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[導(dǎo)讀]電力電子系統(tǒng)必須以極高的能效作為其首要要求。換句話說,電源電路必須有效,并且它產(chǎn)生的熱量必須由卓越的冷卻系統(tǒng)帶走。

介紹

電力電子系統(tǒng)必須以極高的能效作為其首要要求。換句話說,電源電路必須有效,并且它產(chǎn)生的熱量必須由卓越的冷卻系統(tǒng)帶走。已經(jīng)確定,為了實(shí)現(xiàn)高良率和低功耗,所有電力電子器件都用作開關(guān)(ON 和 OFF),更具體地說,是在高頻開關(guān)模式下。這將減小感應(yīng)部件的尺寸,并最終減小系統(tǒng)的整體重量。由于技術(shù)的進(jìn)步和新半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn),現(xiàn)在功率器件的性能比過去好很多??煽毓β屎烷_關(guān)速度特別提高。

 從廣義上顯示了技術(shù)在大約 80 年的學(xué)術(shù)和工業(yè)研究過程中發(fā)生了怎樣的變化。


從廣義上講,科學(xué)進(jìn)步使以下功率器件的生產(chǎn)成為可能,它們的性能比它們各自以前的器件越來越高:

SCR(1957 - 可控硅整流器);

RCT(1957 - 反向?qū)щ娋чl管);

TRIAC(1958 - 三極管交流開關(guān));

BJT(1960 - 雙極結(jié)型晶體管);

GTO(1962 - 門極關(guān)斷晶閘管);

Power Mosfet(1970 - 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管);

SIT(1975 - 靜態(tài)感應(yīng)晶體管);

IGBT(1983 – 絕緣柵雙極晶體管);

MCT(1988 – MOS 控制晶閘管);

SiC Mosfet(2000 - 碳化硅 Mosfet);

GaN Mosfet(2010 - 氮化鎵 Mosfet)。

在以下段落中,將僅描述最重要的部分,并通過一些電子模擬突出主要特征。

SCR(或晶閘管)

電力電子隨著 SCR 的發(fā)明而誕生。實(shí)際上,它是一個(gè)可控硅二極管,由三個(gè)端子(陽極、陰極和柵極)組成。門是組件的控制元素。它由四個(gè)半導(dǎo)體層組成,其中兩個(gè)是 P 型,兩個(gè)是 N 型。在端子 A 和 K 之間施加直流電壓時(shí),在柵極上沒有脈沖的情況下,它保持打開狀態(tài)。隨著柵極上的脈沖,可控硅進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。在這個(gè)脈沖之后,即使在柵極上沒有電流的情況下,也可以保證電流通過。圖2中的示意圖顯示了 SCR 在直流狀態(tài)下的操作。一個(gè) 80 V 電池可確保負(fù)載 R1 的電壓為 200 歐姆,但在 SCR 的柵極沒有接收到脈沖之前,負(fù)載將保持未供電狀態(tài)。柵極上的一個(gè)短脈沖足以觸發(fā)晶閘管的導(dǎo)通。在直流電中,只有切斷電源才能取消電流的通過。使用的 SCR的SPICE 模型(S6S3)如下:

.SUBCKT S6S3 1 2 3

* 終端:AG K

Qpnp 6 4 1 Pfor 關(guān)

Qnpn 4 6 5 Nfor 關(guān)閉

Rfor 6 4 5G

版本 1 4 5G

Rshort 6 5 1MEG

拉特 2 6 9.09

羅恩 3 5 513.4m

Dfor 6 4 Zbrk

驅(qū)動 1 4 Zbrk

D門6 5 Z門

.MODEL Zbrk D (IS=3.2E-16 IBV=100U BV=600)

.MODEL Zgate D (IS=1E-16 IBV=100U BV=10 VJ=0.3)

.MODEL Pfor PNP(IS=5E-15 BF=0.95 CJE=5p CJC=2p TF=0.3U)

