備將推動(dòng)該市場(chǎng)連年增長(zhǎng)

據(jù)iSuppli公司，手機(jī)和一系列新產(chǎn)品將助力消費(fèi)與移動(dòng)MEMS傳感器市場(chǎng)，幫助其在2010年及未來(lái)數(shù)年保持強(qiáng)勁的連續(xù)增長(zhǎng)。用于消費(fèi)電子與手機(jī)的MEMS傳感器和激勵(lì)器，2010年銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元，比2009年的1

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2010-08-11

移動(dòng) MEMS BSP
英飛凌2010年第三季度實(shí)現(xiàn)銷售額12.09億歐元

英飛凌科技股份公司近日公布了2010財(cái)年第三季度（截至2010年6月30日）的財(cái)務(wù)結(jié)果。與第二季度相比，英飛凌第三季度的收入激增17%，達(dá)到12.09億歐元。各業(yè)務(wù)部的合并利潤(rùn) 為1.63億歐元，環(huán)比增長(zhǎng)48%。與前一季度的7,9

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2010-08-11

英飛凌 TV CE PETER
臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)擴(kuò)充產(chǎn)能決議提升多位高管

8月11日消息，臺(tái)積電今天上午發(fā)布公告稱，在10日召開(kāi)的董事會(huì)上通過(guò)了一系列擴(kuò)產(chǎn)增資的決議，并提升了多名高管。其中，增加產(chǎn)能的決議包括，臺(tái)積電擬投入19.723億美元擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能、投入3.69億美元擴(kuò)建晶圓15廠興建

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2010-08-11

晶圓臺(tái)積電
基于微帶和DGS耦合的諧振器及帶通濾波器設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種基于缺陷地結(jié)構(gòu)的新型左手傳輸線結(jié)構(gòu)。新結(jié)構(gòu)由微帶線與共面波導(dǎo)通過(guò)上下耦合構(gòu)成，其中共面波導(dǎo)由缺陷地(DGS)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，串聯(lián)電容通過(guò)介質(zhì)基板上表面的微帶線與共面波導(dǎo)中心導(dǎo)帶耦合而成，并聯(lián)電感則

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2010-08-11

諧振器耦合帶通濾波器濾波器設(shè)計(jì)
中芯國(guó)際、中星微先后發(fā)布財(cái)報(bào)一虧一賺

中芯國(guó)際扭虧大賺9600萬(wàn)美元連續(xù)12個(gè)季度虧損的中芯國(guó)際終于交出一份讓股東滿意的財(cái)務(wù)報(bào)表。中芯國(guó)際今日晚間在港交所公布了今年二季度業(yè)績(jī)，銷售額3.81億美元，同比上升42.5%，凈利潤(rùn)9600萬(wàn)美元，上個(gè)季度中芯國(guó)際還

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2010-08-11

中芯國(guó)際創(chuàng)始人 NAS VIM
TSMC7月?tīng)I(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)3%

TSMC近日公布2010年7月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告，就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面，營(yíng)收約為新臺(tái)幣361億5,600萬(wàn)元，較今年6月增加了3.0%，較去年同期則增加了19.4%。累計(jì)2010年1至7月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣2,269億6,700萬(wàn)元，較去年同期增加了62.3%。

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2010-08-11

TSMC
iSuppli警告：DRAM下半年供不應(yīng)求

市場(chǎng)研究業(yè)者iSuppli警告，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限，DRAM市場(chǎng)下半年可能供不應(yīng)求。分析師霍華德(MikeHoward)預(yù)期，今年DRAM芯片出貨量可望成長(zhǎng)49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測(cè)，今年第三、

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2010-08-11

DRAM ASML ISUPPLI DRAM芯片
第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70BillionUSD)，較首季的93億美元(9.29BillionUSD)，

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2010-08-11

DRAM 三星 NAND NANDFLASH
中心頻率可調(diào)的高線性度帶通濾波器設(shè)計(jì)

摘要：為了提高濾波器的線性度，文中給出了開(kāi)關(guān)電容電阻不在信號(hào)通路中，而將其放在控制電路中的帶通濾波器的設(shè)計(jì)方法。由于該方法采用了特殊的校正技術(shù)和匹配技術(shù)，因此，該濾波器具有自動(dòng)調(diào)節(jié)功能，且其頻響曲線隨

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2010-08-11

線性帶通濾波器頻率可調(diào) 中心頻率
首款單柵極邏輯產(chǎn)品（Diodes）

Diodes 公司推出旗下首款單柵極邏輯產(chǎn)品陣營(yíng)。其74LVC1Gxx 系列采用先進(jìn)的5V CMOS 技術(shù)，性能比現(xiàn)有的同類產(chǎn)品更為出色，該系列為用戶提供八個(gè)最受歡迎的標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能并設(shè)有SOT25 和 SOT353 兩種封裝選擇。74LVCE1Gx

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2010-08-11

器件柵極 CE DIODES
惠瑞捷全新的HSM3G高速內(nèi)存測(cè)試解決方案

惠瑞捷全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測(cè)試解決方案為 DDR3、DDR4和更高級(jí)的內(nèi)存提供了低廉的測(cè)試成本平價(jià)的升級(jí)提供了未來(lái)三代設(shè)備多代發(fā)展路徑惠瑞捷 (Verigy)（納斯達(dá)克代碼：VRGY）推出了全新的 HSM3G 高速內(nèi)存測(cè)試解

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2010-08-11

內(nèi)存測(cè)試解決方案 3G DDR3

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臺(tái)積電景氣展望

專訪Bosch：消費(fèi)電子如何成為MEMS大補(bǔ)丸?(上)

12廠2期驚傳氣體外泄，臺(tái)積電：已抽離，無(wú)礙營(yíng)運(yùn)

奧比斯深圳布局擬建全球研發(fā)中心

手機(jī)與新型MEMS設(shè)備將推動(dòng)該市場(chǎng)連年增長(zhǎng)

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