全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI(人工智能)服務(wù)器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開(kāi)關(guān)性能，助力Murata Power Solutions的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元實(shí)現(xiàn)小型化和高效率工作。預(yù)計(jì)該電源單元將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)。

近年來(lái)，隨著AI(人工智能)和AR(增強(qiáng)現(xiàn)實(shí))等在IoT領(lǐng)域的發(fā)展，數(shù)據(jù)通信量在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)持續(xù)增加趨勢(shì)。其中，據(jù)說(shuō)使用AI進(jìn)行一次查詢所消耗的電量比普通的網(wǎng)頁(yè)搜索要高數(shù)倍，這就迫切需要為處理這些查詢的高速運(yùn)算設(shè)備等供電的AI服務(wù)器電源進(jìn)一步提高效率。另一方面，具有低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件(如電源電路中使用的電感器等)的小型化而備受矚目。

Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高興通過(guò)使用羅姆的GaN HEMT，使我們能夠設(shè)計(jì)出具有更高效率和更高功率密度的AI服務(wù)器電源單元。利用GaN HEMT的高速開(kāi)關(guān)工作、低寄生電容以及零反向恢復(fù)特性，可將對(duì)開(kāi)關(guān)損耗的影響控制到最小，還可提高開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競(jìng)爭(zhēng)力，且可靠性也很高，用在我們的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來(lái)，我們將通過(guò)繼續(xù)與在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會(huì)課題貢獻(xiàn)力量。”

羅姆 LSI事業(yè)本部 Power Stage產(chǎn)品開(kāi)發(fā)部 部長(zhǎng) 山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者M(jìn)urata Power Solutions的AI服務(wù)器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業(yè)先進(jìn)的開(kāi)關(guān)性能，而且使用的是散熱性優(yōu)異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更高效率。另外，在“通過(guò)電子產(chǎn)品為社會(huì)做貢獻(xiàn)”方面，Murata Power Solutions與羅姆的經(jīng)營(yíng)愿景一致，我們希望未來(lái)也繼續(xù)與村田制作所合作，雙方共同促進(jìn)電源的小型化和效率提升，并為人們豐富多彩的生活貢獻(xiàn)力量。

關(guān)于Murata Power Solutions的AI服務(wù)器電源單元

Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封裝3.2kW電源“D1U T-W-3200-12-HB4C”(輸出12V版)和“D1U T-W-3200-54-HB4C”(輸出54V版) ，另外還新增了AI服務(wù)器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等產(chǎn)品。Murata Power Solutions的前端電源的轉(zhuǎn)換效率很高，可以滿足80 Plus Titanium和開(kāi)放計(jì)算產(chǎn)品的最嚴(yán)格要求;還支持N+M冗余工作，可提高系統(tǒng)的可靠性，因此也適合為最新的GPU服務(wù)器供電。不僅能夠?yàn)榉?wù)器、工作站、存儲(chǔ)系統(tǒng)和通信系統(tǒng)提供可靠性高且效率高的電力，而且其低矮的1U尺寸還有助于削減系統(tǒng)面積。