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[導(dǎo)讀]隨著全球?qū)Νh(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的日益重視,混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)正逐漸成為汽車行業(yè)的主流趨勢(shì)。然而,為了滿足消費(fèi)者對(duì)續(xù)航里程、充電時(shí)間和性價(jià)比的更高要求,汽車制造商面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。其中,提高車載充電器(OBC)的功率密度和效率成為了關(guān)鍵一環(huán)。在此背景下,氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)因其卓越的高頻性能和穩(wěn)健性,在混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。

隨著全球?qū)Νh(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的日益重視,混合動(dòng)力汽車(HEV)和電動(dòng)汽車(EV)正逐漸成為汽車行業(yè)的主流趨勢(shì)。然而,為了滿足消費(fèi)者對(duì)續(xù)航里程、充電時(shí)間和性價(jià)比的更高要求,汽車制造商面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。其中,提高車載充電器(OBC)的功率密度和效率成為了關(guān)鍵一環(huán)。在此背景下,氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)因其卓越的高頻性能和穩(wěn)健性,在混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。

一、電動(dòng)汽車車載充電器的發(fā)展與挑戰(zhàn)

電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)作為電動(dòng)汽車的重要組成部分,其性能直接影響到充電速度和效率。近年來,OBC的功率水平已從最初的3.6kW大幅提升至22kW,甚至更高。然而,這種提升并非沒有代價(jià)。一方面,OBC必須安裝在有限的機(jī)械外殼內(nèi),并始終隨車攜帶,以確保不影響車輛的行駛里程;另一方面,隨著功率密度的增加,OBC內(nèi)部的開關(guān)元件如MOSFET和IGBT的功耗也顯著增加,這對(duì)散熱設(shè)計(jì)和效率優(yōu)化提出了更高要求。

OBC本質(zhì)上是一個(gè)開關(guān)模式的電源轉(zhuǎn)換器,其主要由變壓器、電感器、濾波器和電容器等無源器件以及散熱器組成。這些器件構(gòu)成了OBC重量和尺寸的大部分。為了實(shí)現(xiàn)更高的功率密度,必須同時(shí)增加開關(guān)頻率和效率。然而,硅基電源器件在高頻工作下往往面臨較高的功耗和溫度上升問題,難以滿足這一需求。

二、GaN FET的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅更高的擊穿臨界電場(chǎng)和電子遷移率,這使得GaN FET在高頻工作和效率方面表現(xiàn)出色。具體而言,GaN FET的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:

低柵極電容:GaN的低柵極電容使得其在硬開關(guān)期間能夠?qū)崿F(xiàn)更快的導(dǎo)通和關(guān)斷,從而減少了交叉功率損耗。這種特性使得GaN FET在高頻應(yīng)用中具有更低的開關(guān)損耗。

低輸出電容:在軟開關(guān)期間,GaN的低輸出電容可實(shí)現(xiàn)快速的漏源轉(zhuǎn)換,特別是在低負(fù)載電流下。這進(jìn)一步提高了GaN FET的開關(guān)效率。

無體二極管:與硅和碳化硅(SiC)MOSFET不同,GaN晶體管結(jié)構(gòu)中沒有體二極管,因此沒有反向恢復(fù)損耗。這一特性使得圖騰柱無橋功率因數(shù)校正等新型高效架構(gòu)在數(shù)千瓦級(jí)別變得可行,從而進(jìn)一步提高了系統(tǒng)效率。

高功率密度:由于GaN FET的高頻和低損耗特性,可以在不增加散熱面積的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。這對(duì)于電動(dòng)汽車來說尤為重要,因?yàn)榭梢詼p小OBC的體積和重量,從而增加車輛的行駛里程。

三、德州儀器(TI)的650V汽車類GaN FET

德州儀器(TI)推出的650V完全集成式汽車類GaN FET是這一領(lǐng)域的佼佼者。該產(chǎn)品將GaN FET和驅(qū)動(dòng)器緊密集成在低電感四方扁平無引線(QFN)封裝中,大大降低了寄生柵極回路電感,從而實(shí)現(xiàn)了快速開關(guān)和減少損耗。具體來說,該產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)包括:

高頻開關(guān)能力:與C2000?實(shí)時(shí)微控制器中的高級(jí)控制功能相結(jié)合,可在功率轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)高于1MHz的開關(guān)頻率。與現(xiàn)有的硅和SiC解決方案相比,其磁體尺寸減小了59%,顯著提高了功率密度。

低開關(guān)損耗:在演示中,大于100V/ns的漏源壓擺率可降低67%的開關(guān)損耗。這種低損耗特性使得TI的GaN FET在高頻應(yīng)用中具有更高的效率。

增強(qiáng)散熱管理:12mm×12mm的頂部冷卻QFN封裝不僅減小了體積,還增強(qiáng)了散熱管理。這對(duì)于在高溫環(huán)境下工作的OBC尤為重要。

高可靠性和耐用性:TI GaN器件通過了4000多萬小時(shí)的器件可靠性測(cè)試,并且10年壽命的故障率小于1%,滿足了汽車制造商對(duì)耐用性的嚴(yán)格要求。

四、應(yīng)用前景與未來展望

隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大和消費(fèi)者對(duì)性能要求的不斷提高,GaN FET在混合動(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車中的應(yīng)用前景十分廣闊。除了OBC之外,GaN FET還可以用于電動(dòng)汽車的牽引逆變器、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件中,進(jìn)一步提升整車的性能和效率。

未來,隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成本的降低,GaN FET有望在電動(dòng)汽車領(lǐng)域得到更廣泛的應(yīng)用。同時(shí),也需要克服系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)難題,如寄生電感效應(yīng)、柵極過應(yīng)力等問題,以充分發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢(shì)。

總之,專用于混合動(dòng)力汽車/電動(dòng)汽車的高頻穩(wěn)健性汽車類GaN FET以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,正逐步成為推動(dòng)電動(dòng)汽車行業(yè)發(fā)展的重要力量。隨著技術(shù)的不斷成熟和市場(chǎng)的不斷拓展,GaN FET將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域發(fā)揮更加重要的作用。

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