柵極脈沖驅(qū)動(dòng)電路通過控制功率器件柵極電壓的快速充放電實(shí)現(xiàn)開關(guān)動(dòng)作，其核心工作原理如下：以MOSFET為例，柵極驅(qū)動(dòng)器接收控制器輸出的低電壓信號(通常為PWM波形)，通過功率放大電路將信號轉(zhuǎn)換為足夠驅(qū)動(dòng)MOSFET的電流。當(dāng)柵源電壓(VGS)高于閾值時(shí)，MOSFET導(dǎo)通;當(dāng)VGS低于閾值時(shí)，MOSFET截止。 ?12驅(qū)動(dòng)方式?高側(cè)驅(qū)動(dòng)?：通過自舉電路將柵極電壓提升至源極電壓以上，實(shí)現(xiàn)高電位控制。低側(cè)驅(qū)動(dòng)?：直接控制源極與柵極間的電壓差，通過下拉電路將柵極拉低至源極電平以下。 ?3關(guān)鍵技術(shù)?隔離保護(hù)?：采用光耦或變壓器隔離技術(shù)，防止控制器與高壓電路直接相連，保障安全性。?抗干擾設(shè)計(jì)?：通過濾波電路和差分信號處理，消除高頻振蕩和噪聲干擾。 ?1應(yīng)用場景主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、車載充電器、逆變器等高功率場合，支持快速開關(guān)(頻率可達(dá)數(shù)百kHz)并降低能耗。 ?在現(xiàn)代汽車電子系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)正悄然扮演著“隱形英雄”的角色。

每一個(gè)功率器件背后都有著至少一顆柵極驅(qū)動(dòng)芯片。作為連接低壓控制器與高功率電路的橋梁，柵極驅(qū)動(dòng)不僅是功率器件高效運(yùn)行的“指揮官”，更是提升電動(dòng)汽車性能、可靠性和能效的關(guān)鍵推手。無論是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電器，還是逆變器和輔助系統(tǒng)，柵極驅(qū)動(dòng)器都默默發(fā)揮著不可替代的作用。

隨著新能源汽車向800V電氣架構(gòu)的快速轉(zhuǎn)型，以及碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體技術(shù)的普及，柵極驅(qū)動(dòng)的性能需求被推向了新的高度。它不僅要提供強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)電流，確保功率器件的快速切換，還需具備卓越的抗干擾能力、耐壓性能和隔離保護(hù)功能，以應(yīng)對復(fù)雜多變的汽車運(yùn)行環(huán)境。

這顆小小的芯片如何驅(qū)動(dòng)汽車電子領(lǐng)域的革命性變革，背后有什么技術(shù)值得關(guān)注，市場主要玩家情況又如何?接下來讓我們詳細(xì)分析。

何謂柵極驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)芯片(Gate Driver IC)是一種用于控制半導(dǎo)體功率器件(如MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT等)開關(guān)速度和時(shí)間的集成電路。其主要功能是放大控制信號，提供足夠的電流對功率器件的柵極進(jìn)行快速充放電，從而實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)，減少開關(guān)過程中的能量損失，并保護(hù)控制器件免受過高電壓或電流的損害。

在開關(guān)模式電源系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動(dòng)器用于控制電源開關(guān)(如功率MOSFET和IGBT)的ON和OFF狀態(tài)。理想情況下，這些開關(guān)在高頻率下運(yùn)行時(shí)功耗為零。開關(guān)模式電源通常運(yùn)行在基于控制器的閉環(huán)電源拓?fù)渲?，通過控制柵極的ON/OFF狀態(tài)來調(diào)節(jié)電壓和電流。

以功率MOSFET為例，柵極(GATE)端子控制其ON/OFF狀態(tài)，具體工作原理如下：開啟(ON)：施加正電壓，使柵極與源極之間的電壓(VGS)高于閾值電平。關(guān)閉(OFF)：降低VGS至低于閾值電平。柵極是一個(gè)高阻抗的電容輸入端，包含MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)寄生電容(CGS和CGD)。

柵極驅(qū)動(dòng)器的作用是充當(dāng)功率放大器，接收來自控制器IC的低功率輸入信號，并生成足夠的大電流驅(qū)動(dòng)信號，以快速接通或關(guān)斷功率MOSFET。這種設(shè)計(jì)不僅提高了開關(guān)效率，還增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和安全性。我們將簡要介紹柵極驅(qū)動(dòng)器的概念并詳細(xì)解釋隔離式和非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的本質(zhì)特征。我們還將學(xué)習(xí)隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的一些關(guān)鍵優(yōu)勢。

什么是柵極驅(qū)動(dòng)器?

