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[導(dǎo)讀]最新的功率半導(dǎo)體技術(shù)可實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)能,功耗降低達(dá) 10 太瓦

2024年6月6日 - 安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON),隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計(jì)算的龐大處理需求而變得越來(lái)越耗電,提高能效變得至關(guān)重要。安森美最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的強(qiáng)大組合為數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供了一種完整解決方案,該方案在更小的封裝尺寸下提供了無(wú)與倫比的能效和卓越的熱性能。

與一般的搜索引擎請(qǐng)求相比,搭載人工智能的引擎需要消耗超過(guò)10倍的電力,預(yù)計(jì)在未來(lái)不到兩年的時(shí)間,全球數(shù)據(jù)中心的電力需求將達(dá)到約1,000太瓦時(shí)(TWh)。從電網(wǎng)到處理器,電力需要經(jīng)過(guò)四次轉(zhuǎn)換來(lái)為人工智能請(qǐng)求的處理提供電能,這可能導(dǎo)致約12%的電力損耗。通過(guò)使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案,數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實(shí)施這一解決方案,每年可以減少約10太瓦時(shí)的能源消耗,相當(dāng)于每年為近百萬(wàn)戶家庭提供全年的用電量。

EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容,可在數(shù)據(jù)中心和儲(chǔ)能系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比,新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半,并且將儲(chǔ)存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級(jí)結(jié) (SJ) MOSFET 相比,它們?cè)陉P(guān)斷時(shí)沒有拖尾電流,在高溫下性能優(yōu)越,能顯著降低開關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時(shí)減小系統(tǒng)元件的尺寸,從而全面降低系統(tǒng)成本。

另外,T10 PowerTrench 系列專為處理對(duì)DC-DC功率轉(zhuǎn)換級(jí)至關(guān)重要的大電流而設(shè)計(jì),以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過(guò)屏蔽柵極溝槽設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的,該設(shè)計(jì)具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導(dǎo)通電阻RDS(on)。此外,軟恢復(fù)體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過(guò)沖和電氣噪聲,從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10 PowerTrench 系列還符合汽車應(yīng)用所需的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

該組合解決方案還符合超大規(guī)模運(yùn)營(yíng)商所需的嚴(yán)格的開放式機(jī)架 V3 (ORV3) 基本規(guī)范,支持下一代大功率處理器。

"人工智能和電氣化正在重塑我們的世界,并使電力需求激增。加快功率半導(dǎo)體的創(chuàng)新以改善能效是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)大趨勢(shì)的關(guān)鍵,這也正是安森美負(fù)責(zé)任地為未來(lái)賦能的方式。"安森美電源方案分部總裁Simon Keeton表示,“我們的最新解決方案可以顯著降低能量轉(zhuǎn)換過(guò)程中的功率損耗,將對(duì)下一代數(shù)據(jù)中心的需求產(chǎn)生積極的影響。

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