UPS的應(yīng)用場(chǎng)景日趨多樣化，每個(gè)場(chǎng)景都有其獨(dú)特的需求，對(duì)應(yīng)不同的方案。本文將聚焦UPS設(shè)計(jì)方案展開講述。

系統(tǒng)框圖 – 離線式和在線互動(dòng)式 UPS

系統(tǒng)框圖 – 在線式UPS

拓?fù)?

圖1：在線式 UPS 的雙轉(zhuǎn)換級(jí)

在線式 UPS 是一個(gè)具有多級(jí)電源轉(zhuǎn)換的復(fù)雜系統(tǒng)。圖1顯示了一個(gè)三相系統(tǒng)的原理圖。對(duì)于在線式 UPS 系統(tǒng)，效率非常重要，因?yàn)樵诨旌夏Ｊ?也稱為正常模式)下，系統(tǒng)電池在充電的同時(shí)需要提供穩(wěn)定的交流輸出。這也意味著系統(tǒng)必須要能夠承受這個(gè)額外的充電電流。

輸入交流電壓通過 PFC 級(jí)轉(zhuǎn)換為直流電壓。目前有多種拓?fù)淇晒┻x擇。選擇何種方法取決于功率水平和相數(shù)。對(duì)于低功率的單相系統(tǒng)，可以使用傳統(tǒng)升壓 PFC。有關(guān) AC/DC 拓?fù)涞母嘈畔?，?qǐng)參閱揭秘三相功率因數(shù)校正 (PFC) 拓?fù)浜碗姵貎?chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?

圖騰柱是一種廣泛用于高功率應(yīng)用的 PFC 拓?fù)?，它用有源開關(guān)代替二極管來提高效率。圖騰柱可用于單相和三相應(yīng)用。圖騰柱 PFC 級(jí)由快橋臂(以 100 kHz 或更高的頻率切換)和慢橋臂(以市電頻率切換)組成。

對(duì)于快橋臂，建議采用新興的 SiC(碳化硅)技術(shù)。SiC 提高了功率密度，使系統(tǒng)能夠更快速地切換，并使用更小的無源元件，從而降低整體功耗。它還支持系統(tǒng)在更高的電壓下運(yùn)行，從而減少導(dǎo)通損耗。安森美 (onsemi) 既提供分立 SiC 器件(MOSFET 和二極管)，也提供功率集成模塊 (PIM)。

安森美產(chǎn)品組合中的 IGBT 或 SUPER FET 可用作慢橋臂開關(guān)。

最后值得一提的是，Vienna 整流器也是一種受歡迎的三相拓?fù)洹Ｆ涔β仕阶罡?，因此需?SiC 技術(shù)，包括 SiC 二極管和 SiC MOSFET 或 SiC 功率集成模塊。

DC-DC 電池充電器

雙向電池充電器位于 PFC 級(jí)和變頻段之間。雙向操作意味著電流可以雙向流動(dòng)，充電時(shí)流向電池，供電時(shí)流向負(fù)載。在某些不需要電氣隔離的情況下，可以使用非隔離拓?fù)?。然而，隔離型拓?fù)涓m合高壓應(yīng)用。最常見的隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)涫?CLLC 諧振轉(zhuǎn)換器和雙有源橋 (DAB)。雙有源橋效率高，可根據(jù)其模式作為整流器或轉(zhuǎn)換器運(yùn)行。根據(jù)電壓和功率水平，可以使用不同的開關(guān)。對(duì)于單相系統(tǒng)，可以使用任何 650V 技術(shù)，包括 Si、SiC、IGBT。對(duì)于三相系統(tǒng)，1200V SiC MOSFET 是理想選擇。

DC-AC 變頻段

逆變器決定了 UPS 系統(tǒng)的輸出性能。為了避免損壞敏感設(shè)備，保持正弦波輸出是關(guān)鍵。變頻段采用三電平或多電平拓?fù)鋪懋a(chǎn)生高質(zhì)量的交流輸出。目前，IGBT(絕緣柵雙極晶體管)因?yàn)閮r(jià)格實(shí)惠且技術(shù)成熟而成為逆變器主開關(guān)的首選。

UPS 并不像太陽能逆變器那樣正在經(jīng)歷快速發(fā)展。FGHL40T120RWD 是一款額定電壓為 1200 V 的 IGBT，采用最新的 FS7 技術(shù)并搭配 EliteSiC SiC 二極管，可在 I-NPC 逆變器中實(shí)現(xiàn)高性能。

半橋配置很常見。柵極驅(qū)動(dòng)器用于安全高效地驅(qū)動(dòng)開關(guān)。NCD57200 是一款高壓雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有一個(gè)非隔離的低邊柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)電氣隔離的高邊或低邊柵極驅(qū)動(dòng)器。高邊驅(qū)動(dòng)器可以自舉。

PFC 控制器

安森美提供混合信號(hào)控制器，無需開發(fā) MCU 軟件。

2/3 通道交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器

升壓功率因數(shù)校正

推薦用于高功率應(yīng)用

可對(duì)頻率和輸出電壓進(jìn)行編程

先進(jìn)的安全特性 – 軟啟動(dòng)、欠壓鎖定、電壓驟降保護(hù)

