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[導讀]7月4日消息,據(jù)媒體報道,臺積電提出完善的背面供電網絡(BSPDN)解決方案,不過實施起來復雜且成本較高,預計2026年量產。

7月4日消息,據(jù)媒體報道,臺積電提出完善的背面供電網絡(BSPDN)解決方案,不過實施起來復雜且成本較高,預計2026年量產。

當前,臺積電所倚重的超級電軌(Super Power Rail)架構,以其卓越的性能與效率,被業(yè)界公認為解決高性能計算(HPC)產品復雜信號傳輸與密集供電需求的直接且高效途徑。

該架構即將在A16制程工藝上迎來大規(guī)模應用,預示著半導體性能與能效的新飛躍。相較于傳統(tǒng)的N2P工藝,超級電軌架構在相同工作電壓下,性能提升可達8-10%;反之,在維持相同速度的前提下,功耗顯著降低15-20%,同時實現(xiàn)了1.1倍的密度提升。

值得注意的是,背面供電技術的實現(xiàn)離不開一系列關鍵性技術突破。其中,最為關鍵的一環(huán)在于將芯片背面精細拋光至足以與晶體管實現(xiàn)緊密接觸的極限厚度,這一過程雖精妙絕倫,卻不可避免地削弱了晶圓的機械強度。

為應對這一挑戰(zhàn),臺積電在正面拋光后巧妙引入了載體晶圓粘合技術,以穩(wěn)固支撐后續(xù)的背面制造工藝,確保了制程的順利進行。

此外,納米硅通孔(nTSV)等前沿技術的融入,也對設備精度與工藝控制提出了更高要求。為確保納米級孔道內銅金屬的均勻沉積,臺積電需投入更多高端設備,以支撐這一精密且復雜的制造流程。

隨著臺積電超級電軌架構的逐步量產,其不僅將引領半導體性能與能效的新一輪競賽,更將帶動整個供應鏈上下游的協(xié)同發(fā)展,為整個行業(yè)注入強勁的增長動力。

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