簡單來說，柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。

但是為什么要使用微控制器來驅(qū)動(dòng)功率晶體管呢?為了更好地回答這個(gè)問題，我們來考慮一下大型的應(yīng)用。開關(guān)電源是幾乎每一個(gè)現(xiàn)代電氣系統(tǒng)的核心。任何插到壁式插座上的設(shè)備都可以利用開關(guān)電源來進(jìn)行功率因數(shù)校正和生成直流電流軌。汽車系統(tǒng)使用開關(guān)電源來維持電池、馬達(dá)和充電器等系統(tǒng)。電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施要求高效率地轉(zhuǎn)換直流太陽能電池板提供的開關(guān)電能，從而將電能傳輸?shù)街绷鞔鎯?chǔ)系統(tǒng)和交流電網(wǎng)。

由于應(yīng)用中存在大量拓?fù)淝覐?fù)雜性日益升高，對于高功率晶體管陣列，現(xiàn)代開關(guān)電源通常使用微控制器或其他ASIC來協(xié)調(diào)其開關(guān)，以滿足精確的開關(guān)計(jì)時(shí)要求。這可能會(huì)帶來挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蠖鄶?shù)微控制器輸出并沒有針對驅(qū)動(dòng)功率晶體管進(jìn)行優(yōu)化。

高功率晶體管與模擬信號鏈或數(shù)字邏輯電路中的其他晶體管的特性幾乎完全不同。功率晶體管的擊穿電壓的分布范圍極大，從大約40伏到1,200伏甚至更高。由于需要實(shí)現(xiàn)較高的漏極電路和較低的導(dǎo)通損耗，漏源電阻需要低至幾十毫歐姆甚至更小。與漏源電阻成反比的柵極電容通常超過10,000pF。柵極驅(qū)動(dòng)電壓和電流要求在很大程度上取決于晶體管結(jié)構(gòu)和漏極電流額定值，其常見值在8至30伏和1至5安培之間。高噪聲環(huán)境甚至可能需要雙極輸出驅(qū)動(dòng)。

與頻率為幾十或幾百兆赫的信號鏈或數(shù)字晶體管相比，傳統(tǒng)高功率晶體管的頻率上限只有幾百千赫，隨著新技術(shù)的出現(xiàn)，有可能會(huì)將該上限推高一個(gè)數(shù)量級。這種頻率限制是由于增高的柵極電容和驅(qū)動(dòng)電壓要求造成的。電容器的能量等于1/2乘以電容再乘以電壓的平方。柵極電容的充放電功耗等于電容器的能量乘以頻率的兩倍--一次充電，一次放電。具有15納法柵極電容的功率晶體管在200千赫、12伏方波驅(qū)動(dòng)條件下需要近半瓦的功耗。對于可傳輸3至5千瓦電力的轉(zhuǎn)換器，提高開關(guān)頻率所帶來的好處，比如減小磁體的尺寸和重量，有時(shí)要比幾瓦驅(qū)動(dòng)損耗的成本更有價(jià)值。

在決定晶體管的驅(qū)動(dòng)要求的元素中，還有一種更為棘手的損耗源。在柵極電容充放電過程中，開關(guān)會(huì)在全開和全關(guān)狀態(tài)之間存在一個(gè)過渡期，此時(shí)開關(guān)上會(huì)出現(xiàn)電壓，且會(huì)有電流流過開關(guān)。由于同時(shí)存在較高的電壓和較高的電流，因此這類開關(guān)損耗會(huì)造成相當(dāng)大的功耗，有時(shí)會(huì)達(dá)到幾十瓦，以及進(jìn)一步的效率降級。因此，通過更快地對柵極電容進(jìn)行充放電來縮短過渡期的持續(xù)時(shí)間是有好處的。