三重故障檢測(cè)防止反饋回路故障

圖2：臨界導(dǎo)通模式

圖3：連續(xù)導(dǎo)通模式

無橋圖騰柱多模式 PFC 控制器

固定頻率 CCM(恒定導(dǎo)通模式)，具有恒定導(dǎo)通時(shí)間 CrM 和谷底開關(guān)頻率折返功能

專有電流檢測(cè)方案

專有谷底檢測(cè)方案

非常適合高功率多模式應(yīng)用，最高 1kW，CCM >2.5kW

碳化硅 MOSFET

安森美提供具有不同額定電壓的分立 SiC 二極管和 MOSFET。SiC MOSFET 在較高功率和較高開關(guān)頻率下使用時(shí)，性能表現(xiàn)最佳。SiC MOSFET 的擊穿電壓為 650V 至 1700V。650V MOSFET 可用于升壓 PFC 級(jí)和雙向 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。1200V 和 1700V 產(chǎn)品組合適合圖騰柱 PFC 和三相系統(tǒng)。由于采用特殊的平面設(shè)計(jì)，安森美的所有 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列在整個(gè)生命周期內(nèi) RDS(ON)、VTH 或二極管正向電壓均無漂移。

經(jīng)優(yōu)化，適合在高溫下工作

改善了寄生電容，適合高頻運(yùn)行

RDS(ON)=22 mΩ @VGS=18 V

超低柵極電荷 (QG(TOT))=137 nC

高速開關(guān)和低電容(COSS=146 pF)

圖4：NTH4L022N120M3S 在 800V、150°C 時(shí)的導(dǎo)通開關(guān)性能

碳化硅二極管

與傳統(tǒng)的 Si 二極管相比，SiC 二極管具有更低的反向恢復(fù)損耗和更低的功耗，因此可用作整流器來提高效率。安森美產(chǎn)品組合中包括額定電壓為 650V、1200V 和 1700V 的二極管。對(duì)于 PFC 升壓應(yīng)用，650V 二極管即可滿足要求。對(duì)于三相 DC/AC 轉(zhuǎn)換，更高的電壓型號(hào)會(huì)是理想選擇。

650V D2 系列 SiC 二極管

可用作升壓 PFC 級(jí)的整流器

經(jīng)優(yōu)化，適合在高溫下工作

6A 連續(xù)電流

雪崩額定值 24.5mJ

無反向恢復(fù)

DPAK 封裝

UPS 系統(tǒng)中的功率集成模塊 (PIM)

安森美在工業(yè)功率集成模塊 (PIM) 設(shè)計(jì)領(lǐng)域表現(xiàn)出色，利用 SiC MOSFET 和 IGBT 技術(shù)實(shí)現(xiàn) UPS 設(shè)計(jì)改進(jìn)，其中包括使用 1200 V SiC 器件的 PFC、DC/DC 和逆變器模塊。能源基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)正以非?？斓乃俣炔捎?SiC 功率器件，旨在提高效率或增加功率密度。得益于更低的開關(guān)損耗，SiC 功率器件可以實(shí)現(xiàn)更高的效率，降低散熱要求，或者實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，減小無源元件的尺寸和成本。這些優(yōu)勢(shì)表明 SiC 功率器件的高成本是合理的。

事實(shí)證明，在電氣和熱性能及功率密度方面，采用 SiC MOSFET 模塊均展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)。安森美已發(fā)布第二代 1200V SiC 模塊，采用 M3S MOSFET 技術(shù)，著重于提升開關(guān)性能和減少 RDS(ON)*面積。

表1：用于 UPS 的 SiC PIM 模塊

NXH011F120M3F2PTHG 是一款 SiC 1200V 全橋模塊集成一個(gè)帶有 HPS DBC 的熱敏電阻，采用 F2 封裝。

M3S MOSFET 技術(shù)提供 RDS(ON) 典型值 = 11.3 mΩ(在 VGS = 18V、ID = 100A 的條件下)。

使用 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型生成工具可對(duì)采用 SiC 模塊的各種電源拓?fù)溥M(jìn)行仿真。

NXH008T120M3F2PTHG 是基于 1200V M3S 技術(shù)的 T 型中性點(diǎn)箝位轉(zhuǎn)換器 (TNPC) SiC 模塊。

M3S MOSFET 技術(shù)提供 RDS(ON) 典型值 = 8.5 mΩ(在 VGS = 18V、ID = 100A 的條件下)。

NXH800H120L7QDSG 是一款額定電壓為 1200V、額定電流為 800A 的 IGBT 半橋功率模塊。PIM11 (QD3) 封裝。

新的場(chǎng)截止溝槽 7 IGBT 技術(shù)和第 7 代二極管可提供更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和優(yōu)異的可靠性。

NTC 熱敏電阻，低電感布局。

圖5：各種安森美模塊封裝

NXH011F120M3F2PTHG 是一款 SiC 1200V 全橋模塊集成一個(gè)帶有 HPS DBC 的熱敏電阻，采用 F2 封裝。

M3S MOSFET 技術(shù)提供 RDS(ON) 典型值 = 11.3 mΩ(在 VGS = 18V、ID = 100A 的條件下)。

使用 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型生成工具可對(duì)采用 SiC 模塊的各種電源拓?fù)溥M(jìn)行仿真。

NXH008T120M3F2PTHG 是基于 1200V M3S 技術(shù)的 T 型中性點(diǎn)箝位轉(zhuǎn)換器 (TNPC) SiC 模塊。

M3S MOSFET 技術(shù)提供 RDS(ON) 典型值 = 8.5 mΩ(在 VGS = 18V、ID = 100A 的條件下)。

NXH800H120L7QDSG 是一款額定電壓為 1200V、額定電流為 800A 的 IGBT 半橋功率模塊。PIM11 (QD3) 封裝。

新的場(chǎng)截止溝槽 7 IGBT 技術(shù)和第 7 代二極管可提供更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和優(yōu)異的可靠性。

NTC 熱敏電阻，低電感布局。

表2：用于 UPS 的 IGBT 和混合 PIM 模塊