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[導讀]【2024年9月27日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合,擴展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容,以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率 MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,具有高可靠性和易用性,專為滿足各種大眾市場應(yīng)用的要求而設(shè)計,實現(xiàn)了高度的設(shè)計靈活性。適合的應(yīng)用包括工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電應(yīng)用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源(UPS)。

【2024年9月27日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出全新StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品組合,擴展了現(xiàn)有StrongIRFET? 2系列產(chǎn)品的陣容,以滿足大眾市場對30 V解決方案日益增長的需求。新型功率 MOSFET產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,具有高可靠性和易用性,專為滿足各種大眾市場應(yīng)用的要求而設(shè)計,實現(xiàn)了高度的設(shè)計靈活性。適合的應(yīng)用包括工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電應(yīng)用、電池管理系統(tǒng)和不間斷電源(UPS)。

英飛凌采用TO-220封裝的StrongIRFET? 2功率MOSFET 30 V產(chǎn)品

與上一代StrongIRFET?半導體器件相比,StrongIRFET? 2 30 V技術(shù)使RDS(on)和Qg分別降低了多達40%和60%。這意味著更高的功率效率和整體系統(tǒng)性能的提升,同時兼具出色的穩(wěn)健性。全新功率 MOSFET產(chǎn)品還實現(xiàn)了簡單的設(shè)計導入并簡化了產(chǎn)品服務(wù)。該產(chǎn)品系列具有出色的性價比,對尋求方便選購的設(shè)計人員來說是理想選擇。

供貨情況

采用TO-220封裝的StrongIRFET? 2功率MOSFET30 V產(chǎn)品現(xiàn)已上市。到2024年底,該產(chǎn)品組合將推出更多行業(yè)標準封裝和引腳選項,包括DPAK、D2PAK、PQFN 和 SuperSO8。

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