通過適用于3D集成的硅載體晶圓提高生產(chǎn)效率，大幅降低新型紅外激光釋放技術成本

2024年5月28日，奧地利圣弗洛里安——微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術和半導體市場晶圓鍵合與光刻設備領先供應商EV集團（EVG）今日推出EVG®880 LayerRelease?離型層系統(tǒng)，這是一款專門用于大批量制造 (HVM) 的設備平臺，采用了EV集團新型的紅外(IR) LayerRelease? 離型層技術。與上一代相比，EVG880離型層系統(tǒng)的產(chǎn)量提高了一倍，其使用的紅外激光和特殊配制的無機脫模材料，能有效剝離硅載體基板上鍵合層、沉積層及生長層，精度可達納米級別。因此，EVG880離型層系統(tǒng)無需玻璃載體，實現(xiàn)了超薄芯片堆疊先進封裝，以及用于前端處理的超薄3D層堆疊，包括先進邏輯、存儲器和功率器件成型，為未來3D集成提供了新的工藝。

無需玻璃載體，實現(xiàn)3D堆疊

在3D集成中，使用有機粘合劑臨時鍵合構建器件層必須要用到玻璃基板，業(yè)內的常見方法是使用玻璃載體與有機粘合劑臨時粘合，用于構建器件層，再使用紫外(UV)波長激光溶解粘合劑，釋放器件層，然后將其永久鍵合于最終產(chǎn)品晶圓上。然而，半導體制造設備主要圍繞硅設計，加工玻璃基板不僅難度大，而且價格高昂。此外，有機粘合劑的加工溫度通常低于300°C，只能用于后端加工。

EVG880離型層系統(tǒng)利用紅外激光和無機剝離材料，能夠在生產(chǎn)環(huán)境中以納米精度對硅載體進行激光解鍵合，巧妙避開了溫度和玻璃載體兼容性問題。這種創(chuàng)新工藝無需使用玻璃基板和有機粘合劑即可實現(xiàn)前端超薄層轉移，同時兼容下游工序。EVG880離型層工藝無需改變工藝記錄就能加工極薄的器件晶片。這種超薄器件層進行后續(xù)堆疊，可增加互連帶寬，為下一代高性能器件設計和芯片分割帶來新的機遇。

離型層技術兼容高溫（最高可達1000°C），支持高標準前端工藝，室溫紅外切割工藝也確保了器件層和載體基板的完整性，并且無需使用載體晶片研磨、拋光和蝕刻相關的昂貴溶劑。

全新EVG880離型層系統(tǒng)專為離型層工藝而生，是一個前端兼容的全自動化大批量制造(HVM)設備平臺，它在一個設備中集成了激光曝光、晶圓切割和晶圓清洗功能，具有低維護及高精度激光計量等優(yōu)勢。

EVG®880 LayerRelease?離型層系統(tǒng)

大幅提高新型層轉移工藝產(chǎn)量

EV集團執(zhí)行技術總監(jiān)保羅·林德納（Paul Lindner）表示：“3D集成對于優(yōu)化半導體設計和制造中的功率、性能、面積和成本(PPAC)指標以及實現(xiàn)路線圖延續(xù)越來越重要。晶圓鍵合或層轉移是3D集成繞不開的技術難題。EVG的離型層技術是一種真正意義上獨特且通用的層轉移技術，現(xiàn)已被行業(yè)領先的研究機構和設備制造商采用，用于先進封裝、 3D集成、以及未來前端生產(chǎn)線擴展。隨著我們離型層技術的使用者有望迅速從早期的行業(yè)研究轉向制造，EVG更加注重提高該技術的生產(chǎn)效率和擁有成本。我們很高興現(xiàn)在能夠在全新的EVG880大批量制造(HVM)設備平臺上應用這項創(chuàng)新技術，使客戶能夠快速部署離型層工藝以用于其當前和下一代產(chǎn)品設計。”

EV集團現(xiàn)已開始接受新型EVG880離型層系統(tǒng)訂單，集團奧地利總部提供產(chǎn)品演示服務。欲知詳情，請訪問https://www.evgroup.com/products/bonding/temporary-bonding-and-debonding-systems/evgr880-layerreleasetm。

關于EV集團(EVG)

EV集團（EVG）是為半導體、微機電系統(tǒng)（MEMS）、化合物半導體、功率器件和納米技術器件制造提供設備與工藝解決方案的領先供應商。其主要產(chǎn)品包括：晶圓鍵合、薄晶圓處理、光刻/光刻納米壓?。∟IL）與測量設備，以及光刻膠涂布機、清洗機和檢測系統(tǒng)。EV集團成立于1980年，能夠為全球各地的客戶和合作伙伴網(wǎng)絡提供服務與支持。有關EVG的更多信息，請訪問 www.EVGroup.com。