業(yè)內(nèi)消息，昨天美國政府宣布將向三星電子提供至多價值 64 億美元（當(dāng)前約合 464.64 億元人民幣）的補貼，而三星電子將在得克薩斯州投資超過 400 億美元，建設(shè)包括 2nm 晶圓廠在內(nèi)的一系列半導(dǎo)體項目。

與臺積電一樣，三星電子此次同美國政府簽訂的是不具約束力的初步備忘錄。三星電子將在得克薩斯州的兩個地點建立一個半導(dǎo)體生態(tài)集群，包括：在泰勒市的兩座先進邏輯代工廠，分別為 4nm 和 2nm 制程；在泰勒市的一座先進制程研發(fā)設(shè)施；在泰勒市的一座先進封裝工廠，可進行 3D HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)和 2.5D 封裝；在奧斯汀擴建現(xiàn)有半導(dǎo)體設(shè)施，擴大 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）工藝產(chǎn)能。

三星電子此次投資將在未來 5 年為美國創(chuàng)造超過 17000 個建筑行業(yè)工作崗位和 4500 多個高薪制造業(yè)工作崗位。作為配套，美國政府還將通過《芯片法案》提供 4000 萬美元（當(dāng)前約 2.9 億元人民幣）的當(dāng)?shù)貏趧恿ε嘤?xùn)發(fā)展資金。