.MODEL Nfor NPN(IS=1E-12 ISE=1E-9 BF=10.0 RC=0.45 CJE=30p CJC=2p TF=0.3U)

.ENDS


電力電子課程:第 5 部分 - 可控硅、雙向可控硅

圖 2:在直流狀態(tài)下 SCR 的操作

如圖和圖 3的模擬所示,SCR 的操作始終是一致的。與普通二極管一樣,SCR 僅在正弦波的正半周期通過 AK 導(dǎo)通,在負(fù)半周期保持關(guān)閉。這樣,一半的電源電壓到達(dá)負(fù)載。如果可控硅在交流電中使用,則在電流過零時(shí)發(fā)生關(guān)斷,使其缺乏保持觸發(fā)所需的維護(hù)電流。


電力電子課程:第 5 部分 - 可控硅、雙向可控硅

圖 3:交流電狀態(tài)下 SCR 的操作

雙向可控硅

三端雙向可控硅開關(guān)用作大電流的雙向開關(guān),由三個(gè)端子組成:柵極、陽極 1 和陽極 2。只有在柵極上施加電流脈沖時(shí),兩個(gè)陽極之間才能通過電流。如果三端雙向可控硅開關(guān)正在導(dǎo)通,即使柵極中沒有電流,電流也會繼續(xù)流動。但如果三端雙向可控硅開關(guān)連接到交流電路,則關(guān)斷發(fā)生在電流的過零處。使用的 TRIAC (L0103DE) 的 SPICE 模型如下:

.SUBCKT L0103DE 1 2 3

* 端子:MT2 G MT1

Qnpn1 5 4 3 NoutF OFF

Qpnp1 4 5 7 PoutF OFF

Qnpn2 11 6 7 NoutR OFF

Qpnp2 6 11 3 PoutR OFF

Dfor 4 5 DZ OFF

Drev 6 11 DZ OFF

Rfor 4 6 12MEG

Ron 1 7 300m

Rhold 7 6 250

RGP 8 3 350

RG 2 8 150

RS 8 4 250

DN 9 2 DIN OFF

RN 9 3 6.0

GNN 6 7 9 3 0.2

GNP 4 5 9 3 2.0

DP 2 10 DIP OFF

RP 10 3 4.0

GP 7 6 10 3 0.5

.MODEL DIN D (IS=382F)

.MODEL DIP D (IS=382F N=1.19)

.MODEL DZ D (IS=382F N=1.5 IBV=50U BV=400)

.MODEL PoutF PNP (IS=382F BF=1 CJE=190p TF=0.3U)

.MODEL NoutF NPN (IS=382F BF=3 CJE=190p CJC=38p TF=0.3U)

.MODEL PoutR PNP ( IS=382F BF=5 CJE=190p TF=0.3U)

.MODEL NoutR NPN (IS=382F BF=0.5 CJE=190p CJC=38p TF=0.3U)

.ENDS

TRIAC 的操作非常簡單所示。幾毫安的脈沖足以觸發(fā) TRIAC 并讓燈泡打開。如果脈沖處于活動狀態(tài),即使交流電壓通過零并呈現(xiàn)負(fù)值,電流也會通過組件。如果門脈沖低,三端雙向可控硅開關(guān)不導(dǎo)通,打開,燈泡保持關(guān)閉。另一方面,如果脈沖很高,三端雙向可控硅開關(guān)導(dǎo)通并且燈泡打開。這種功能在正半波和負(fù)半波中是相同的。

大電流流經(jīng)電纜和高截面連接。需要能夠承受高電流強(qiáng)度而不會損壞自身或在極高溫度下運(yùn)行的特殊電子元件,以便切換、控制或轉(zhuǎn)移該電流。電力電子元件是靜態(tài)半導(dǎo)體器件,可以控制微弱的控制信號以產(chǎn)生高輸出功率。

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