SiC(碳化硅)，已經成為車企的一大賣點。而在此前，有車企因是否全域采用SiC MOSFET，發(fā)生激烈輿論戰(zhàn)?？梢姡琒iC這一市場在汽車領域頗有潛力。不過，近幾年國內SiC MOSFET發(fā)展飛速，誕生了眾多產品，同時陸續(xù)過車規(guī)，讓人眼花繚亂。

國產碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢扳倒進口GaN功率半導體，國產碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應用場景上的優(yōu)勢，使其在汽車、工業(yè)和新能源領域占據主導地位，而氮化鎵(GaN)功率器件則主要局限于消費電子領域。

SiC的禁帶寬度(3.26eV)是硅的3倍，導熱率(4.9 W/cm·K)是GaN(1.3 W/cm·K)的3.7倍，擊穿電場強度(3 MV/cm)是GaN的2倍89。這使得SiC器件在高溫(175°C以上)和高壓(650V及以上)場景下表現更穩(wěn)定，例如在電動汽車電驅系統(tǒng)中，SiC MOSFET的高溫導通電阻僅上升37.5%(從40mΩ升至55mΩ)，而GaN器件在高溫下易出現反向電流能力下降和熱失效。

所以我們邀請到了眾多工程師，分享自己曾經接觸過，或者從其他廠商中聽到過的SiC產品，并且分享自己對于MOSFET選型時的一些心得，看看有沒有心中的那一顆。基本半導體的碳化硅MOSFET B2M系列產品備受工程師好評，它是一款可用于新能源汽車電機控制器的國產SiC產品。

其具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統(tǒng)中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可提高功率回路開關頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本?；景雽w第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺開發(fā)，比上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。

比如，典型型號B2M065120H，其Vds為1200V，Id(Tc=25°C)為47A，典型Rdson為65mΩ@Vgs=18V，Rth(jc)為0.6K/W，Qs(Gate to Source Charg)為18nC，Qsd(Gate to Drain Charge)為30nC，Qg(Total Gate Charge)為60nC。據工程師評價，基本半導體的產品目前在國內滲透率非常高。其中，汽車級SiC功率模塊產線已實現全面量產，目前年產能達25萬只。泰科天潤的1200V 80mΩ SiC MOSFET也受到了EEWorld工程師的推薦，該產品具有更低的導通電阻，更低的開關損耗，更高的開關頻率，更高的工作溫度， Vth典型值超過3V。應用場景包括，光伏、OBC、UPS及電機驅動等。

據工程師評論，泰科天潤的產品線涉及基礎核心技術產品、碳化硅成型產品以及多套行業(yè)解決方案。目前泰科天潤的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的產品已經投入批量生產，產品質量完全可以比肩國際同行業(yè)的先進水平產能方面，泰科天潤湖南6寸晶圓線已累計完成超3萬片流片和銷售，此外北京8寸晶圓線已開工建設，2025年可實現通線投產。導通損耗：SiC的臨界擊穿電場強度(3MV/cm)是硅的10倍，使得650V SiC MOSFET的比導通電阻(Rsp)更低(可低于3mΩ·cm2)，尤其在高溫下性能穩(wěn)定。而超結MOSFET的導通電阻隨溫度升高顯著增加，導致服務器電源在滿載時效率下降。開關損耗：SiC的電子飽和漂移速度是硅的2倍，開關速度更快(納秒級)，開關損耗(Esw)僅為超結器件的1/4~1/3。高頻化(200kHz以上)可顯著減少磁性元件(如電感、變壓器)體積，提升功率密度至300W/in3以上，滿足數據中心機架空間嚴苛需求。

SiC熱導率(4.9 W/cm·K)為硅的3倍，結合雙面散熱封裝(如AMB基板)，結溫可穩(wěn)定運行在175℃以上，降低散熱系統(tǒng)復雜度。服務器電源長期高負載運行時，SiC器件無需額外液冷設計，節(jié)省成本。超結MOSFET在高溫下易發(fā)生熱失控，需復雜風冷或散熱片，占用空間且增加故障風險。在服務器電源典型拓撲(如LLC諧振、圖騰柱PFC)中，SiC MOSFET通過零電壓開關(ZVS)和零電流開關(ZCS)技術，將整機效率提升至96%~98%(鈦金能效標準)，相比超結方案提升2%~3%。以10MW數據中心為例，年省電費可達數百萬元。超結MOSFET受限于反向恢復電荷(Qrr)和體二極管性能，高頻下效率瓶頸明顯。

目前國產650V SiC MOSFET價格已經持平甚至低于超結器件，采用碳化硅器件服務器電源系統(tǒng)級成本因高頻化減少30%磁性元件、50%散熱成本，整體BOM成本持平。長期運營中，效率提升帶來的電費節(jié)省(OPEX)帶來更強的產品競爭力。

SiC的雪崩堅固性和長壽命(耐高溫特性減少維護需求)使其適配電動汽車主驅逆變器、工業(yè)電機等場景。例如，采用SiC的800V高壓平臺可使充電效率提升5%，綜合成本降低6%。而GaN的熱管理難題和可靠性短板(如反向恢復損耗)難以滿足車規(guī)級認證要求。

BASiC基本股份自2017年開始布局車規(guī)級SiC碳化硅器件研發(fā)和制造，逐步建立起規(guī)范嚴謹的質量管理體系，將質量管理貫穿至設計、開發(fā)到客戶服務的各業(yè)務過程中，保障產品與服務質量。BASiC基本股份分別在深圳、無錫投產車規(guī)級SiC碳化硅(深圳基本半導體)芯片產線和汽車級SiC碳化硅功率模塊(無錫基本半導體)專用產線;BASiC基本股份自主研發(fā)的汽車級SiC碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，是國內第一批SiC碳化硅模塊(比如BASiC基本股份)量產上車的頭部企業(yè)。

在光伏逆變器和儲能系統(tǒng)中，SiC的高效率(損耗比硅基IGBT低30%-50%)和系統(tǒng)級成本優(yōu)勢顯著。BASiC的SiC方案在充電樁中總成本已低于傳統(tǒng)超結MOSFET方案。GaN雖在微型逆變器中有潛力，但受限于長期可靠性天然劣勢和成本劣勢，難以規(guī)模化替代。GaN憑借超高頻特性(MHz級)和緊湊體積，在消費類電子快充領域占據主導。例如，65W GaN快充適配器體積僅為傳統(tǒng)硅基方案的1/3。但其應用場景對高溫、高壓要求較低。

中國作為全球最大新能源汽車市場(2024年產銷近千萬輛)，為SiC提供了龐大應用場景。預計2027年全球車用SiC市場規(guī)模達50億美元，而GaN在汽車領域的僅有示范性產品，因為可靠性劣勢無法進入批量。而新能源與工業(yè)市場的規(guī)?；枨筮M一步攤薄SiC成本，形成正向循環(huán)。

國產SiC功率器件憑借材料特性、產業(yè)鏈成熟度和政策支持，在高壓、高溫、高可靠性場景中形成不可替代的優(yōu)勢，而GaN受限于熱管理、成本和可靠性，僅在超高頻消費電子領域發(fā)揮特長。未來，隨著8英寸SiC襯底量產和車規(guī)級滲透率提升(預計2025年達30%)，國產SiC的成本優(yōu)勢將進一步擴大，鞏固其在汽車、工業(yè)和新能源領域的主導地位。