在下述的內容中，小編將會對并聯(lián)電阻的相關消息予以報道，如果電阻是您想要了解的焦點之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

一、并聯(lián)電阻的特性

解并聯(lián)電阻比串聯(lián)電阻稍微復雜一些。 這是一個并聯(lián)電阻的電路。 (這個電路有一個電流源。 我們不經常使用它們，所以這應該很有意思。 )

當前的電源Is將 電流i輸入R1,R2和R3。 我們知道 電流i的值是給定的常數(shù)，但我們不知道 電壓v和電流i是如何被分配到3個電阻上的。

我們知道的兩件事是：

三個電阻通過的電流之和應該是i。

三個電阻具有同樣的電壓v。

這些式子提供了一個入手點。 重新排列三個歐姆定律表達式，用電壓和電阻來表示電流：

將它們帶入到電流和的式子中：

提取出共同項v

注意我們已知i（它是電流源的一個屬性)，所以我們可以求出v

這個表達式看起來像歐姆定律，v=iR,，但并聯(lián)電阻部分以一個雙倒數(shù)的形式代替了單個電阻。

我們的結論是：

對于并聯(lián)的電阻，總電阻是各個電阻的倒數(shù)之和的倒數(shù)。

二、并聯(lián)電阻的問題

在一些方案中，晶振并聯(lián)1MΩ電阻時，程序運行正常，而在沒有1MΩ電阻的情況下，程序運行有滯后及無法運行現(xiàn)象發(fā)生。

原因分析：

在無源晶振應用方案中，兩個外接電容能夠微調晶振產生的時鐘頻率。而并聯(lián)1MΩ電阻可以幫助晶振起振。因此，當發(fā)生程序啟動慢或不運行時，建議給晶振并聯(lián)1MΩ的電阻。

這個1MΩ電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作在線性區(qū), 以獲得增益, 在飽和區(qū)不存在增益, 而在沒有增益的條件下晶振不起振。簡而言之，并聯(lián)1M電阻增加了電路中的負性阻抗（-R），即提升了增益，縮短了晶振起振時間，達到了晶振起振更容易之目的。

換一種說法，假設電路中無任何的擾動信號，晶振不可能起振。實際上反相門電路中許多電路不加這個電阻也能起振，因為一般的電路都有擾動信號，但有個別的反相門電路不加這個電阻就不能起振，因為擾動信號強度不夠。

需要指出的是，在低溫環(huán)境下振蕩電路阻抗也會發(fā)生變化，當阻抗增加到一定程度時，晶振就會發(fā)生起振困難或不起振現(xiàn)象。這時，我們也需要給晶振并聯(lián)1MΩ電阻，建議為了增加振蕩電路穩(wěn)定性，給晶振同時串聯(lián)一個100Ω的電阻，這樣可以減少晶振的頻率偏移程度。

注：并聯(lián)電阻不能太小，串聯(lián)電阻不能太大。否則，在溫度較低的情況下不易起振。

經由小編的介紹，不知道你對電阻是否充滿了興趣？如果你想對它有更多的了解，不妨嘗試在我們的網站里進行搜索哦。