如果輸出電壓甚至高到足以使晶體管導(dǎo)通，那么大多數(shù)微控制器提供的低電流信號在驅(qū)動(dòng)高功率晶體管時(shí)都會(huì)慢得令人發(fā)指，效率極低。

柵極驅(qū)動(dòng)電路是一種專門設(shè)計(jì)用于增強(qiáng)場效應(yīng)晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)柵極信號的電路。其主要作用是將控制器輸出的低電壓、低電流信號轉(zhuǎn)換成適合MOSFET和IGBT的高電壓、高電流驅(qū)動(dòng)信號，從而確保這些半導(dǎo)體開關(guān)能夠可靠、高效地完成導(dǎo)通和截止操作。

具體來說，當(dāng)控制器發(fā)出開關(guān)指令時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路會(huì)迅速響應(yīng)，向MOSFET或IGBT的柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷汉碗娏鳌＿@個(gè)過程中，柵極電容會(huì)快速充放電，使得器件能夠在極短的時(shí)間內(nèi)完成狀態(tài)切換。柵極驅(qū)動(dòng)電路的輸出電壓和電流通常需要根據(jù)具體應(yīng)用和器件特性進(jìn)行精確調(diào)整，以確保系統(tǒng)穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。

柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)置主要涉及到驅(qū)動(dòng)電壓、驅(qū)動(dòng)電流、驅(qū)動(dòng)速度和保護(hù)功能的配置。首先，驅(qū)動(dòng)電壓的選擇應(yīng)保證MOSFET或IGBT能夠充分導(dǎo)通和截止，同時(shí)避免過高的電壓造成器件損壞。其次，驅(qū)動(dòng)電流的大小直接影響到柵極電容的充放電速度，因此需要根據(jù)器件的柵極電容和開關(guān)速度要求進(jìn)行合理設(shè)置。此外，驅(qū)動(dòng)速度也是一項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)，它決定了器件狀態(tài)切換的快慢，對系統(tǒng)效率和穩(wěn)定性有著重要影響。最后，保護(hù)功能如欠壓保護(hù)、過壓保護(hù)等也是必不可少的，它們可以在異常情況發(fā)生時(shí)及時(shí)保護(hù)器件免受損壞。

在實(shí)際應(yīng)用中，工程師通常會(huì)根據(jù)具體的電路拓?fù)?、工作條件以及器件特性來選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)電路方案，并通過詳細(xì)的仿真和測試來驗(yàn)證其性能。

柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)序是指控制柵極驅(qū)動(dòng)信號在不同時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和變化規(guī)律的過程。正確的時(shí)序設(shè)置對于確保MOSFET或IGBT的正常工作至關(guān)重要。通常，時(shí)序設(shè)置包括開啟延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、上升時(shí)間和下降時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)。

開啟延遲時(shí)間是指從控制器發(fā)出開啟指令到柵極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)際開始驅(qū)動(dòng)MOSFET或IGBT導(dǎo)通的時(shí)間間隔。這個(gè)參數(shù)的設(shè)置需要考慮到系統(tǒng)對開關(guān)速度的需求以及器件的熱設(shè)計(jì)限制。關(guān)斷延遲時(shí)間則是從控制器發(fā)出關(guān)斷指令到柵極驅(qū)動(dòng)電路實(shí)際使器件截止的時(shí)間間隔，同樣需要根據(jù)具體情況進(jìn)行合理設(shè)置。

上升時(shí)間和下降時(shí)間則分別描述了柵極電壓從低到高和從高到低的變化過程。這兩個(gè)參數(shù)的設(shè)置直接影響到器件開關(guān)過程中的損耗和效率，因此需要通過精確的控制來實(shí)現(xiàn)最佳性能。

總的來說，柵極驅(qū)動(dòng)電路及其時(shí)序的設(shè)置是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程，需要工程師具備深厚的專業(yè)知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。通過合理的設(shè)置和優(yōu)化，可以顯著提高系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。