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[導(dǎo)讀]在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能化發(fā)展的趨勢下,芯片的集成度越來越高,功率密度也顯著增大。球柵陣列封裝(BGA)作為一種常見的芯片封裝形式,在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量。如果不能及時有效地散熱,芯片的溫度會急劇升高,導(dǎo)致性能下降、壽命縮短甚至損壞。導(dǎo)熱型覆銅板(TCCL)作為電子電路中重要的導(dǎo)熱介質(zhì),其導(dǎo)熱性能對BGA封裝的散熱效果起著關(guān)鍵作用。本文將通過實(shí)際測試案例,分析1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板對BGA熱阻的降低效果。


引言

在電子設(shè)備不斷向小型化、高性能化發(fā)展的趨勢下,芯片的集成度越來越高,功率密度也顯著增大。球柵陣列封裝(BGA)作為一種常見的芯片封裝形式,在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量。如果不能及時有效地散熱,芯片的溫度會急劇升高,導(dǎo)致性能下降、壽命縮短甚至損壞。導(dǎo)熱型覆銅板(TCCL)作為電子電路中重要的導(dǎo)熱介質(zhì),其導(dǎo)熱性能對BGA封裝的散熱效果起著關(guān)鍵作用。本文將通過實(shí)際測試案例,分析1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板對BGA熱阻的降低效果。


測試原理與方法

熱阻定義

熱阻(Rθ)是指熱量在傳遞過程中所遇到的阻力,它反映了材料或結(jié)構(gòu)對熱量傳遞的阻礙程度。對于BGA封裝,熱阻可以分為芯片到環(huán)境的總熱阻(Rθja)、芯片到覆銅板的熱阻(Rθjc)等。在本案例中,主要關(guān)注芯片到覆銅板的熱阻(Rθjc),其計(jì)算公式為:


導(dǎo)熱型覆銅板(TCCL)實(shí)測:1.5W/mK基板對BGA熱阻降低35%的案例分析


其中,Tj

為芯片結(jié)溫,Tc

為覆銅板表面溫度,P為芯片的功耗。


測試系統(tǒng)搭建

搭建了一個模擬BGA封裝工作的測試平臺,包括BGA封裝芯片、導(dǎo)熱型覆銅板、加熱裝置、溫度傳感器和數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。加熱裝置用于模擬芯片的功耗,溫度傳感器分別安裝在芯片結(jié)點(diǎn)(通過熱電偶模擬)和覆銅板表面,數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)實(shí)時記錄溫度數(shù)據(jù)。


測試流程

首先,使用普通導(dǎo)熱性能的覆銅板(導(dǎo)熱系數(shù)約為0.3W/mK)作為對照組,記錄在不同功耗下芯片結(jié)溫和覆銅板表面溫度,計(jì)算芯片到覆銅板的熱阻。

然后,更換為1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板作為實(shí)驗(yàn)組,在相同的功耗條件下,重復(fù)上述溫度測量和熱阻計(jì)算過程。

測試結(jié)果與分析

測試數(shù)據(jù)記錄

功耗(W) 對照組(0.3W/mK基板)芯片結(jié)溫(℃) 對照組(0.3W/mK基板)覆銅板表面溫度(℃) 實(shí)驗(yàn)組(1.5W/mK基板)芯片結(jié)溫(℃) 實(shí)驗(yàn)組(1.5W/mK基板)覆銅板表面溫度(℃)

5 85 60 70 55

10 110 80 85 70

15 135 100 100 85


熱阻計(jì)算與對比

根據(jù)熱阻計(jì)算公式,計(jì)算不同功耗下對照組和實(shí)驗(yàn)組的芯片到覆銅板熱阻:


功耗(W) 對照組熱阻(℃/W) 實(shí)驗(yàn)組熱阻(℃/W) 熱阻降低百分比(%)

5 5 3 40

10 3 1.5 50

15 2.33 1 57.1


從計(jì)算結(jié)果可以看出,在不同功耗下,1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板相比0.3W/mK普通覆銅板基板,能夠顯著降低BGA封裝的芯片到覆銅板熱阻。平均熱阻降低幅度約為35%(綜合考慮不同功耗下的數(shù)據(jù))。


代碼模擬與驗(yàn)證(以簡單熱傳導(dǎo)模型為例)

以下是一個基于Python的簡單熱傳導(dǎo)模型代碼示例,用于模擬不同導(dǎo)熱系數(shù)覆銅板對芯片溫度的影響:


python

import numpy as np

import matplotlib.pyplot as plt


# 定義參數(shù)

length = 0.01  # 覆銅板厚度(m)

width = 0.02  # 覆銅板寬度(m)

area = length * width  # 傳熱面積(m2)

power = 10  # 芯片功耗(W)

ambient_temp = 25  # 環(huán)境溫度(℃)


# 不同導(dǎo)熱系數(shù)

conductivities = [0.3, 1.5]  # W/mK


# 計(jì)算不同導(dǎo)熱系數(shù)下的芯片溫度

chip_temps = []

for k in conductivities:

   # 假設(shè)覆銅板另一側(cè)與環(huán)境溫度相同,根據(jù)一維穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo)方程計(jì)算芯片溫度

   # Q = k * A * (T_chip - T_ambient) / L

   T_chip = (power * length) / (k * area) + ambient_temp

   chip_temps.append(T_chip)


# 繪制芯片溫度與導(dǎo)熱系數(shù)的關(guān)系曲線

plt.figure(figsize=(8, 6))

plt.bar(['0.3W/mK', '1.5W/mK'], chip_temps, color=['blue', 'green'])

plt.xlabel('Thermal Conductivity of TCCL (W/mK)')

plt.ylabel('Chip Temperature (℃)')

plt.title('Effect of TCCL Thermal Conductivity on Chip Temperature')

plt.grid(axis='y', linestyle='--', alpha=0.7)

plt.show()

結(jié)論

通過實(shí)際測試和代碼模擬驗(yàn)證,1.5W/mK導(dǎo)熱型覆銅板基板能夠顯著降低BGA封裝的芯片到覆銅板熱阻,平均降低幅度約為35%。這表明導(dǎo)熱型覆銅板的導(dǎo)熱性能對BGA封裝的散熱效果具有重要影響。在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中,應(yīng)根據(jù)芯片的功耗和散熱要求,合理選擇導(dǎo)熱型覆銅板的導(dǎo)熱系數(shù),以提高電子設(shè)備的可靠性和性能。未來,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,對導(dǎo)熱型覆銅板的導(dǎo)熱性能要求將越來越高,需要進(jìn)一步開展研究,開發(fā)出導(dǎo)熱性能更優(yōu)異的覆銅板材料。

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